Міністерство освіти і науки України

Вінницький національний технічний університет

Методичні вказівки до виконання лабораторних робіт з курсу

«Основи промислової електроніки»

Для студентів очної та заочної форми навчання за спеціальностями:

7.090601 – електричні станції

7.090602 – електричні мережі та системи

7.090603 – електричні системи електроспоживання

Затверджено на засіданні кафедри TЕПЕ Протокол № __від ____________р.

Вінниця-2005

Зміст

Зміст	2
Лабораторна робота №1 Дослідження характеристик біполярного транзистора	3
Лабораторна робота №2 Дослідження підсилювального каскаду на біполярному транзисторі	12
Лабораторна робота №3 Частотні властивості підсилювального каскаду на біполярному транзисторі	22
Лабораторна робота №4 Робота тиристора в колі постійного і змінного струму	28
Лабораторна робота №5 Компенсаційний стабілізатор постійної напруги	38
Лабораторна робота №6 Операційний підсилювач та його функціональні можливості	46
Лабораторна робота №7 Мультивібратори різних модифікацій	57
Лабораторна робота №8 Дослідження системи імпульсно-фазного керування тиристорами	67
Навчальне видання	73

Лабораторна робота №1 Дослідження характеристик біполярних транзисторів

Мета роботи: засвоїти на практиці методику отримання статичних характеристик транзистора. Навчитись визначати його коефіцієнти передачі.

Опис лабораторного обладнання

Лабораторна робота виконується на навчально-дослідному лабораторному стенді (НДЛС). Для виконання роботи необхідно на наборному полі стенду скласти дві схеми для зняття вхідних та вихідних характеристик транзистора при вмиканні його за схемою зі спільним емітером (рис. 1).

В лабораторній роботі досліджується транзистор КТ814А, розміщений на спеціальному макеті, котрий вставляється в набірне поле лабораторного стенду.

Як джерело живлення використовується блок постійної напруги НДЛС. Причому на вхід транзистора потрібно вмикати нерегульовану напругу 20 В.

Макет транзистора доцільно розмістити горизонтально в центральній частині набірного поля.

Рисунок 1.

Параметри елементів схеми: R_б=150 Ом;

R_к=68 Ом.

Для вимірювань використовуються такі прилади:

• вольтметр М2017 (1шт.);

• міліамперметр Ц4311 (1шт.);

• міліамперметр (1шт.).

Домашнє завдання

1. Засвоїти принцип дії p-n-p транзистора.

2. Виписати з довідника паспортні дані транзистора КТ814А.

3. Зобразити транзистор еквівалентним чотириполюсником та записати систему рівнянь цього чотириполюсника в h-параметрах. Записати значення h-параметрів, виразивши їх через відповідні прирощення струмів та напруг.

Послідовність виконання роботи

1. Зняти три вхідних характеристики I_б = f(U_бе) для вказаних в таблиці рівнів напруги U_ек.

Рівні напруги U_ек встановлювати з блоку НДЛС. Характеристики знімати, змінюючи опір R_б дослідного макету.

Увага! Встановлюючи потрібну напругу на колекторі, відключайте джерело вхідної напруги.

2. Зняти три вихідних характеристики транзистора I_к = f(U_ек) для вказаних струмів бази I_б.

Струми бази I_б задавати опором R_рег. дослідного макету Рівні напруги U_{е к} встановлювати з блоку НДЛС.

Увага! Встановлюючи потрібний струм бази, вимикайте джерело колекторної напруги. При вимірюванні струм бази підтримувати на постійному, вказаному рівні.

Таблиця 1

Вхідні характеристики Iб = f(Uеб)

Вихідні характеристики Iк = f(Uек)

№ пп

Uек = 0 В

Uек = 1,5 В

Uек = 3 В

№ пп

Iб = 0 мА

Iб = 5 мА

Iб = 5 мА

Uеб В

Iб мА

Uеб В

Iб мА

Uеб В

Iб мА

Iк мА

Iк мА

Uек В

Iк мА

Uек В

Iк мА

1 2 . . . 9 10

1 2 . . . 9 10

Зміст звіту

1. Надати відповіді на питання домашнього завдання та записати паспортні дані досліджуваного транзистора.

2. Завдання лабораторної роботи.

3. Електрична схема вимірювань.

4. Таблиця з вимірами.

5. Графіки статичних характеристик транзистора. Вказівка: Однотипні залежності будувати в одних вісях координат.

6. Визначити за допомогою статичних характеристик транзистора його h-параметри: h₁₁, h₁₂, h₂₁, h₂₂., взявши відповідні прирощення струмів та напруг на початкових лінійних ділянках отриманих ВАХ (див. рис.4)

7. Висновки за результатами виконаної роботи.

8. Список використаної літератури.