Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Материаловедение МОЕ.doc
Скачиваний:
6
Добавлен:
01.04.2025
Размер:
656 Кб
Скачать

6. Почему для реализации гомогенной кристаллизации необходимы более значительные степени переохлаждения, чем для гетерогенной крист-ии?

У гомогенных больше степень переохл-ия, потому что меньшая по уровню энергии и по размерам требуется флуктуация на базе которой образуется критический зародыш, тем больше число. У гетерогенных больше критических зародышей.

7. Где образуются зародыши твердой фазы при гомогенной и гетерогенной крист0ии металла? Почему термодинамически выгодно образования кристаллов на готовых центрах?

Гомогенизационное зарождение кристаллов – флуктуационное образование зародышей в случайных участках объема чистого расплава.

Гетерогенизационное зародышеобразование – это на готовых подложках, которыми служат нерастворенные частицы и модификаторы. Зарождение на готовой подложке хар-ся меньшим приростом межфазной энергии (поверхностное натяжение), следовательно меньшей работой образования критического зародыша. Межфазная энергия тем меньше, чем больше сходство в расположении атомов и в типе межатомной связи по обе стороны от границы раздела.

8. Как зависит общее изменение энергии Гиббса от размера кристалла при затвердевании? Какой размер зародыша кристалла наз-ся критическим?

При образовании в расплаве кристалла результирующее изменение энергии Гиббса выразится алгеб­раической суммой:

ΔG =-ΔGОБ + ΔGПОВ; ΔG= - ΔVgОБ + Fу. (2.4)

Чем меньше размер кристалла, тем больше отношение его поверх­ности к объему и, соответственно, больше роль межфазной энергии. При образовании кристалла размером меньше энергия Гиббса возрастает. ( + ΔG). С увеличением размера кристаллика кривая ΔG проходит через максимум. Размер кристалла, соответствующий максимуму ΔG, наз-ют критическим аКР. Если кристаллик меньше аКР, то термодинамически неустойчив. Он не способен к самопроизвольному росту, так как при увеличении размера кристаллика энергия Гиббса системы увеличивается; рассасывание такого кристаллика приводит к уменьшению энергии Гиббса и поэтому происходит самопроизвольно. Если же кристаллик размером аКР или больше, то рост его приведет к уменьшению энергии Гиббса и потому идет самопроизвольно. Следовательно, центрами кристаллизации являются кристаллики размером не меньше некоторой критической величины аКР.

9. Почему с увеличением степени переохл-ия при крист-ии размер критического зародыша уменьшается?

Чтобы началась кристаллизация, необходимо переохладить расплав ниже Т0. Разность ∆Gоб является термодинамическим стимулом (движущей силой) кристаллизации. Чем больше степень переохлаждения ∆Т, тем больше ∆Gоб.

аКР – критический размер зерна. аКР = 4 g / ∆GОБ.

На образование критического зародыша затрачивается работа ∆GКР, т.к. создается поверхность раздела фаз, которая равна: ∆GКР = 32 g3 / (∆GОБ)2. При увеличении степени переохл-ия удельная межфазная энергия g практически не меняется, а ∆GОБ непрерывно растет, то из формул видно, что критический размер зародыша и работа на его образование уменьшается с увеличением ∆Т.

10. Доказать почему размер кристалла меньше размера критического растворяется в жидкости?

Если при какой-либо t-ре в расплаве зародился кристаллик размером меньше критического, то такой кристаллик оказывается термодинамически неустойчивым. Он не способен к самопроизвольному росту, т.к. при увеличении размера кристалла энергия Гиббса системы увеличивается. Это невозможно, потому что равновесное состояние системы характеризуется минимумом энергии Гиббса (∆G= -∆Gоб +∆Gпов). Таким образом растворение этого кристаллика приведет к уменьшению энергии Гиббса и этот процесс идет самопроизвольно.