Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
гелий неоновый лазер,,полная,,.doc
Скачиваний:
0
Добавлен:
01.03.2025
Размер:
65.02 Кб
Скачать

3817 Гелий-неоновый лазер

ВВЕДЕНИЕ

 

Гелий-неоновый лазер, созданный в конце 1960 г., явился первым газовым лазером. Его создатели А.Джаван, У.Беннет, Д.Харриот, используя смесь гелия и неона, возбуждаемую электрическим разрядом, получили генерацию на длине волны 1,15 мкм. Интерес к гелий-неоновому лазеру, а также вообще к газовым лазерам резко возрос после получения генерации в видимой области на длине волны 0,63 мкм. Число переходов между возбужденными электронными состояниями атомов неона, на которых получена генерация, к настоящему времени превысило 130. Тем не менее, лазеры на длине волны 0,63 мкм остаются до сих пор наиболее распространенными.

Гелий-неоновые лазеры относятся к категории маломощных излучателей. В зависимости от режима работы, конструкции и габаритов мощность излучения лазеров, выпускаемых промышленностью, составляет от десятых долей до десятков милливатт при КПД в пределах 0,001 - 0,1 %. Однако излучение этих лазеров по сравнению с лазерами других типов отличается наиболее высокой монохроматичностью, стабильностью частотных и пространственных характеристик. Поэтому, несмотря на небольшую мощность, гелий-неоновые лазеры нашли широкое применение в самых различных областях науки и техники, например в системах связи, интерферометрии, метрологии, спектроскопии и т.д.

 

Целью настоящей работы являются:

- ознакомление с принципом работы гелий-неонового лазера;

- исследование вольт-амперной характеристики разряда и зависимости мощности излучения от тока разряда;

- измерение коэффициента усиления активной среды.

 

 

1. Краткие теоретические сведения

1.1. Механизм возникновения инверсии населенностей

1.1.В гелий-неоновом лазере

1.1.

Для объяснения причин возникновения инверсии населенностей в гелий-неоновом лазере рассмотрим упрощенную схему нижних энергетических уровней атомов гелия и неона (рис.1). Стрелками на рисунке обозначены процессы заселения и расселения энергетических уровней, играющие основную роль в механизме создания инверсии населенностей.

В качестве верхних лазерных уровней атомов неона могут использоваться состояния 2s и 3s, в качестве нижних - 2p и 3p.

Каждому из s-состояний атомов неона соответствуют по 4 близко расположенных друг к другу энергетических подуровня (s2, s3, s4, s5). Состояния 2р и 3р содержат по 10 подуровней (р1, р2,...,р10). Наибольшие инверсии населенностей и соответственно мощности лазерного излучения достигаются на переходах a, b, c между уровнями 3s2-3p4, 3s2-2p4 и 2s2-2p4. Длины волн излучения при этом составляют: 3,39 мкм (a), 0,63 мкм (b) и 1,15 мкм (c).

 

В механизме создания инверсии населенностей между энергетическими уровнями указанных переходов определяющую роль играет гелий. Два нижних состояния 23S1 и 21S0 , на которые гелий может переходить в результате неупругих столкновений с быстрыми электронами ( стрелки А на рис.1), по величине энергии практически совпадают с верхними лазерными уровнями 2s2 и 3s2атомов неона.

В результате при соударениях возбужденных атомов гелия с атомами неона в основном состоянии происходит эффективная передача энергии от гелия неону по схеме:

 

He* + Ne = He + Ne* ± ΔE,                                     (1)

 

где ΔE – разность энергий состояний Не и Nе, которая идет на изменение их кинетической энергии.

Такой процесс передачи возбуждения, часто применяемый в газовых лазерах, имеет резонансный характер. Его вероятность максимальна при идеальном совпадении энергий (ΔE = 0) и резко убывает при возрастании ΔE. Передача возбуждения идет эффективно, пока ΔE  не превышает kT– среднего значения энергии теплового движения сталкивающихся частиц. Для указанных состояний He и Ne это условие практически выполняется. Исключительно важным является также и то, что уровни гелия легко возбуждаются при столкновениях с быстрыми электронами и являются метастабильными (оптические переходы с этих уровней в основное состояние запрещены, время жизни имеет величину порядка 10-3 с). В результате обеспечиваются высокая концентрация возбужденных атомов гелия и соответственно высокая населенность верхних рабочих уровней атомов неона.

Таким образом, наличие гелия в газовой смеси обеспечивает селективное заселение верхних рабочих уровней атомов неона (стрелки С на рис.1).

Верхние уровни 2s и 3s расселяются в результате излучательных переходов (a, b, c) в состояния 2р и 3р. Из этих состояний атомы неона излучательно переходят в состояние 1s (стрелки d, f). Наличие этого состояния  существенно влияет на условия создания инверсии населенностей, а в чистом неоне не позволяет получить инверсию, несмотря на благоприятное для её получения соотношение времен жизни верхних и нижних лазерных уровней (время жизни s уровней превышает время жизни p уровней).

Дело  в том, что излучательные переходы с уровней 1s3 и 1s5 в основное состояние запрещены правилами отбора. Излучение же при переходах с уровней 1s2 и 1s4 в основное состояние интенсивно поглощается из-за большой заселенности основного состояния. В результате такого "пленения излучения" эффективное время жизни состояния 1s и соответственно его населенность значительно возрастают. Расселение состояния 1s происходит в основном в результате столкновения атомов со стенками разрядной трубки.

Из-за большой населенности состояния 1s существенную роль в заселении нижних уровней 2р и 3р играют процессы их ступенчатого возбуждения (стрелкой В на рис.1 обозначен второй шаг ступенчатого перехода в состояние 2p через состояние 1s). Скорость ступенчатого заселения этих уровней пропорциональна концентрации электронов и концентрации атомов неона в состоянии 1s, которая в свою очередь также возрастает с увеличением концентрации электронов. Поэтому при увеличении тока разряда  скорость ступенчатого возбуждения возрастает примерно пропорционально квадрату тока, существенно быстрее, чем скорость заселения верхних уровней, которая примерно пропорциональна величине тока.

В результате при некотором значении тока скорость заселения нижних уровней превысит скорость заселения верхних уровней и инверсия наcеленностей и соответственно мощность лазерного излучения, достигнув максимальных значений, начнут уменьшаться.