1 8. Тринистр.

Отличие тринистра от динистра в том, что он имеет дополнительный электрод (упр-ий) подключается к области Р₂.

У правляющий электрод позволяет спровоцировать пробой перехода П₂ при меньшем обратном напряжении. На упр-ий эл. Относительно катода подается положительное напряжение (сигнал управления). Длительность такого сигнала должна быть достаточной, что бы произошел пробой в П₂.

На сх. Тринистр обозначается:

ВАХ Тринистра:

Если ток управления I_у=0, тринистр ведет себя как динистр, чем больше ток управления , тем при меньшем напряжении напряжении U_AK произойдет пробой перехода П₂, т.е. возникает возможность управления состоянием тринистра (вкл/выкл), состояния без изменения U_AK.

Обозначается тринистр следующим образом.

1. Силовые (на большие токи и напряж.) буквой Т

2. Маломощные – КУ

Для них как и для диодов осн. хар-ми явл.:

1. Допустимый ток через тиристр.

2. Обратное напряжение на тиристре.

19. Биполярные транзисторы

Предназначены для управляемого преобразования электрической энергии источника питания в ток нагрузки(I_н), в напряжение нагрузки(U_н) и мощность нагрузки(Р_н). Биполярные транзисторы представляют собой полупроводниковую структуру с двумя PN-переходами. Промышленностью выпускаются 2 типа наборов PN-переходов.

1) PNP, выполняемый на основе германия. В этом случае направление напряжений и токов транзистора следующее:

2) NPN структура, построена на основе кремния. Направления напряжений и токов:

Транзистор имеет 3 электрода(вывода): Э – эмиттер, К – коллектор, Б – база.

Эмиттер – предназначен для генерации носителей заряда и представляет собой высоко легированную область. Коллектор – предназначен для сбора носителей, выделяемых эмиттером. База – предназначена для управления потоком носителей из Э в цепь К.

Для PNP структуры в рабочем состоянии необходимо на К относительно Э и на Б относительно Э подать отрицательное напряжение. Для структуры NPN полярность напряжения устанавливается противоположная. В результате этого переход БЭ находится под прямым смещением, а переход БК под обратным смещением. Работает транзистор следующим образом: в зависимости от U прямого смещения UБЭ носители из Э поступают в область базы, поскольку U на Б относительно Э незначительно – только часть носителей передается в цепь Б. Большая часть носителей захватывается полем К и переносится в цепь К. Чем больше открыт переход БЭ, тем больше носителей поступает в цепь К.

В транзисторе: Iб << Iэ , Iк = Iэ – Iб = αIэ , где α – коэффициент, определяющий, какая доля Iэ передается в цепь К. α = 0,95 ÷ 0,98

В транзисторе наблюдается эффект усиления как U, так и I. Если входное U и I взять соответственно Uбэ и Iб, а выходное – Uобр и Iк, то можно заключить, что Uпр(Uбэ) << Uобр(Uбк). А также Iб << Iк.

В справочниках на транзисторы эффект усиления (передачи тока базы в цепь К) характеризуется статическим коэффициентом усиления β, который может быть: β = 10 ÷ 400.

Поскольку в транзисторе в явном виде присутствует усиление по I и U, транзистор также является усилителем мощности, т.к.: Iб · Uбэ << Iк · Uбк, т.е. Рвх << Рвых.

Эффект управления в транзисторе состоит в том, что чем больше открыт базовый переход(при больших напряжениях Uбэ · Iб), тем больше носителей передаются из Э в цепь К. Таким образом Iк можно изменять практически от 0 до максимального значения. Коэффициенты α и β связаны между собой след образом: β = .

Иногда в справочнике статический коэффициент усиления β через параметры четырехполюсника и обозначается h21. Транзисторы маркируются следующим образом:

кремниевые: КТ (2Т)

германиевые: ГТ (1Т)

Основные характеристики транзисторов:

1)допустимая мощность рассеяния, в связи с этим они делятся на мощные, средней мощности и маломощные.

2)рабочая частота транзистора. Делятся на низкочастотный, средней частоты, высокочастотный.

3)допустимое U на переходе КЭ.

4)допустимый Iк.

5)статический коэффициент усиления β (h21)

Допустимые	Uкэ , В	Iк , А	β (h21)
2Т935А	70	20	100
2Т608А (ср.мощности)	60	0,4	45
2Т313Б (ср.мощности)	50	0,6	300
2ТС622Б	45	1	150