1.Электроника.

Э лектроника - наука, изучающая законы движения заряж частиц в газе, жидкости, тв теле и микроструктурах простой и сложной конструкции. Электронные приборы - устройства, работа которых основана на использовании тепловых, оптических и акустических явлений, протекающих в твердом теле, жидкости газе или плазме. Электронные приборы являются элементами радиоэлектронной аппаратуры, не подлежащие сборке, разборке и ремонту.Прибор - устройство, всегда выполняющее законченную функцию.Устройство - прибор, который формирует незаконченную функцию.

Принцип работы эл приборов основан на исп-нии яв-ния движ электронов в энерг полях. Все эл приборы делят на: электропреобразовательные, электросветовые, фотоэлектрические, термоэлектрические, акустоэлектрические и механоэлектрические. По виду раб среды эл приборы делят на: п/п-вые, электровакуумные, газоразрядные и хемоэлектронные. В зав-ти от назначения и вып-мых функций: выпрямительные, усилительные, генераторные, переключательные, преобразовательные и индикаторные. По диапазону раб частот все приборы делятся на: нч, вч и свч. По мощности делятся на: маломощные, средней мощности и мощные. Режим эл- прибора – хар-зует ражим работы, соответствующий технич- усл- его эксплуатации. Режим всегда вкл-т в себя совокупность параметров прибора, строго фикс-ных для вып-ния зад функции.

Усля работы прибора наз-ся параметрами.Параметр это точка на хар-ке, а сама хар-ка представляет совок-ть парам-в располаг-ся по опред алгоритму, закономерности.

Различают режимы электронных приборов:1)эл режим2)механический режим3)климатический режим

Парам-ры эл режима отн-ся к функциональным. К кот в зав-ти от вида энергии сигнала, относятся: эл/магнитные, световые, тепловые и т. д.

Пред допустимый режим – хар-ет мак-но допустим знач токов, напряж-й мощности и т. д. Если эл прибор раб-ет при пост напряж-х, то такой режим наз-ся статическим(работает при усл полного окончания перех процессов).Статический режим хар-ет потенциальные возм-ти прибора, т. е. какие параметры в пределе прибор может сформировать. Если хотя бы на одном из электродов прибора, например, напряж измен-ся во времени, т. е. ч/з прибор проходит информац сигнал, то такой режим наз-ся динамическим. Он харак-ет реальную возм-сть прибора в составе конкретной электронной схемы. Основой для всех п/п приборов явл-ся p-n переход. P-n переход формируется путем механического контакта полупроводников с разными типами проводимости.

18.Импульсные свойства диода.

При протекании прямого тока, через переход происходит инжекция неосновных нос заряда.Неравновес нос-ли накапливаются преим-но в обл базы диода и реком-руют в ней не сразу. Поэтому в первый момент при переключении напряж с прямого на обратное, накопленные в p-n переходе неосновные нз, будут возвращ-ся в обрат напр-нии. Эл-ны в n обл, дырки в p область, создавая при этом обратный ток(см. рис.)

Очевидно, чем был прямой ток, тем накопилось неосновных нз в базе, тем дольше будет процесс установления статического обрат тока J_s. После переключения в течение вр t < t₁ концентрация неравновесных, неосновных нз будет , чем равновесных. Поэтому в теч некот t напряж на переходе будет оставаться прямым, уменьшаясь по значению (см. рис. б). В момент t = t₁, на границе перехода (x = 0) конц-ция избыточных неосновных нз становится =0(см. г). поэтому напряж на переходе обращается в 0 (см. б). При t > t₁, начинает нарастать обратное смещение, до значения ^U_обр , определяемого внешним источником питания (см. б). Расчеты показывают, что спад остаточного напряжя, при происходит по линейному з-ну: U=U_np- kT/e t/τ_n , а при U << j_T по экспоненциальному закону: где t_n - длительность импульса. На рис. в) показано изменение тока при переключении диода: при прямом смещении через диод проходит ток J_пр , сразу же после переключения ток изменяет свое направл на обратное. В нач-е момент ^Jобр может существенно превышать J_s. По мере рассасывания инжектированных носителей заряда, J_обр приближается к J_s и достигает его в течении т_вост, наз-го t восстановления обратного сопр-я. При подаче на диод импульса тока (см. д) напряж на переходе изм-ся, как показано на рис. е: в нач момент t = 0 падение напряж на переходе будет макс-ным и будет спадать во времени, достигая при t =t_уст стационарного значения. t_уст наз-ся t устойчивости прямого сопр-я. Снижение падения напряж на p-n переходе (см. рис. е) связано с тем, что по мере прохождения прямого тока, концентрация нз в p-n переходе и в рез-те снижает падение напряж на нем. После отключения импульса тока, напряж опр-ся длит-тью процессов рассасывания неравновесных нз. Из этого=>, что перехе процессы в диодах опр-ют их быстродействие, что очень важно для импульсных и цифровых схем. Для быстродействия диодов необходимо уменьшить t_eocm и ^t_уст, кот опр-ся процессами накопления и рассасывания инжектированных нз. Практически быстродействия достигается t жизни неосновных нз и диффузионной емкости p-n перехода, а значение τ_вост снижают уменьшением толщины базы диодов.