
- •Введение.
- •З адание на проектирование.
- •Р асчет выходного каскада.
- •Выбор транзистора в выходном каскаде.
- •В ыборрежима работы выходного каскада по постоянному и переменному току.
- •Р асчет выходного каскада по постоянному и переменному току, включающий расчет элементов задания и стабилизации режима.
- •О пределение низкочастотных и высокочастотных параметров транзистора выходного каскада в средней точке.
- •Р асчет коэффициента усиления и времени установления выходного каскада по переменному току.
- •О кончательный расчет выходного каскада по переменному току с учетом введенных цепей обратной связи и коррекции.
- •О пределение входного сопротивления и входной емкости выходного каскада.
- •Р асчет предварительных каскадов.
- •Выбор транзистора для предварительных каскадов.
- •В ыбор режима работы транзисторов в каскадах предварительного усиления.
- •О пределение параметров транзистора в рабочей точке.
- •О пределение количества предварительных каскадов.
- •Р асчет первого предварительного каскада по постоянному и переменному току.
- •Расчет элементов стабилизации первого предварительного каскада.
- •Р асчет времени установления первого предварительного каскада.
- •О пределение входного сопротивления и входной емкости первого предварительного каскада.
- •Р асчет второго предварительного каскада по постоянному и переменному току.
- •Расчет элементов стабилизации второго предварительного каскада.
- •Р асчет времени установления второгопредварительного каскада.
- •О пределение входного сопротивления и входной емкости второго предварительного каскада.
- •Р асчет входного каскада.
- •Выбор транзистора для входного каскада.
- •В ыбор режима работы транзистора.
- •Р асчет элементов стабилизации, времени установления, входного сопротивления и входной емкости входного каскада.
- •Р асчет вспомогательных цепей.
- •В выходном каскаде.
- •В первом предварительномкаскаде.
- •Во втором предварительном каскаде.
- •В входном каскаде.
- •О пределение суммарных показателей рассчитываемого усилителя.
- •Р асчет мощностей рассеиваемых на резисторах, напряжений, действующие на конденсаторы, и токов, протекающие через катушки индуктивности.
- •Выходной каскад.
- •Первый и второй предварительный каскад.
- •Входной каскад.
В ыбор режима работы транзисторов в каскадах предварительного усиления.
Все
предварительные каскады включены по
схеме общий эмиттер с эмиттерной
стабилизацией рабочей точки транзистора.
Необходимо
выбрать рабочую точку (А) на семействе
выходных статических характеристик
транзистора. Для того чтобы выбрать
режим работы по постоянному току,
необходимо выбрать ток коллектора (
)
и напряжение (
)
в рабочей точке. Положение рабочей
точки транзистора в предварительных
каскадах должно быть выбрано так, чтобы
транзистор мог работать и на запирание,
и на открывание, не заходя в область
отсечки и насыщения. К тому же необходимо
учесть, что ток коллектора в рабочей
точке предварительных каскадов
должен быть меньше тока коллектора в
рабочей точке выходного каскада
и больше величины импульса тока коллектора
:
Исходя
из того, что это условие
не выполняется,
я и выбрал транзистор BD157
структуры n–p-n,
для которого ток в рабочей точке не
должен превышать ток покоя в выходном
каскаде, т.е. рабочая точка (А) будет
лежать внизу на выходной характеристики:
.
Такой выбор объясняется тем, что выбранный
транзистор является типа n-p-n.
Поэтому
выбираем координату рабочей точки по
оси тока коллектора равную
,
а по оси напряжения коллектор–эмиттер
равную
,
где – минимальное напряжение на транзисторе, при котором он гарантированно не входит в область насыщения.
Определим мощность, рассеиваемую транзистором в рабочей точке, она не должна превышать десятых долей ватта:
.
Это условие выполняется, следовательно режим работы по постоянному току выбран правильно.
Зная
координаты рабочей точки (А), величину
импульса тока коллектора
и амплитуду импульса напряжения на
выходе последнего предварительного
каскада
,
определим режим работы по переменному
току, построив рабочий отрезок нагрузочной
прямой АБ на выходных статистических
ВАХ транзистора, по которому перемешается
рабочая точка в процессе усиления
сигнала (рис.4.2.1.).
Рис. 4.2.1. Выбор рабочего отрезка нагрузочной прямой транзистора в предварительных каскадах импульсного усилителя.
После
определения рабочего отрезка нагрузочной
прямой убедимся, что на всем его протяжении
мгновенная мощность транзистора
не
превышает максимально допустимой
, т.е. нагрузочная прямая должна лежать
ниже гиперболы, соответствующей мощности
.
Эти условия выполняются, следовательно
проверим тепловой режим транзистора.
Для этого определим максимальную
температуру перехода транзистора:
,
где – средняя мощность, рассеиваемая транзистором, которую можно рассчитать:
,
где –скважность импульсов, тогда средняя мощность равна:
Подставляя значение находим максимальную температуру перехода транзистора:
.
Полученное значение максимальной температуры перехода не превышает максимально допустимой для выбранного транзистора: ( ).
На этом выбор режима работы транзисторов в каскадах предварительного усиления по постоянному и переменному току закончен.
О пределение параметров транзистора в рабочей точке.
Длянахождения
низкочастотных и высокочастотных
параметров в рабочей точке воспользуемся
справочными значениями,
взятые из табл.3:
Зная значения тока коллектора в рабочей точке, рассчитаем низкочастотные g – параметры, для которых выполняется условие (малой величиной обратной проводимости передачи обычно пренебрегают и принимают ):
Проверим правильность нахождения g – параметров:
По уже известным g–параметрам и координате рабочей точки, определим высокочастотные параметры: емкость коллекторного перехода , объемное сопротивление базы и постоянную времени транзистора .
Величину
емкости коллекторного перехода при
напряжении на коллекторе в рабочей
точке
рассчитаем, воспользовавшись следующей
формулой:
где
– справочное значение емкости, измеренное
при напряжении
(см. табл. 3):
Объемное
или распределенное сопротивление базы
приведено в табл. 2:
Постоянную времени транзистора в рабочей точке рассчитаем по следующей формуле:
где
– крутизна транзистора (проводимость
прямой передачи) в средней точки;
– граничная частота транзистора;
– параметр, зависящий от типа и технологии
производства транзистора. Для нашего
транзистора выберем
,
подставив все значения в формулу получим: