- •Содержание
- •Введение
- •1. Основы зонной теории твердого тела
- •1.1. Электрофизические свойства полупроводников
- •1.2. Электронно-дырочный переход
- •1.3. Свойства pn-структуры при воздействии внешнего напряжения
- •1.4. Вольт-амперная характеристика рn-перехода
- •2. Полупроводниковые элементы автоматики
- •2.1. Полупроводниковые диоды
- •2.2. Биполярные транзисторы и схемы их включения
- •2.3. Тиристоры
- •3. Транзисторные усилители
- •3.1. Общая характеристика усилителей
- •3.2. Каскады усилителей низкой частоты
- •3.3. Амплитудно-частотная характеристика усилителя
- •3.4. Режимы работы каскада усилителей
- •3.5. Выходные каскады усилителей
- •3.6. Обратная связь в усилителях
- •3.7. Эмиттерный повторитель
- •3.8. Усилители постоянного тока
- •3.9. Дифференциальный каскад
- •4. Операционные и решающие усилители
- •5. Генераторы сигналов прямоугольной формы
- •6. Выпрямительные устройства
- •7. Сглаживающие фильтры
- •8. Тиристорные коммутаторы
- •9 Рис. 44 . Линейные компенсационные стабилизаторы напряжения
- •Заключение
- •Литература
3.2. Каскады усилителей низкой частоты
В усилителях на биполярных транзисторах используют, как правило, схему включения с общим эмиттером, обеспечивающую усиление как по напряжению, так и по току (рис. 20, а).
В схеме (рис. 20,
а)
резисторы
и
,
включенные между корпусом и точкой +ЕК
образуют делитель для напряжения
питания, часть которого, падающая на
,
создает напряжение UБЭр,
определяющее рабочую точку
р'
(рис. 20,
б). Сопротивления
делителя определяются из очевидных на
с
хеме
соотношений
Рис. 20. Схема усилительного каскада с общим эмиттером (а) и анализ его работы на входной (б) и выходных (в) характеристиках транзистора
Ток делителя выбирают в пределах IД(2-5)IБр. Чем больше Iд, тем стабильнее работает каскад, так как изменения токов IK и IЭ, а значит, и тока базы IБ= IK – IЭ незначительно влияют на величину напряжения смещения. В то же время не следует выбирать ток делителя слишком большим, потому что это снижает КПД каскада из-за потерь энергии в делителе.
Допустим сначала, что Uвх = 0. Под действием напряжения UБЭр через открытый РN-переход «эмиттер-база» протекает постоянный ток базы IБр. Разделительный конденсатор Cр1 не дает возможности постоянному току протекать через источник входного сигнала.
Транзистор открыт и находится в активной области. Его состояние определит точка р пересечения нагрузочной прямой, проведенной через точки EK и EK/RK, отсекаемые на осях (рис. 20, в), с характеристикой, соответствующей току IБр. Постоянный коллекторный ток IKp, создавая падение напряжения IKpRK, определит исходное напряжение между эмиттером и коллектором UКЭр. Так как через разделительный конденсатор Ср2 постоянное напряжение не проходит, выходное напряжение Uвых = 0. Рассмотренное состояние схемы называют режимом работы по постоянному току.
Пусть от источника входного сигнала поступает синусоидальное напряжение с амплитудой Uвхm. Под его действием согласно входной характеристике (рис. 20, б) появляется переменная составляющая базового тока, проходящая через конденсатор Сp1 по цепи: эмиттер-база-Ср1-источник сигнала, с амплитудой +IБm в положительный и –IБm в отрицательный полупериоды сигнала. Состояние коллекторной цепи транзистора изменяется и амплитуда коллекторного тока определится точками пересечения нагрузочной прямой с выходными характеристиками, соответствующими базовым токам IБр+IБm и IБр–IБm. Изменения коллекторного тока от IКр+IКm до IКр–IКm приводят к пульсации падения напряжения IКmRK и, следовательно, к пульсациям напряжения UКЭ с амплитудой UКЭm=EK – IКmRK. Через конденсатор Ср2 эти пульсации поступают на выход Uвых= UКЭm. Этот режим называют режимом работы по переменному току.
Из приведенных на характеристиках построений видно, что Uвхm 0,1 В, Uвхm 5 В, и, значит, коэффициент усиления по напряжению такого каскада k= Uвыхm/ Uвхm = 5/0,1 = 50.
Следует обратить внимание, что положительному полупериоду входного напряжения (когда UБэр+Uвхm) соответствует отрицательный полупериод выходного напряжения (т. е. UКэр–Uвыхm). Иначе говоря, между входным и выходным напряжениями существует сдвиг фаз, равный 180°. Для получения наименьших искажений усиливаемого сигнала рабочую точку р' следует располагать на середине линейного участка входной характеристики.
На рис. 20, а показана схема с фиксированным напряжением смещения. Она работает достаточно стабильно, но в ней изменения температуры вызывают «плавание» рабочей точки. Поэтому применяют различные способы термостабилизации режима работы транзисторных каскадов.
Напомним, что особенно сильно влияют изменения температуры на неуправляемый ток коллектора IK0 (он увеличивается в 2 раза при повышении температуры на каждые 10°).
Рис. 21. Схема термостабилизации режима транзисторного каскада с помощью эмиттерной RС-цепочки
Наиболее
распространена схема термостабилизации
с помощью
RЭСЭ
-цепочки (рис. 21), в которой навстречу
напряжению смещения
,
снимаемому с резистора
,
действует
напряжение,
возникающее на резисторе RЭ
от протекания по нему постоянной
составляющей тока эмиттера IЭ–.
При увеличении температуры возрастет
постоянная составляющая тока коллектора
IК–.
Так как IЭ–=
IК–+IБр,
то увеличение IК–
приведет к увеличению постоянной
составляющей тока IЭ–
и падения
напряжения RЭIЭ–
В результате напряжение UБЭ=
–
RЭIЭ–,
уменьшится, что приведет к уменьшению
тока базы IБр,
а следовательно, и тока
IК–,
стабилизируя
его. Для отвода от резистора RЭ
переменной составляющей тока эмиттера
IЭ~
включают шунтирующий конденсатор
СЭ
достаточно большой емкости (десятки
микрофарад), сопротивление которого
хС=1/2fCЭ
мало для переменного тока.
