
- •1.Электроника.
- •18.Импульсные свойства диода.
- •13.Пробой p-n перехода
- •14.Лавинный пробой.
- •Тепловой пробой.
- •9.Диффузионная емкость
- •10. Барьерная ёмкость
- •44.Светодиоды
- •41Фотовентильный режим.
- •39. Фоторезистор.
- •40. Основные характеристики и параметры работы фоторезисторов.
- •19. Туннельные диоды.
- •35. Приборы с зарядовой связью.
- •36. Полевые транзисторы.
- •37. Статические характеристики полевых транзисторов.
- •31. Комплиментарные мдп транзисторы.
- •30. Мдп транзисторы (моп).
- •33. Параметра мдп транзисторов.
- •29. Работа тр-ра в импульсном режиме.
- •14. Лавинный пробой.
- •15. Шумы в полупроводниковых приборах.
- •17. Стабилитроны.
- •3. Электронно-дырочный переход
- •27. Статические характеристики в схемах транзистора с об
- •28. Статические характеристики с оэ
- •25. Схема включения и режимы работы биполярных транзисторов
- •23. Параметры биполярного транзистора
- •Коэффициент инжекции
- •24.Коэффициент переноса
- •12. Особенности реальной вах p-n перехода.
- •8.Инжекция и экстракция неосновных нз.
- •45.Полупроводниковые лазеры.
- •2. Переход металл - полупроводник
- •22. Принцип работы биполярного транзистора
- •26. Модель Эберса-Мола
- •20. Принцип работы туннельного диода
- •16.Вентильныев(выпрямительные) диоды
- •7.Гетеропереходы.
- •6.Конакт м/у п/п одного типа проводимости.
- •21. Биполярные транзисторы.
- •5. Свойства p-n перехода
28. Статические характеристики с оэ
На
схеме с ОЭ управляющим током является
ток Б. Выходные коллекторные хар-ки
выражаются в виде зависимости
Входные
(базовые) хар-ки описываются зависимостью:
Рассмотрим эти хар-ки:
А) выходные хар-ки Б) Входные хар-ки
I– нормальный активный режим; II– режим насыщения;
III– пробой коллекторногоp-n-перехода
Пунктиром – реальные по расчёту,cплошной– полученные с помощью модели Эверса-Мола
Ан-но как с ОБ,но вых ВАХ имеют особенности, а именно области норм активного реж и реж насыщения расположены в одном 1 квадранте, т.е. режим двойной инжекции в схеме с ОЭ возникает не при ‘-‘ потенциале на К как в схеме с ОБ, а при малых ‘+’ напряж К, достаточных чтобы U на К было <, чем на Б. В сх с ОЭ по сравнению со схемой сОБ вых хар-ки идут круче, ток насыщения >, а пробивное U <.(рис)
Это объясняется тем, что в с ОЭ в отличие от ОБ выходное U К-Э частично приложено и к эмиттерному переходу.
Поэтому с U К-Э, и U Б-Э и ток К. Выходные ВАХ имеют след основные особенности: в режиме насыщ при UК<UБ базовый ток существенно по сравнению с нормальным активным режимом, т.к. в этом случае ток Б образуется в рез-те инжекции из 2|| включенных p-n-переходов – Б-Э и Б-К.
25. Схема включения и режимы работы биполярных транзисторов
существует 3 схемы включения тр-ра: а- ОБ;б-ОЭ; в-ОК
У всех схем включения коэф-т усиления по мощности >1
Схема с ОБ, по сравнению с ОЭ и ОК характеризуется самым низким входным и самым высоким вых сопр-м. В схеме с ОБ KJ =(Jвх/Jвых)<1, а коэф усиления по U: KU=(Uвх/Uвых)>1. Схема с ОЭ хар-ся отн-но высоким входным и выходным сопротивлениями, поэтому в этой схеме KJ>1,KU>1. Схема с ОК обладает самым большимвходным и самым низким выходным сопротивлениями, в этом случае KJ>1,KU<1. Схема сОБ обладает хорошими частотными хар-ми, т. к. в этой сх облегчен процесс рассасывания НЗ, кроме этого она позволяет наглядно раскрыть физику тр-ра, однако она имеет небольшое усиление по току и имеет малое входное сопр в связи с этим мало исп-ся в электронных схемах. На практике максимальное применение в эл схемах получили схемы с ОЭ, т.к. они имеют приличное усиление по току и по напряжению. Режимы работы БТр
Существует 4 режима работы:1)Нормальный активный;2)насыщения 3)Отсечки 4)Инверсный активный.
Норм активный реж обеспечивается прямым включением эмиттерного перехода и обратным коллекторного. В режиме насыщения эмиттерный и коллекторный переходы
включены
в прямом направлении, т. е. оба осущ-т
инжекцию НЗ в Б. В реж отсечки эмит-ный
и кол-ный переходы включены в обрат
направлении. В инверсном активном реж
кол-ный переход вкл-ся в прямом, а
эмиттерный в обратном направлениях. В
норм активном и инверсном активном
режимах тр-р работает как усилит
прибор.В инверсном режиме слаболегированный
К не обеспечивает достаточно высокого
коэф-та инжекции, в рез-те чего
резко
усиление.В
инверсном режимекоэффициент передачи
коллекторного тока можно описать
равенством: