1. Без навесных элементов могут быть изготовлены микросхемы -совмещенные -полупроводниковые

2. Биполярный транзистор состоит обычно из взаимодействующих двух p-n-переходов

3. В активном режиме в переходах биполярного транзистора происходят следующие процессы инжекция основных носителей заряда - через эмиттерный переход

экстракция неосновных носителей заряда - через коллекторный переход

4. В активном режиме переходы биполярного транзистора смещены

коллекторный в обратном направлении эмиттерный в прямом направлении

5. В активном режиме у биполярного транзистора

п ереход коллектор-база закрыт, переход эмиттер-база открыт

6. В активном режиме электрическое поле обратно смещенного коллекторного перехода является ускоряющим для.. неосновных носителей базы

7. В инверсном режиме у биполярного транзистора

переход коллектор-база открыт, переход эмиттер-база закрыт

8. В качестве приемников излучения в оптроне используются

–фототранзисторы -фоторезисторы

9. В оптроне происходят следующие преобразования энергии:

электрическая в световую - световая в электрическую

10. В оптронной паре в качестве излучателей используются электронные приборы

-инфракрасный диод -лазерный диод -светоизлучающий диод

11. В полевом транзисторе можно выделить: сток, затвор, исток, канал

12. В полупроводниковом индикаторе на основе светодиодов происходят следующие преобразования энергии электрическая - в энергию некогерентного светового излучения

13. В режиме насыщения переходы биполярного транзистора смещены

коллекторный в прямом направлении эмиттерный в прямом направлении

14. В режиме насыщения у биполярного транзистора оба p-n-перехода открыты

15. В режиме отсечки переходы биполярного n-p-n-транзистора смещены

коллекторный в обратном направленииэмиттерный в обратном направлении

16. В режиме отсечки у биполярного транзистора оба p-n-перехода закрыты

17. В схеме электронного ключа (в цифровых схемах) биполярный транзистор может находиться в режиме отсечки режиме насыщения

18. В усилительных устройствах отношение выходного сигнала к входному называют коэффициентом усиления

19. В фотодиоде происходят следующие преобразования энергии световая в электрическую

20. В фототранзисторе происходят следующие преобразования энергии: световая в электрическую

21. Варикап – это полупроводниковый диод, ...ёмкость которого зависит от приложенного напряжения

22. Варикап включается в обратном направлении

23. В строенным называется такой канал в полевых транзисторах, который

создан в исходной пластине кремния с помощью диффузионной технологии

24. Вывод биполярного транзистора, обозначенного цифрой «1», называется коллектор

25. В ывод биполярного транзистора, обозначенного цифрой «2», эмиттер

26. Вывод диода, помеченный цифрой "1" называется 1 анод 2 катод

27. Вывод полевого транзистора, к которому движутся основные носители заряда в канале, называется сток

28. Вывод полевого транзистора, к которому прикладывают управляющее напряжение, называется затвор

29. В ывод полевого транзистора, от которого начинают движение основные носители заряда в канале, называется исток

30. Выводы биполярного транзистора называются Коллектор база эмиттер

31. Выводы полевого транзистора называются Сток затвор исток

32. Выпрямительный диод предназначен

для преобразования двухполярных сигналов в однополярные

33. Высокое входное сопротивление полевого транзистора с управляющим р-n-переходом обусловлено обратно смещенным p-n-переходом затвор-канал

34. Гибридная интегральная микросхема – это микросхема, …пассивные элементы которой делают, как правило, пленочными, а активные – навесными

35. Гибридными называют микросхемы, в которых используются

тонкие и толстые пленки

пассивные и активные элементы

пленочные элементы и навесные компоненты

диэлектрические подложки

36. Дифференциальный усилитель – это усилитель усиливающий только противофазный (разностный) сигнал

37. Дифференциальный усилитель имеет два входа и два выхода

38. Для определения параметров биполярного транзистора наиболее применима система H-параметров

