
- •4 Оглавление
- •Глава1.Температурныеполявтермическихсенсорах........................ 17
- •Глава2.Термочувствительныеэлементы 105
- •Глава3.Примерыпрактическойреализациитермическихсенсоров
- •Глава4.Взаимодействиеизлученияствердымтелом 183
- •Глава5.Фотоэлектрическиеприемникиизлучения.Определения
- •Глава6.Равновесныеинеравновесныеносители заряда 271
- •Глава7.Физическиеосновыработыфотонныхприемниковизлу-
- •Глава8.Основныенаправленияразвитиятехникирегистрацииоптическогоизлучения 411
- •Теплотаитемпература
- •Способы теплопередачи:теплопроводность
- •Уравнениетеплопроводности
- •Теплопроводностьгазов
- •Теплопроводностьитеплоемкостьтвердыхтел
- •Теплопроводностьжидкостей
- •1.3.Радиационныйспособтеплопередачи
- •Основныепонятияизаконы
- •Радиационныйтеплообменмеждутвердымителами,
- •Теплообменмеждудвумятелами,одноизкоторыхнаходится
- •Конвективныйтеплообмен
- •Основныеособенностиконвективноготеплообмена
- •Основныеуравненияконвективноготеплообмена
- •Критериитеорииподобия
- •Вынужденнаяконвекциядляплоскойповерхности
- •Теплообменвусловияхестественнойконвекции
- •Естественнаяконвекция
- •Примеррасчетаконвективноготеплообмена
- •Cтационарныетемпературныеполявэлементахтермическихсенсоровиактюаторов
- •Распределениетемпературы
- •Передачатеплачерезстенку
- •Электростатическаяаналогияуравнениятеплопроводности
- •Тепловоесопротивлениесоставнойтеплопроводящейпла-стины.
- •Параллельное соединение двух разнородных тепловых
- •Температурноеполевинтегральнойконсольнойбалочке
- •Стационарноетемпературноеполевкруглойдиафрагме
- •Однородныйнагрев
- •Точечныйисточниктепла
- •Температурнаядинамикаэлементовтермическихсенсоров
- •Решениенаосновеэлектростатическойаналогии
- •Аналитическоерешениедлятеплообмена
- •2.1.ТермочувствительныеэлементынаосновеэффектАтермоЭдс
- •Физическиепроцессывтермопарах
- •ОбъемныесоставляющиетермоЭдс
- •КонтактнаясоставляющаятермоЭдс
- •2.1.2.Эффекттермоэдсвметаллахиполупроводниках
- •Термоэлектрическиеэффектыпельтьеитомсона
- •Терморезисторы
- •Металлическиетерморезисторы
- •Кремниевыетерморезисторы
- •Транзисторы
- •Термисторы
- •Термическийвакуумметр
- •Термическиесенсорыпотокагаза
- •Термоанемометры
- •Термоанемометрыснагревателемизполикристаллическогокремния
- •Термическийсенсор,чувствительныйкнаправлениюпотока
- •VXSxuxSxucos;
- •Термическийконверторсреднеквадратичногозначениянапряжения
- •Биморфныйтермомеханическийактюатор
- •Взаимодействиеизлучениясполупроводниками
- •Уравнениямаксвелла
- •Отражениеэлектромагнитногоизлученияотграницыразделадвухсред
- •Зависимостьоптическихконстантотчастоты
- •Интерференция.Просветляющиепокрытия
- •Поглощениевполупроводниках
- •Механизмыпоглощениясветавполупроводниках
- •Собственноепоглощение.Прямыепереходы
- •СобственноепоглощениеНепрямыепереходы
- •Экситонноепоглощение
- •Примесноепоглощение
- •Внутризонноепоглощение
- •Поглощениесвободныминосителямизаряда
- •Решеточноепоглощение
- •Приемникиизлучения
- •Поотношениюксопротивлениюнагрузки:
- •Методыизмеренияпараметровфотоэлектрическихполупроводниковыхприемников
- •0,1Fрезfэкв0,2fрез,
- •Энергетическиехарактеристикиизлучения
- •IbAcos.
