
- •Введение
- •Электронно-дырочный p-n-переход и полупроводниковые диоды на основе этого перехода
- •1.2.1. Температурные свойства p-n-перехода
- •1.2.2. Частотные и импульсные свойства p-n-перехода
- •Структура контакта «Металл-полупроводник» (мп) и полупроводниковые диоды на основе этой структуры.
- •4. Математическая модель диодов, практическая ценность модели
- •5. Диоды разного функционального назначения
- •5.2. Стабисторы
- •6. Элементы интегральных схем
- •6.1.Общие сведения об интегральных схемах (ис)
- •Особенности ис
- •Теоретическое обобщение по теме 1-го раздела
5. Диоды разного функционального назначения
Полупроводниковые диоды объединяют в себе большое количество диодов разного функционального назначения (рис.1.10)
|
|
|
|
а) б) в) г)
|
|
|
|
д) е) ж) з)
и) |
|
|
м) |
Рис.1.10. Полупроводниковые диоды: а – выпрямительный; б – опорный (кремниевый стабилитрон); в – туннельный диод; г - обращённый диод; д - диод Шоттки; е – светодиод; ж – фотодиод; з – варикап; и – динистор (неуправляемый тиристор); к – тринистор (управляемый тиристор); л – управляемый симистор; м – неуправляемый симистор.
Дадим краткую характеристику некоторым из них.
5.1. Стабилитроны (опорные диоды) – рис.1.11а
Опорные диоды на ВАХ имеют участок, в пределах которого большим изменениям тока соответствуют незначительные изменения напряжения (рис.1.11 б, участок «аб»)
а)
|
б) |
Рис.1.11
Концентрация примесных атомов в опорных диодах гораздо выше, чем у выпрямительных диодов. Напряжённость поля p-n-перехода при этом получается очень высокой, и стабилитрон находится как бы в предпробойном состоянии.
В основе работы такого диода лежит явление холодной эмиссии и управляемый лавинный (электрический) пробой (в пределах «аб») После точки «б» мощность, рассеиваемая на стабилитроне, превышает допустимую. Стабилитрон переходит в режим теплового пробоя, после которого он уже не может восстановить свои рабочие свойства.
Участок «аб» ─ участок, за счёт которого опорный диод успешно применяется для стабилизации постоянного напряжения.
Основные параметры стабилитрона:
Рст. доп. ─ допустимая мощность рассеяния на стабилитроне;
Uст.мин и Uст.макс─ допустимые пределы изменения напряжения на стабилитроне (участок «аб» на рис.6): мощность, рассеиваемая на стабилитроне, не превышает допустимую;
Iст.мин ─ минимальное значение тока, при котором начинается лавинный пробой в стабилитроне;
Iст.макс ─ максимальное значение тока, после которого стабилитрон переходит в режим теплового пробоя. В режиме теплового пробоя при отключении напряжения стабилитрон не восстанавливает рабочие свойства: мощность, рассеиваемая на стабилитроне, превышает допустимую Рст. доп;
rдиф ─ дифференциальное сопротивление стабилитрона (в справочной литературе даются два значения этого параметра: большее значение указывается для участка ВАХ, где в стабилитроне начинается лавинный пробой, меньшее значение ─ для участка вблизи рабочей точки)
Примечание.
Конкретное использование стабилитрона для стабилизации постоянного напряжения смотрите в лекции 13 «Источники вторичного электропитания ».