
- •3. Стабильность типовых схем.
- •2. Выбор рабочей точки, ее стабильность
- •4. Статистический режим усилительного каскада. Расчет каскадов по постоянному току. Каскад с об, оэ, ок.
- •5.6.7 Обратная связь в усилителях. Классификация. Основные соотношения.
- •13. Усилители с трансформаторной связью. Коэффициент трансформации. Область средних частот.
- •8. Усилители с ёмкостной связью. Область средних частот, упрощенный анализ.
- •10 Усилители с емкостной связью. Область низших частот, влияние переходных емкостей, влияние блокирующей емкости в цепи эмиттера.
- •Усилители с емкостной связью. Внутренняя ос, полный анализ.
- •12. Область высших частот
- •Однотактные упт
- •18. Усилители постоянного тока. Усилители с модуляцией сигнала. Температурный дрейф.
- •11 Усилители с емкостной связью. Совместное влияние емкостей, коррекция искажений вершины импульса.
- •20. Эмиттерные повторители. Простой повторитель, входные и выходные параметры каскада
- •22.Сложные эмиттерные повторители
- •23. Составной повторитель с внутренней обратной связью
- •21. Эмиттерные повторители. Динамический диапазон
- •24. Повторитель с динамической нагрузкой.
- •25. Операционные усилители
- •26.Дифференц. Каскады.
- •27 Вопрос
- •28 Вопрос
- •29 Многокаскадные усилители
- •30.Вопрос
21. Эмиттерные повторители. Динамический диапазон
Эмиттерный повторитель работает с большими входными сигналами, чем обычный каскад. Потенциал эмиттера следит за потенциалом базы, который меняется от ) до Uпит. И этот диапазон определяют требованиями:
В области малых токов, когда Uб=0, Rэ – большая величина, Кu – имеет минимальное значение, то ток эмиттера определяется из соотношения: Iэ = φт/rэ, где φт – термодинамический потенциал 25 mB. Зная Iэ определяют Uб по ВАХ.
В области малых коллекторных напряжений, когда Uб Uпит, падает β, уменьшается Кu и увеличивается время нарастания фронта, т.е. при достаточно больших импульсах с крутыми фронтами эмиттерный повторитель может не одинаково передавать положительные и отрицательные перепады напряжения, т.е. большой входной импульс с крутым фронтом при наличии ёмкости нагрузки на некоторое время запирает эмиттерный переход транзистора. Отпирание транзистора и возвращение в нормальный режим работы происходит тогда, когда Снагр разрядится. Таким образом соответствующий фронт выходного импульса будет искажён: p-n-p положительно, n-p-n отрицательно.
24. Повторитель с динамической нагрузкой.
Как в простом так и в составном повторителе увеличение сопротивления Rэ затрудняется ростом постоянной составляющей напряжения Iэ Rэ . Это затруднение можно обойти, используя вместо омического сопротивления Rэ нелинейный элемент с большим дифференциальным сопротивлением и малым сопротивлением по постоянному току. Для этого можно использовать второй транзистор, включённый по схеме ОБ или ОЭ. Последнее включение (рис) позволяет легко осуществить смещение транзистора Т2 от того же источника питания Ек.
Из
рисунка видно, что коллекторные токи
обоих транзисторов одинаковы.
Следовательно сопротивление Rб
можно выбрать из условия
,
где
- желательный ток основного транзистора.
Напряжение
близко к потенциалу базы
,
задаваемому тем или иным известным
способом, и может быть достаточно малым.
Дифференциальные
параметры схемы описывается теми же
формулами , что и для простого повторителя,
если заменить в них RЭ
на rк2.
При этом должно быть выполнено условие
Rн>rк2,
без которого данный повторитель не
даёт желаемого эффекта. Положим для
простоты
и будем считать параметры обоих
транзисторов одинаковыми. Тогда из
Получим
.
(*)
Отсюда
видно\, что входное сопротивление имеет
весьма значительную величину и не
зависит от коэффициента
.
Потому, в частности, характеристики
zВХ(t)
и ZВХ(
)
определяются практически только
постоянной времени
.
В этом легко убедиться, заменив в формуле
(*) сопротивление rК
на ZК
=
rК/(1+StК).
Кроме того, на величине RВХ
не будет сказываться температурная
зависимость
, что особенно ценно для кремниевых
транзисторов.