3. Р асчет выходного каскада.

   1. Выбор транзистора в выходном каскаде.

Выбор типа биполярного транзистора для выходного каскада осуществляется по трем основным параметрам:

1. По граничной частоте транзистора ( ):

2. По максимальному допустимому напряжению коллектор– эмиттер транзистора ( ):

,

где – коэффициент запаса; – минимальное напряжение на нагрузке. Для нашего транзистора выберем и .

.

3. По максимальному току коллектора транзистора ( ):

,

где – импульс тока коллектора; - импульс тока в нагрузке; – коэффициент, учитывающий наличие в каскаде активной коллекторной нагрузки .

Величина импульса тока в нагрузке для активной нагрузки рассчитывается по формуле: .

Возьмем и коэффициент запаса , т.к. ( ), ( ) и ( ͦC), тогда максимальный ток коллектора равен: .

..

Этим требованиям отвечает транзистор MJE253 структуры p-n-p. Данный транзистор имеет необходимые характеристики для работы в вы­ходном каскаде. Данный транзистор имеет большой запас по току и напряжению инеобходимый запас по граничной частоте. Этот транзистор обеспечивает малое время установления при большом усилении, что дает возможность сократить число каскадов в усилителе и этим уменьшить его стоимость и массогабаритные показатели. Особенно важна малая ем­кость коллектора и малый обратный ток коллекторного перехода для уменьшения входной емкости и, соответственно, количе­ства каскадов, нагрузки на предвыходной каскад.Перечень основных параметров транзистора приведен в таблице 2 (см. ниже).

Т аблица 2. Основные электрические параметры транзистора MJE253.

Расшифровка обозначения	Обозначение	Величина
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	,[MГц]	40
Максимальный ток коллектора	, [А]	4
Максимальный импульсный ток коллектора	, [A]	8
Максимальное напряжение коллектор – эмиттер	,[В]	100
Максимальная мощность, рассеиваемая на коллекторе		15
Распределенное сопротивление базы	, [Ом]	15
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте в схеме с ОЭ		2,1
Емкость коллекторного перехода при напряжении	, [ ]
Входная проводимость в схеме с ОЭ на низкой частоте	,[мСм]	110
Проводимость прямой передачи в схеме с ОЭ на низкой частоте	,[ ]	5,3
Выходная проводимость в схеме с ОЭ на низкой частоте	,[мСм]	1,6
Минимальное значение статического коэффициента передачи тока базы в схеме с ОЭ		40
Максимальное значение статического коэффициента передачи тока базы в схеме с ОЭ		180
Обратный ток коллекторного перехода при температуре 25…60	,[мкА]	1
Тепловое сопротивление переход – корпус	,[ ]	8,34
Тепловое сопротивление корпус – среда	, [ ]	80
Максимальная температура перехода	, [ ]	150

Значения g – параметров транзистора измерены при и