- •IBdAcos,
- •Мощностьиспектральныйсоставизлученияабсолютночерныхтел
- •Энергетическийисветовойпотокиизлучения
- •Цветовоезрение
- •Xyz(условныеобозначениясм.Нарис.5.18):
- •Приемцветногоизображенияприпомощиприемников
- •650Нмсераялиния
- •Равновесныеинеравновесныеносителизаряда
- •Равновесныеносителизарядавполупроводниках
- •Неравновесныеносителизарядаквазиуровеньферми
- •Рекомбинацияносителейзарядавремяжизни
- •1Nстt
- •Механизмырекомбинации
- •Излучательнаярекомбинация
- •Imax 2g
- •Межзоннаяоже-рекомбинация
- •Рекомбинациячерезлокальныецентры
- •Поверхностнаярекомбинация
- •Распределениенеравновесныхносителейзаряда
- •Уравнениянепрерывностидляэлектроновидырок
- •Диффузионноеуравнение
- •Лавинныефотодиоды
- •Фотосопротивления
- •Фотоприемникинаосновеструктурметалл–диэлектрик–полупроводник
- •Приповерхностныеобластипространственногозаряда
- •10 Blip 10
- •Целипримененияоптическихсистемиихстроение
- •Болометрическиематрицы
- •Принципдействияихарактеристикитепловыхприемниковизлучения
- •Параметрытпи
- •Болометры
- •Линейчатыеиматричные
- •Составипринципработыизмерительногостенда
- •–Осьлинейкифотоприемников(лфп)иЛфпу;
- •Характеристикилинейчатыхфотоприемныхустройств
- •Тепловизионныематрицы
- •Линейчатыеиматричныепзи-приемникиизображениянаосновеInAs
- •Преобразованиесветовогопотокавцифровуюинформацию
- •Оцифровываниесигнала
- •Приборы,отображающиеоптическуюинформацию
- •ВикторАлексеевичГридчин,ИгорьГеоргиевичНеизвестный,ВладимирНиколаевичШумский физикамикросистем
- •Часть2Учебноепособие
- •630092,Г.Новосибирск,пр.К.Маркса,20
Характеристикилинейчатыхфотоприемныхустройств
ИзмерениехарактеристикЛФПУпроводилосьнахолодномстендевтрехтемпературныхинтервалах:Т=4,2…6К,Т=10…12К,Т=14…16К.ПримерспектральнойзависимостичувствительностиЛФПУпритемпературеТ=6Кпоказаннарис.8.15.
100
S/Smax
10–1
10–2
10–3
141516171819202122
Длинаволны,мкм
Рис.8.15.СпектральнаязависимостьчувствительногоэлементаЛФПУ
ОбластьчувствительностиЛФПУраспространяетсядо20…22мкм.Зависимостьполученаввакуумномоптическомкриостатесиспользо-ваниемотрезающегоохлаждаемогофильтраизPb0,79Sn0,21Teтолщиной1ммсцельюсниженияуровняфоновойзасветки.Указаннаяспект-ральнаязависимостьснятапринеконтролируемойфоновойзасветке,
котораянамногопорядковвеличиныпревышаетфонвхолодномстенде.ПоэтомуреальнаяспектральнаяхарактеристикаЛФПУвусло-виях,соответствующихусловиямвстенде,можетотличатьсяотпри-веденнойнарисунке.
Абсолютныезначенияшумовичувствительностиэлементов
ЛФПУразличныдлятемператур,указанныхвыше.Вместестемраз-броспараметровотдельныхэлементовЛФПУимеетсходныйхарактервовсехиспользованныхтемпературныхинтервалах.
Вкачествеиллюстрацииорганизацииопросавходныхячеекмуль-
типлексора,обработкисигналаиеговиданавыходеУУКОСна
рис.8.16данафотографияосциллограммывыходногосигналаблокауправлениямультиплексорамидляодногоизмультиплексоровЛФПУприрабочейтемпературеТ=14К.Заслонкаизлучателяоткрыта.Диа-метрвыходнойдиафрагмыравен0,3мм.Температураизлучателярав-наТ=300К.
Элемент№64
Элемент№64
Элемент№1
100мкс 0,2В
Элемент№1
Рис.8.16.Фотографияосциллограммывыходногосигна-ласодногоизканаловприТ=14 Киоткрытойзаслонкеизлучателя,имеющеготемпературуТ=300 К
Каждаяиз«полочек»наосциллограммесоответствуетоднойизвходныхячеекмультиплексора.ДлядальнейшейобработкисигналаиспользуетсявстроенныйвперсональныйкомпьютерАЦП.АЦПсин-хронизовансУУКОСтак,чтозначениевыходногонапряжениядлякаждойизвходныхячеекмультиплексорасчитываетсясосреднейчас-ти«полочки».Нарисункевидныдванеработающихэлементавначале
ивконцефрагментаЛФПУ.Поначальномуиконечномуучасткамос-циллограммыхорошовиднапериодичностьопросавходовмультип-лексораблокомУУКОСчерез1мс.Хорошовиднотакже,чторазбросамплитудсигналаприосвещенииуработающихэлементовневелик.
Уровеньсигналапризакрытойзаслонкеизлучателя(темновойуро-
вень)непоказан,ноунеготакжеимеетсяотносительныйразбросам-плитудотэлементакэлементу,похарактерусхожийсприведеннымнаосциллограмме.
Нарис.8.17показаназависимостьотномераэлементавыходного
фотосигнала,т.е.разностивыходногосигналаприоткрытойизакры-
тойзаслонкеизлучателя,длядругогомультиплексора.Сигналоциф-ровывалсяАЦПиобрабатывалсясиспользованиемперсональногокомпьютера.УданногофрагментаЛФПУнеработающиеэлементыотсутствуют,аразбросчувствительностиэлементовЛФПУприис-пользованныхрежимахизмерениянаходитсявпределах20%.
Выходноенапряжение,В

1
1 Номерэлемента 64
Рис.8.17.Зависимостьвыходногофотосигналаскоммутатораотномераэлемента:
относительныйразброснапряжениясоответствуетотно-сительномуразбросучувствительностидлякаждогоизэлементовданногофрагментаЛФПУ;Т=10,4К;напря-жениесмещениянафоторезисторахUс=2,2В;темпера-
тураполостиизлучателяТАЧТ=250К
Нарис.8.18даназависимостьнарастанияиспадафотосигналаотвременидляодногоизэлементовЛФПУприразныхтемпературахпо-лостиизлучателяитемпературеизмеренийТ=4,3К.ПрипроведенииэтихизмеренийрежимработыАЦПиУУКОСсинхронизировалсятак,чтопроизводиласьоцифровкавыходногосигналатолькосотдельноговыбранногоэлементаспериодичностью1мс.Напряжениесмещения
нафоторезистореразличнодляразныхтемпературизлучателя.Изри-сункавидно,чтохарактерноевремянарастанияиспадафотосигналаприоткрытииизакрытиизаслонкиизлучателяувеличиваетсяприснижениитемпературыизлучателя,чтосоответствуетуменьшениюосвещенностифоточувствительныхплощадокЛФПУ.
Выходноенапряжение,В

1с 2 1с
1
1В
3
Время,с
Рис.8.18.ЗависимостьвыходногосигналаотвременидляодногоизэлементовЛФПУприТ=4,3Киразличныхтемпературахизлучателя:
1–ТАЧТ=77К;2–ТАЧТ=250К;3–ТАЧТ=300К
Послевыключенияосвещениядажеприбольшихуровняхосве-щенностивследзаучасткомбыстрогоспадафотосигналаимеетсяне-большаядолговременная«подставка».ПриэтомхарактерноевремядляучастковбыстрогонарастанияиспадафотосигналаменяетсяотнесколькихсотыхдолейсекундыприТАЧТ=300Кдонесколькихсе-кундприТАЧТ=77К.
