
- •В. И. Сысун
- •Содержание.
- •Генераторы электрических колебаний.
- •Цифровые электронные устройства.
- •1.Элементы электронных устройств.
- •Электронные лампы.
- •1.1.1. Ламповый диод, триод, тетрод, пентод.
- •1.1.2. Некоторые лампы свч диапазона.
- •1.1.3. Газоразрядные приборы.
- •1.2. Полупроводниковые элементы.
- •1.2.1.Полупроводниковые диоды.
- •1.2.2. Биполярные транзисторы.
- •1.2.3.Тиристоры.
- •1.2.4.Полевые транзисторы.
- •1.2.5. Полупроводниковые приборы как элементы интегральных микросхем.
- •2.Трансформаторы.
- •2.1. Потери в трансформаторе.
- •Уравнение трансформатора, векторная диаграмма.
- •2.3. Ток холостого хода и напряжение короткого замыкания. Типичные параметры силовых трансформаторов.
- •3.Электрические машины.
- •3. 1. Электрические машины постоянного тока.
- •3.1.1. Устройство машины постоянного тока.
- •3.1.2. Режим – генератора.
- •3.1.3. Режим двигателя.
- •3.1.4. Внешние характеристики генераторов и двигателей.
- •3.1.5. Коллекторные двигатели переменного тока.
- •3.2. Синхронные электрические машины переменного тока.
- •Асинхронные машины (двигатели).
- •Выпрямители и инверторы промышленной частоты.
- •5. Электронные усилители.
- •5.1. Классификация и основные характеристики усилителей.
- •5.2. Принцип действия усилителя.
- •5.3. Обратная связь в усилителях.
- •5.3.1. Коэффициент усиления усилителя с обратной связью.
- •5.3.2. Особенности усилителя с отрицательной обратной связью.
- •5.4.Усилители постоянного тока.
- •Узкополосные (резонансные) усилители.
- •5.6.Усилители мощности.
- •5.7. Дифференциальный усилитель.
- •Операционные усилители.
- •Инвертирующий усилитель.
- •Неинвертирующий усилитель.
- •5.9. Шумы в усилителях.
- •6. Генераторы электрических колебаний.
- •6.1. Автогенератор в виде усилителя с положительной обратной связью.
- •6.3 Автогенератор в виде контура с отрицательным дифференциальным сопротивлением (туннельный диод).
- •6.4 Стабилизация частоты в автогенераторах.
- •6.5 Генераторы шумовых сигналов.
- •6.6. Генераторы релаксационных (импульсных) колебаний.
- •7. Цифровые электронные устройства.
- •7.1. Элементы цифровой логики.
- •7.2. Реализация сложных логических функций на интегральных микросхемах.
- •7.3. Упрощение логических выражений с помощью диаграмм Карно-Вейча.
- •7.4. Последовательные цифровые устройства.
- •7.5. Счётчики.
- •7.6. Регистры.
- •7.7. Комбинационные цифровые устройства.
- •7.8 Импульсные генераторы на цифровых микросхемах.
- •Список литературы.
- •185640, Петрозаводск, пр. Ленина, 33
5.6.Усилители мощности.
В усилителях мощности важное значение имеют коэффициент полезного действия, обеспечение максимальной мощности при существующих транзисторах и подавление высокочастотных гармоник в спектре выходного сигнала в нелинейных режимах работы.
Для уменьшения потерь мощности в коллекторную цепь вместо активного сопротивления ставится трансформатор с нагрузкой во вторичной нагрузке. Тогда в качестве коллекторного сопротивления играет роль сопротивление нагрузки, пересчитанное как квадрат коэффициента трансформации, чем достигается согласование нагрузки с усилителем. На рис. 5.16 (а) приведена схема однотактного каскада усилителя мощности.
Рис.5.16. Усилитель мощности:
(а) однотактный каскад, (б) двухтактный каскад.
КПД однотактного каскада в линейном режиме не может превышать 50 %, так как мощность в колебательном режиме равна половине произведения амплитуд тока и напряжения и не могут превосходить постоянных токов и напряжения источника питания.
На рис. 5.16 (б) приведена схема двухтактного фазоинверсного каскада, где один транзистор работает на одном полупериоде входного напряжения, второй транзистор - на другом полупериоде. Это позволяет сохранить линейность усиления при положениях рабочих точек транзисторов близком к нулю, что повышает КПД до 78.5 %. Каждый транзистор имеет половинную мощность нагрузки. Кроме тог, уровень нелинейных искажений в двухтактном усилителе мощности снижется благодаря компенсации четных гармоник, которые не суммируются, а вычитаются в плечах транзисторов.
5.7. Дифференциальный усилитель.
Дифференциальный усилитель (ДУ) предназначен для усиления разности двух сигналов и представляет собой балансную симметричную схему (рис. 5.17).
Рис. 5.17. Схема дифференциального усилителя.
Если схема полностью симметрична, то Uвых=Kp(Uвх2 – Uвх1), где Kp=K1=K2 – коэффициент усиления ДУ, K1 и K2 - коэффициенты усиления усилителей, т.е. пропорциональна разности входных сигналов. Однако реальные транзисторы не могут быть полностью одинаковыми и усилители в дифференциальном каскаде не полностью идентичны. Поэтому выходной сигнал зависит не только от разности, но от суммы входных сигналов. Действительно, пусть K1= K2 + Kс, тогда Uвых= K1Uвх1 – K2Uвх2 = Kp(Uвх2 – Uвх1) + Kс(Uвх2 + Uвх1), где Kp= K1 – Kс/2 = K2 + Kс/2, Kс = K1 – K2 – коэффициент усиления синфазного сигнала.
ДУ характеризуется коэффициентом подавления синфазного сигнала =Kp/ Kс, который должен быть большой (104105), и это не может быть обеспечено только идентичностью транзисторов. Высокие значения достигаются введением в схему большого общего эмиттерного сопротивления RЭ (рис.5.17).
Влияние RЭ на симметрию схемы может быть проанализировано следующим образом. По первому закону Кирхгофа сумма токов в цепях эмиттеров обоих транзисторов равны току через общее сопротивление RЭ (рис.5.17):
(5.18),
то есть для изменений этих токов, обусловленного подачей переменных входных сигналов на оба каскада, можно записать
(5.19).
Если общий ток IЭ меняется слабо, то iЭ1 -iЭ2 и изменения тока одного каскада приведено к противоположному изменению тока другого, т.е. транзисторы работают одновременно, что реализует полную симметрию схемы. В идеале IЭ = 0 при RЭ, т.е. цепь эмиттера разомкнута, но коэффициент усиления обоих каскадов при этом будет равен нулю. Таким образом, увеличение RЭ делает схему ДУ более симметричной, но при этом падает коэффициент усиления.
Часто вместо сопротивления RЭ в схему ДУ включают транзистор с сопротивлением в цепи своего эмиттера и постоянным питанием базы (рис.5.18). Эта замена позволяет при той же допустимой величине постоянного тока получить на 1-2 порядка большое сопротивление по переменному току.
Рис. 5.18. Замена активного сопротивления эмиттера на транзистор с постоянным питанием базы.
В настоящее время ДУ изготавливают в виде общей интегральной микросхемы, что кроме габаритных преимуществ, дает возможность создавать транзисторы по одинаковой технологии, располагая их близко к друг другу, с близкими параметрами.