Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
ШПОРЫ Аналоговая электроника.docx
Скачиваний:
0
Добавлен:
01.03.2025
Размер:
3.97 Mб
Скачать

21. Эмиттерные повторители. Динамический диапазон

Эмиттерный повторитель работает с большими входными сигналами, чем обычный каскад. Потенциал эмиттера следит за потенциалом базы, который меняется от ) до Uпит. И этот диапазон определяют требованиями:

  1. В области малых токов, когда Uб=0, Rэ – большая величина, Кu – имеет минимальное значение, то ток эмиттера определяется из соотношения: Iэ = φт/rэ, где φт – термодинамический потенциал 25 mB. Зная Iэ определяют Uб по ВАХ.

  2. В области малых коллекторных напряжений, когда Uб Uпит, падает β, уменьшается Кu и увеличивается время нарастания фронта, т.е. при достаточно больших импульсах с крутыми фронтами эмиттерный повторитель может не одинаково передавать положительные и отрицательные перепады напряжения, т.е. большой входной импульс с крутым фронтом при наличии ёмкости нагрузки на некоторое время запирает эмиттерный переход транзистора. Отпирание транзистора и возвращение в нормальный режим работы происходит тогда, когда Снагр разрядится. Таким образом соответствующий фронт выходного импульса будет искажён: p-n-p положительно, n-p-n отрицательно.

24. Повторитель с динамической нагрузкой.

Как в простом так и в составном повторителе увеличение сопротивления Rэ затрудняется ростом постоянной составляющей напряжения Iэ Rэ . Это затруднение можно обойти, используя вместо омического сопротивления Rэ нелинейный элемент с большим дифференциальным сопротивлением и малым сопротивлением по постоянному току. Для этого можно использовать второй транзистор, включённый по схеме ОБ или ОЭ. Последнее включение (рис) позволяет легко осуществить смещение транзистора Т2 от того же источника питания Ек.

Из рисунка видно, что коллекторные токи обоих транзисторов одинаковы. Следовательно сопротивление Rб можно выбрать из условия , где - желательный ток основного транзистора. Напряжение близко к потенциалу базы , задаваемому тем или иным известным способом, и может быть достаточно малым.

Дифференциальные параметры схемы описывается теми же формулами , что и для простого повторителя, если заменить в них RЭ на rк2. При этом должно быть выполнено условие Rн>rк2, без которого данный повторитель не даёт желаемого эффекта. Положим для простоты и будем считать параметры обоих транзисторов одинаковыми. Тогда из

Получим . (*)

Отсюда видно\, что входное сопротивление имеет весьма значительную величину и не зависит от коэффициента . Потому, в частности, характеристики zВХ(t) и ZВХ( ) определяются практически только постоянной времени . В этом легко убедиться, заменив в формуле (*) сопротивление rК на ZК = rК/(1+StК). Кроме того, на величине RВХ не будет сказываться температурная зависимость , что особенно ценно для кремниевых транзисторов.