36. Полевые транзисторы.
Принцип работы основан на модуляции площади поперечного сечения, а => и сопр-я проводящего канала в объеме п/п под возд-вием эффекта поля.Пол транз-ры явл-ся униполярными приборами, диоды Шотки и p-n переходы исп-ся в структуре полх транз-ров в кач-ве затвора. Рассм-м пол транз-р с затвором диод Шотки.
В
кач-ве затвора в пол транз-рах может
исп-ться p-n переход, и тогда в кач-ве
обедненной обл выступает ОПЗ
обратносмещенного p-n перехода. Зав-сть
толщины обедненного слоя,а также
основные св-ва поло транз-ра одинаковы
как с затвором p-n переход, так и с затвором
диод Шотки. Пол транз-ры состоят из n
или p п/п с 2 омическими контактами истока
и стока и обедненной областью формируемой
затвором,выходным управляющим током
является ток стока. Входным током служит
ток затвора,который обозначается JЗ,
кот для стандартных кремневых переходов
JЗ
10-11
А .На p+n
переход подается обратное смещение,
тогда вел-на обедненного слоя:
У резких p-n переходов обедненный слой располагается в n области. С повышением обратного смещения на затворе будет толщина как => из (11). Следовательно
толщина канала n. Т. о, при изменении обратного смещения на затворе транз-ра меняется площадь попереч сечения канала, а значит и его сопр-е.С приложением к стоку + по отношению к истоку напряжя изменяется ток канала, т. е. выходной ток транз-ра.
37. Статические характеристики полевых транзисторов.
Выходные передаточные хар-ки пол транз-ра хар-ся след
pавис-тью.
С приложением к стоку(С) + отн-но истока(И) напряж, по каналу проходит I и Uобр на переходе изменяется вдоль оси Х, по направлению к С. Поэтому толщина обедненного слоя будет , а толщина канала
по направл к С, и при достаточно больших напряж-ях произойдет пробой (объединение обедненных областей). В общем сл отсечка канала происходит при: UЗ = |-UЗОт| =| -|UЗИ |+UСИ (12) В результате отсечки канала происходит насыщение тока C. U, при кот Iнасыщается:
UСН =UСИ = |-UЗОт |- |-UЗН |(13)
Передаточные характеристики отличаются от статических тем, что у пол транз-ров вых I проходит при одной полярности U.
Особенности полевых транзисторов.
Отличаются малым уровнем собственных шумов, стабильностью во времени. Это объясняется тем, что вых I в пол транз-ре протекает в монокристалле, в кот отсутствуют поверхностные дефекты структуры. Дефекты структуры явл-ся основн источниками шумов, а => снижения стабильности. Пол транз-ры защищены от перегрузок знач лучше, чем МДП транзисторы. Явл-ся неполярными приборами, нечувствительны к дефектам наполнения неосновных нз.