39. Для схемы диодного включения транзистора, изображенной на рисунке, напряжение пробоя составляет 5-8 В

40. Для схемы диодного включения транзистора, изображенной на рисунке, напряжение пробоя составляет 20-50 В

41. Для схемы диодного включения транзистора, изображенной на рисунке, напряжение пробоя составляет 20-50 В

42. Для схемы диодного включения транзистора, изображенной на рисунке, напряжение пробоя составляет 5-8 В

43. Зависимость модуля коэффициента усиления от частоты входного сигнала в усилительных устройствах называется АЧХ

44. Зависимость угла сдвига фазы между выходным и входным напряжением от частоты в усилительных устройствах называется ФЧХ

45. Индуцированным называется канал в полевых транзисторах, который образован благодаря притоку неосновных носителей заряда из полупроводниковой пластины при приложении к затвору напряжения относительно истока

46. Инжекция носителей в биполярном транзисторе типа p-n-p в активном режиме, это перемещение дырок из эмиттера в базу

47. К схеме, представленной на рисунке, предъявляются следующие требования параметры транзисторов должны быть одинаковы

параметры резисторов должны быть одинаковы

48. Конструкция индикатора, позволяющая воспроизводить все буквы алфавита, называется матричной

49. Коэффициент усиления в данной схеме равен К=1

50. Коэффициент усиления по мощности Kp биполярного транзистора

во всех схемах включения больше единицы

51. Коэффициент усиления по мощности усилителя Кp равен 1000. В логарифмических единицах – децибелах - это 30 дБ

52. Коэффициент усиления по напряжению схемы, построенной на операционном усилителе, определяется следующим выражением:

Укажите номер этой схемы 2

53. Коэффициент усиления по напряжению усилителя Кu равен 10. В логарифмических единицах – децибелах - это 20 дБ

54. Коэффициент усиления по току усилителя Кi равен 100. В логарифмических единицах – децибелах - это 40 дБ

55. Краткая характеристика схемы, представленной на рисунке (тип транзистора, схема включения, режим работы).

транзистор n-p-n-типа

в схеме с общим эмиттером

в инверсном режиме

56. Краткая характеристика схемы, представленной на рисунке (тип транзистора, схема включения, режим работы).

транзистор n-p-n-типа

в схеме с общим эмиттером

в активном режиме

57. Легирование – это введение необходимых примесей в монокристаллический полупроводник

58. МДП-транзисторы подразделяются на

транзисторы с индуцированным каналом

транзисторы со встроенным каналом

59. Методом вакуумного испарения в присутствии кислорода окисляют кремний с целью получения пленки двуокиси кремния

60. Н а вольт-амперных характеристиках биполярного транзистора обозначена рабочая точка «А». В А-насыщение

B-активный

С-отсечка

61. На вход схемы, представленной на рисунке, подается входной сигнал заданной формы. на выходе -sin

62. На вход схемы, представленной на рисунке, подается входной сигнал заданной формы. на выходе

63. На вход схемы, представленной на рисунке, подается входной сигнал заданной формы. на выходе

64. На рисунке изображены выходные характеристики

МДП транзистора со встроенным каналом

65. На рисунке изображены выходные характеристики

полевого транзистора с управляющим p-n-переходом

66. Н аибольший коэффициент усиления по мощности (Kp) дает схема включения биполярного транзистора с общим эмиттером

67. Найдите соответствие между типом биполярного транзистора и его условным графическим обозначением n-p-n p-n-p

68. Найдите соответствующие названия зависимостям семейств вольт-амперных характеристик биполярного транзистора.

