3. О пределение входного сопротивления и входной емкости второго предварительного каскада.

Найдем входное сопротивление и входную емкость некорректированного второго предварительногокаскада для активной нагрузки, оно находится по тем же самым формулам, что и для первого предварительного каскада:

Исходя из того, чтопервый и второй предварительный каскад имеет одинаковые параметры, равные сопротивлениябазового делителя и , а значит и одинаковые сопротивления стабилизации,то входные сопротивления и входные емкости первого и второго предварительного каскада также буду равны между собой:

Причем входное сопротивление и входная емкость второго предварительного каскада являются параметрами нагрузки, на которую будет работать входной каскад.

Таким образом, получили следующие результаты:

,

Схема второго предварительного каскада будет отличаться от схемы первого, т.к. она не имеет высокочастотной индуктивной коррекции (см. рис. 6.3.1.).

Рис. 6.3.1. Схема второго предварительного каскада без коррекции.

На этом расчет второго предварительного каскада закончен!

7. Р асчет входного каскада.

   1. Выбор транзистора для входного каскада.

По техническому заданию, входной каскад усилителя должен иметь входное сопротивление не менее 55кОм. Такое входное сопротивление легко обеспечить, если применить полевой транзистор с изолированным затвором. Выбор полевого транзистора для входного каскада осуществляется по трем параметрам: максимальной частоте , максимальному току стока , максимальному напряжению сток – исток и практически не отличается от выбора биполярных транзисторов.

Так как амплитуды импульсов тока и напряжения во входном каскаде очень малы, то проблем при выборе полевого транзистора по току и напряжению практически не возникает. Практически входной каскад может быть реализован на любом маломощном транзисторе, подходящем только по максимальной частоте усиления.

Исходя из этих соображений, во входном каскаде используем полевой транзистор 2N7002 с изолированным затвором и каналом n-типа, этот выбор еще и обусловлен тем, что предварительные каскады выполнены по схеме общий эмиттер на транзисторе BD157 структуры n-p-n. Данный транзистор имеет необходимый запас по частоте. Его данные приведены в табл. 4.

Таблица 4. Основные электрические параметры транзистора 2N7002.

Расшифровка обозначения	Обозначение	Величина
Максимальная частотаусиления	,[MГц]	50
Максимальный ток стока	, [мА]	115
Максимальное напряжение сток – исток	,[В]	60
Максимальная рассеиваемая мощность		0,2
Максимальное напряжение затвор – исток	,[В]	40
Напряжение отсечки	,[В]	2,5
Ток утечки затвора	, [нА]	<0,01
Средняя крутизна транзистора	, [ ]	90
Емкость затвор – исток (входная емкость)	,[пФ]	50
Емкость затвор – сток (проходная емкость)	,[пФ]	8
Емкость сток – исток (выходная емкость)	, [пФ]	1
Тепловое сопротивление переход среда	, [ ]	625
Максимальная температура перехода	,[ ]	125