11. Теоретическая схема базирования.
Теоретической схемой базирования (или просто схемой базирования) будем называть геометрическую модель заготовки в состоянии после выполнения рассматриваемой операции, на которой выделены обработанные поверхности, проставлены размеры и условные значки, интерпретирующие точки сопряжения и направляющие векторы. При этом ГМЗ для условных обозначений точек сопряжения считается прозрачной. Эти обозначения можно располагать на одной или двух проекциях.
Теоретической схемой базирования или просто схемой базирования, используемой при проектировании технологических процессов, будем называть эскиз детали (или заготовки), на котором нанесены условные обозначения (рис. 4.7, а) точек сопряжения, которые располагаются заостренной частью к базам, в том числе и скрытым. На видимых поверхностях эскиза условные обозначения точек изображаются сплошными, а на невидимых (закрытых изображением детали) — штриховыми тонкими линиями (рис. 4.7, б). Допустимо считать деталь (заготовку) прозрачной и изображать условные обозначения точек сопряжения на видимых и невидимых поверхностях, включая скрытые базы, сплошными тонкими линиями (рис. 4.8). Точки сопряжения на эскизах нумеруются, начиная с базы, отнимающей наибольшее число степеней свободы.
Схемы базирования можно разделить на три класса.
Первый класс объединяет варианты схем базирования, в которых главной является установочная база (плоскость) I, лишающая трех степеней свободы. Эта плоскость сочетается в комплект баз с направляющей II и опорной III (рис. 4.8) либо с двойной опорной II и опорной III (рис. 4.8).
Второй класс объединяет варианты схем базирования, в которых главной является двойная направляющая база («длинный» цилиндр), лишающая четырех степеней свободы. Эта цилиндрическая поверхность сочетается в комплект баз либо с двумя опорными (рис. 4.9, а, б), либо с двойной опорной (рис. 4.9, в) базами.
К третьему к л асс у относятся варианты схем базирования, в которых главная база реализуется либо «длинным» конусом (рис. 4.10, а), либо двумя
«короткими» соусными (рис. 4.10, б, б) конусами, которые лишают деталь пяти степеней свободы. Эти конические поверхности сочетаются в комплект баз с одной опорной.
Разработка схемы базирования является одним из важных этапов проектирования технологического процесса изготовления детали. При этом выбранный комплект баз должен обеспечить в первую очередь относительные повороты (параллельность или перпендикулярность к направлению подач), а затем только — относительные расстояния.
12.Методика синтеза теоретической схемы базирования.
Синтез схемы базирования рекомендуется выполнять согласно приведенным ниже шагам. Причем следует отметить, что в заданиях отражается объект производства в состоянии на последней операции технологического процесса с указанием выделенных обрабатываемых поверхностей и размеров окончательно полученных на предыдущих операциях и тех, которые необходимо получить.
Первый шаг. Построить ГМЗ с выделением обрабатываемых поверхностей и выявлением угловых и размерных связей, которые необходимо обеспечить на операции.
Второй шаг. С помощью анализа заданных допусков относительных поворотов и размерных связей установить комплект баз ориентации обрабатываемых поверхностей.
Третий шаг. Проверить правильность задания относительных поворотов (согласно правилам 1-2 и приложения 1). Выявить, если необходимо, неуказанные допуски относительного расположения (перпендикулярность, соосность, симметричность).
Четвертый шаг. Сформировать базовую систему координат.
Пятый шаг. Определить вид каждого из компонентов установленного комплекта баз. (Правила 3-7, приложение 3).
Рис. 32. Задание на проектирование схемы базирования