7 входные характеристики схемы с общим эмиттером

9 входные характеристики схемы с общим коллектором

8 входные характеристики схемы с общей базой

10 выходные характеристики схемы с общим эмиттером

12 выходные характеристики схемы с общим коллектором

11 выходные характеристики схемы с общей базой

69. Напряжение на выходе связано с входным следующим соотношением:

70. Не дает усиления по напряжению (Ku<=1) схема включения биполярного транзистора с

общим коллектором

71. Не дает усиления по току (Ki<=1) схема включения биполярного транзистора с общей базой

72. Операционный усилитель имеет большое входное сопротивление, так как на его входе включен дифференциальный усилитель

73. Операционный усилитель два входа и один выход

74. Оптоэлектронный прибор – это устройство

для преобразования электрического сигнала в оптический и обратно

75. Основной режим работы биполярного транзистора в усилительных устройствах (в аналоговых микросхемах) активный режим

76. Основными условиями для обеспечения усилительных свойств биполярного транзистора являются: толщина базы должна быть мала концентрация основных носителей в базе мала по сравнению с эмиттером и коллектором площадь коллекторного p-n-перехода больше площади эмиттерного

77. Основой для изготовления полупроводниковых интегральных микросхем, как правило, является кремний

78. h11- входное сопротивление

79. h12 -коэффициент обратной связи по напряжению

80. h21- коэффициент передачи по току

81. h22 -выходную проводимость

82. По виду обрабатываемого сигнала интегральные схемы подразделяются на аналоговые и цифровые

83. По каналу полевого транзистора протекает ток основных носителей

84. Подложки гибридных интегральных схем служат диэлектрическим и механическим основанием для пленочных и навесных элементов, а так же для теплоотвода

85. Полевой транзистор – это полупроводниковый прибор, …усилительные свойства которого обусловлены потоком основных носителей, протекающим через проводящий канал и управляемым электрическим полем

86. Полевые транзисторы управляются напряжением

87. Полупроводниковая интегральная микросхема – это микросхема, ... в которой все элементы выполнены в объеме, а межэлементные соединения на поверхности полупроводника

88. Полупроводниковый прибор, обладающий способностью проводить электрический ток при освещении p-n-перехода, называется фотодиод

89. Полупроводниковый прибор, работа которого основана на модуляции сопротивления полупроводникового материала поперечным электрическим полем, называется полевой транзистор

90. Полупроводниковыми называют микросхемы, в которых используются пассивные и активные элементы полупроводниковые подложки элементы, выполненные в глубине подложки на основе структур транзисторов

91. Простейший дифференциальный усилитель состоит из двух транзисторов

92. Р ешите задачу. Коэффициент передачи по напряжению Кu=20, по току Ki=5. Коэффициент передачи по мощности Кр усилителя в децибелах составит 20 дБ

93. Решите задачу. Определить выходное напряжение и коэффициент усиления инвертирующего усилителя, если R1=1 кОм, R=10 кОм, Uвх=0,5 В.Кuос = 10; Uвых = -5 В

94. С введением отрицательной обратной связи (ООС) полоса пропускания многокаскадного усилителя увеличивается

95. С введением отрицательной обратной связи (ООС) коэффициент усиления К операционного усилителя уменьшается

96. С введением положительной обратной связи (ПОС) полоса пропускания многокаскадного усилителя уменьшается

97. Светодиод может излучать свет в прямом включении

98. Совмещенная интегральная микросхема – это микросхема, …пассивные элементы которой делают пленочными, а активные в глубине полупроводникового кристалла

99. Стабилитрон – это полупроводниковый диод, работающий в режиме электрического пробоя

100. Стабилитрон включается в обратном направлении

101. Стабилитрон работает в режиме туннельного пробоя лавинного пробоя

102. Стабистор включается в прямом направлении

103. Схема построена на операционном усилителе.

104. Схема построена на операционном усилителе.

Напряжение на выходе связано с входным следующим соотношением

105. Схема построена на операционном усилителе. Напряжение на выходе связано с входным следующим соотношением:

106. Схема построена на операционном усилителе.

Напряжение на выходе связано с входным следующим соотношением: