42. Структура и работа бис озу статистического типа.

БИС ОЗУ могут иметь различную структуру. Под структурой понимается количество разрядов числа, которые могут одновременно записываться или считываться из БИС, а также ее информационная емкость. Так, если говорят, что структура БИС ОЗУ - 1024х1,то это означает, что БИС имеет один вход и один выход и может хранить 1024 бита информации. Такая структура называется одноразрядной. Подобные БИС были весьма распространены в начале развития МП техники. Однако есть и многоразрядные БИС, например, структуры 1024х4, что означает, что одновременно можно записать в БИС 4 разряда, а емкость БИС составляет 1024х4=4096 бит.

Принцип запоминания информации в ячейках памяти БИС также может быть различным. Существуют статические БИС ОЗУ. Элементом запоминания в них, который хранит информацию в таких ОЗУ, является триггер. Поэтому при включенном питании элемент памяти будет хранить информацию сколь угодно долго. Это позволяет упростить схемы управления записью-считыванием. Однако ячейки памяти такого вида занимают достаточно много места на кристалле, что не позволяет создавать БИС большой емкости. Кроме того, такие БИС потребляют сравнительно большую мощность.

- Другим принципом запоминания информации является динамический способ. Элементом памяти таких ОЗУ служит емкость, которая заряжается определенным образом при записи информации в данную ячейку. Однако со временем емкость разряжается, и информация из ячейки пропадает. Для исключения этого используют так называемую регенерацию ячеек памяти. Для этого не реже, например, одного раза в 2 мс на адресные входы БИС подается последовательность импульсов (т.е. происходит перебор адресов ячеек, но информация в них не записывается), емкости ячеек подзаряжаются и сохраняют свой заряд длительное время. Таким образом, требуется обеспечить этот перебор с помощью схем регенерации, что усложняет структуру модуля ОЗУ МПС. Однако размеры ячеек динамического ОЗУ существенно меньше размеров ячеек статического ОЗУ, и потребление мощности значительно ниже. Поэтому емкость БИС динамического ОЗУ гораздо больше, чем емкость БИС статического типа. Однако, недавно стали выпускать БИС, у которых схема регенерации помещена внутри самой БИС.

Н а рис. 3.2 показана структура и функциональное обозначение простейшей БИС статического типа К565РУ2. На выводы А₀...А₉ подается комбинация нулей и единиц, которая соответствует адресу выбранной ячейки. Структура БИС соответствует 1024х1,т.е. после подачи адреса на единственном выходе появляется информация в виде одного бита. Если на входе CS (выбор микросхемы) будет высокий логический уровень, то выход БИС будет находиться в третьем состоянии (состоянии высокого выходного импеданса), БИС будет как бы отключена и не будет оказывать никакого влияния на остальные БИС модуля памяти. Если CS = 0, то после подачи адреса на адресные входы, на выходе DO спустя определенное время (называемое временем цикла Т) появится информация из данной ячейки ОЗУ. При необходимости записать новую информацию в определенную ячейку нужно после подачи комбинации адреса подать на вход БИС R/W низкий логический уровень. Тогда информация с вывода DI запишется в данную ячейку.