Нетолькопостояннаявремени,ноичувствительностьотдельных
элементовлинейкизависитоттемпературыизлучателя.Нарис.8.19
показаназависимостьампер-ваттнойчувствительностичувствительно-гоэлемента,приведеннаяквходумультиплексора.Величинавходногофототокарассчитываласьповеличинеизмеряемогонапряженияирас-четнойемкостиполевогоэлектродаключаТр1нарис.8.12,котораясоставила10–11Ф.
ПроведенныетестовыеизмеренияшумовотдельныхячееквходныхмультиплексоровпригелиевойтемпературедализначенияшумаUшум210–14АГц–0,5.
Sинт,А/Вт
*
105
104
T=4,3К
100 150 200 250 300
ТемператураАЧТ,К
Рис.8.19.ЗависимостьприведеннойковходумультиплексоратоковойчувствительностиодногоизэлементовЛФПоттемпературыизлучателя:
зависимостиснятыпринеизменномнапряжениисмеще-нияначувствительномэлементеUсм=2,2Вдлявсех
температурАЧТ
Такимобразом,максимальноезначениетоковойчувствительностиоколоSmax=2105А/Втисобственныйшуммультиплексорадаютми-нимальныйпределдляпороговоймощностишумаоколоМЭШ=
=110–19ВтГц0,5.Реальноэтавеличинанесколькобольшевзависимо-стиотрабочейтемпературыиуровняосвещенности.Этосвязаносна-
личиемсобственногошумафотоприемныхэлементов,снелинейно-стьюихчувствительности,атакжесзависимостьюобоихэтихпараметровоттемпературы.Экспериментальныеданныепомощности,эквивалентнойшуму–МЭШ,ипочувствительностиэлементоводногоизфрагментовЛФПУвсоставекремниевогомультиплексораи64-элементнойлинейкиприведенынарис.8.20.
Изэтихданныхвидно,чтопримерно85%элементовфрагмента
ЛФПУимеютМЭШменее10–18,310–18и510–17Вт/Гц0,5прирабочей
температуре7,10и15Ксоответственно.Изрис.8.20,вследует,что
достигнутыепараметрынеявляютсяпредельными,таккакотдельныеэлементыЛФПУприТ=7КимеютМЭШменее510–19Вт/Гц0,5.
ТаккакплощадьфотоприемнойплощадкичувствительногоэлементаЛФПУсоставляетА=10–4см2,товеличинаМЭШ,равная
Количествоэлементов,%
100
80
60
40
20
100
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Количествоэлементов,%

60
40
20
100
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Количествоэлементов,%




60
40
20
0
024681012
–17 0,5
МЭШ,10 Вт/Гц
0
1234567
–18 0,5
М ЭШ,10 Вт/Гц
0
010203040506070
–19 0,5
МЭШ,10 Вт/Гц
а б в
Рис.8. 20.ЗависимостьколичестваэлементовфрагментаЛФПУотмощности,эквивалентнойшуму:
поосиординатотложенадоляэлементов,МЭШкоторыхменьшевеличины,указаннойнаосиабсцисс;рабочаятемператураЛФПУравна,К:а–Т=15,б–Т=10,в–Т=7;температураполостиизлучателяравна,К:а–ТАЧТ=130,б–ТАЧТ=100,в–ТАЧТ=78
10–18Вт/Гц0,5,соответствуетобнаружительнойспособностиD*=
=1016смГц0,5,чтовпринципереализуетсятольковусловияхнизкогофонадляуказанногоспектральногодиапазона.
РазбросэлементовЛФПУпочувствительностидостаточновысок.Темнеменееонтипичендляфотоприемникованалогичноготипа.Повсейвидимости,разброспараметровЛФПУопределяетсякакнеодно-родностямиисходныхмонокристалловBaF2ивыращенныхнанихпленокСОТ,такиразбросомхарактеристикотдельныхячеекмульти-плексоров.Так,некотороеизменениережимовработысхемысчитыва-нияможетвестикизменениюнетолькопороговыххарактеристикЛФПУ,ноиформыраспределенияМЭШичувствительностипоэле-ментам.Этохорошовидноизрис.8.21,накоторомприведеныданные,аналогичныеприведеннымнарис.8.20,носнесколькоизмененнымипостоянныминапряжениями,управляющимимультиплексором.
Изрис.8.21видно,чтопринекоторомувеличениисреднейчувст-
вительностикардинальноизменилосьеераспределениепоэлементамисреднеквадратичноеотклонениечувствительностисоставиловдан-номслучае45%.
Такимобразом,представляется,чтоуописаннойтехнологии
ЛФПУимеютсярезервыкаквуменьшенииМЭШ,такивувеличении
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
||
|
|||||||
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|


25
Количествоэлементов,%
80
Количествоэлементов,%
2060
15
40
10
20
5
0
0 5 10 15 20 25
–19 0,5
МЭШ,10 Вт/Гц
0
0 10 20 30 40 50
Чувствительность,1014В/Вт
а б
Рис.8.21.РаспределениеМЭШ(а)ичувствительностипоэлементам(б)притемпературеЛФПУТ=7К,ноизмененныхзначенияхпостоянныхнапряженийУУКОСпосравнениюсрис.8.20;среднеквадратичноеоткло-
нениечувствительностисоставляет45 %
однородностиэлементовпочувствительностизасчетиспользованияболееоднородныхисходныхподложекфтористогобарияилизаменыих,например,накремний,атакжезасчетулучшенияоднородностихарактеристиквходныхячеекмультиплексоров.
Посколькуфоточувствительныеэлементывданномслучаеполно-
стьюэлектрическиизолированыдруготдруга,тооптоэлектроннаясвязь
междунимисведенакминимумуиопределяетсявосновномбликами(вторичнымотражениемрегистрируемогоизлучения)внутриконструк-ции,вкоторойразмещаетсяФПУ.Некоторыеограничениявиспользо-ванииразработанногоЛФПУмогутбытьсвязанывосновномсдоволь-нобольшимипостояннымивремени,особенно–прималыхуровняхосвещенияфотоприемныхплощадок.Вместестемтакиеограничениянепринципиальны.Влитературеимеютсясведения,чтозадержаннаяфотопроводимостьвСОТ<In>можетбыть«погашена»различнымиспособами,втомчисле–приложениемкфоточувствительнымэлемен-тамнакороткоевремядостаточносильногоэлектрическогополя,соот-ветствующегоприразмерахфотоприемныхплощадокпорядка100мкм2
напряжениюоколо20В.ТогдаснижениеинерционностиЛФПУтехни-ческилегкорешаетсяпутемнезначительноймодификацииконструкциимультиплексоровиблокауправления.
Кромеэтого,требованиякинерционности(быстродействию)от-дельныхэлементов,какправило,снижаютсявЛФПУсбольшимчис-ломэлементов.Вчастности,вматричныхФПУбольшогоформататребованиякбыстродействиюфотоприемниковопределяютсячасто-тойкадров,типичноезначениекоторойобычнолежитвдиапазонеотдолейсекундыдонесколькихсекунд.
МАТРИЧНЫЕФОТОПРИЕМНИКИНАОСНОВЕСОТ<IN>
ВосновуконструкцииМФПУположеныпринципы,аналогичныеиспользованнымвконструкцииЛФПУ.Примененатакжеибольшаячастьтехнологическихприемов,использованныхприсозданииЛФПУ.ЗабазовыйвариантматрицыФПУбылавыбранасхема,вкоторойосуществляетсянепараллельнаяадресацияккаждомуизэлементовсприменениемтехнологиифлип-чип,аадресацияпострокамистолб-цамчувствительныхэлементов.Причинойтакоговыборапослужили
следующиесоображения.
Во-первых,притакомподходевМФПУиспользуютсядвасравни-тельнопростых«линейчатых»мультиплексора,анематричныймуль-типлексорразмерностью6464элементаибольшесбольшойстепе-ньюсложности.Технологиялинейчатыхмультиплексоровхорошоосвоена,эффективноиспользованаприсозданииЛФПУиобеспечива-етвысокийпроцентвыходагодныхмультиплексоровкакприизготов-лении,такипримонтажеФПУ.
Во-вторых,саматехнологияфлип-чип,т.е.подсоединениеМФПкматричномумультиплексорувперевернутомположениичерезиндие-выестолбы,сложна,требуетпрецизионногопозиционированиясис-пользованиеминфракрасныхмикроскопов,атакжесоблюдениядоста-точножесткихусловийпоудельномудавлениювместахсоединений,длятогочтобыизбежатьухудшенияхарактеристикфотоприемных
элементов.ВцеломжеособенноститакойтехнологииприводяткуменьшениювыходагодныхМФПУ.
Выборадресациипострокамистолбцампозволилиспользовать
отработаннуюнаЛФПУтехнологиюиосуществитьсборкуМФПУводнойплоскостисиспользованиемметаллизированныхполиимидных
шлейфов.КакивслучаеЛФПУ,освещениефотоприемныхплощадоквэтомслучаепроизводитсясосторонысвободнойповерхности,анесостороныподложкиизфтористогобария,длинноволновойкрайпро-пусканиякоторогоограниченпримерно14…16мкм.Использованиеотработаннойтехнологиисосвободнымдоступомкместамсоедине-нийикповерхностимультиплексоров,икповерхностиМФПпозволя-етудешевитьразработкуиизготовлениеМФПУзасчетувеличенияпроцентавыходагодных.ЭтодостигаетсяблагодаряболеепростомумонтажуивозможностиисправлениядефектовотдельныхсоединенийнаразличныхэтапахсборкиМФПУ.
Необходимоотметить,чтовозможностьиспользованияуказаннойсхемысборкиМФПУпринципиальнообусловленаиспользованием
изолирующейподложки.Еереализациянапроводящихподложкахпредставляетсякрайнепроблематичной.
Кнедостаткамсхемысадресациейпострокамистолбцамможноотнестименьшеевремянакоплениясигналавячейкемультиплексора,котороепримерносоответствуетвремениобращенияУУКОСкот-дельнойстроке,анеполномувременипросмотракадра,каквМФПУспараллельнойадресацией.ВэтомслучаенеизбежнопринципиальноеограничениепороговыххарактеристикМФПУ,которыесоответствуютхарактеристикамЛФПУстакимжеразмеромстроки.Выигрышза-ключаетсяглавнымобразомвотсутствиимеханическогосканированияприформированиикадра.
ПринципиальнаясхемакомпоновкиМФПУсадресациейкфото-
чувствительнымэлементампострокамистолбцамдананарис.8.22.
Вовремясчитыванияфотосигналасвыделеннойстрокигоризонталь-
ныммультиплексором1нанеечерезсоответствующуюгоризонтальнуюшинумультиплексорастолбцов2подаетсянапряжениесмещения.Ос-тальныестрокичерезэтотжемультиплексорзакороченыназемлю.
Рис.8.22.СхемакомпоновкиМФПУсадресациейкфоточувствительным
1 элементампострокамистолбцам:
–строчный(основной)коммутатор;
–коммутаторстолбцов;3–фоточув-
2 ствительныйэлемент;стрелкойуказанастрока,котораяопрашивается;–ячей-
кастрочногокоммутатора,сигналско-
торойвданныймоментобрабатывается
Рис.8.23.Упрощеннаяэлектрическаяэквива-лентнаясхемаработыМФПУсадресацией
построкамистолбцам: R*
R–сопротивлениеэлемента,скоторогоизмеряет-сяфотосигнал;R*–суммарноесопротивлениеостальныхэлементовстолбца,вкоторомнаходит-сяэлементR;Rz–входноесопротивлениеячейкипредусилителя(амперметра)
R Rz
A
УпрощеннаяэлектрическаясхемасчитываниясигналасотдельногоэлементаМФПпопредлагаемойсхемепоказананарис.8.23.
Вмоментвремени,которомусоответствуетрисунок,измеряетсяфототокчерезэлементссопротивлениемR.Приэтомонделитсямеж-дувнутреннимсопротивлениямиусилителя(амперметра)Rzиэквива-лентнымсопротивлениемR*всехостальных63элементовстолбца,помеченногонапредыдущемрисункезвездочкой..Расчетыпоказыва-ют,чтохарактеристикитакогоМФПУнеоченьсниженыпосравне-ниюсаналогичнымЛФПУдажевтомслучае,когдаRzR*.
Емкостьстрочногомультиплексорадолжнабытьувеличенав
МФПУпосравнениюсЛФПУ.Реальноонабылаувеличенапримернодо20пФ.Длявсехрабочихтемператур,прикоторыхтестировалосьЛФПУ,сопротивлениеэлементовЛФПсоставлялонеменее1010Омкаквтемноте,такиприосвещении.Этоозначает,чтоуказаннаявели-чинавходнойемкостиC310–3собеспечивалавеличинуR*,чтодос-таточнодляреализацииописываемогопринципасчитываниясигнала.
Некотороеувеличениевходнойемкостипредусилителяведетк
уменьшениювеличинывыходногосигнала,котораязадаетсяизмене-ниемнапряжениянаполевомэлектродеключаТр1(см.рис.8.12)сем-костьюC,засчетпротеканиятокачерезфоточувствительныйэлемент,конструкциякоторогопрактическиодинаковаидляЛФП,идляМФП.ЭтоуменьшениебылоскомпенсированоувеличениемкоэффициентаусилениявыходногоусилителяУУКОСдлястрочногомультиплексорапримернов4разапосравнениюсЛФПУ.
Востальномпринципработыиконструкциястрочного(основного)мультиплексораМФПУиУУКОСвчастиуправленияиобработкифо-тосигналаполностьюаналогичныЛФПУ.
ПринципкомпоновкиМФПУразмерностью128128элементовпоказаннарис.8.24.
1
2
3
Рис.8.24.Принципиальнаясхемакомпо-новкиисчитываниясигналавМФПУразмером128128элементовсадресациейпострокамистолбцам:
1–строчный(основной)мультиплексор;2–мультиплексорстолбцов;3–сегментМФП
размером6464элемента
МФПнаосновеэпитаксиальнойпленкиСОТ<In>выполненанаодномкристаллеиимеетразмер128128элементовсразмеромкаж-дойячейки(пикселя)100100мкм2.
Онасостоитизчетырехизолированныхдруготдругасегментов3
размером6464элемента,каждыйизкоторыхуправляетсяотдельнымгоризонтальным(основным)мультиплексором1ивертикальныммультиплексором(мультиплексоромстолбцов)2.Возможныйвариантпострочногоопросакаждогоизсегментовпоказанлиниямисострел-койвнаправленииопроса.
ПрииспользованиидляработыстакимМФПУодногоУУКОСвовремясчитываниясигналасострокиодногоизсегментоввстрочныхмультиплексорахтрехдругихсегментовведетсянакоплениеполезногосигналассоответствующихстрок.Вэтомслучаепроигрышвовреме-нинакоплениясигналапосравнениюсосхемойспараллельнойобра-
боткой(монтажтипа«флип-чип»)дляМФПУразмером128128эле-ментовсоставитпримерно64/(3…4)раза,апопороговымхарактери-стикам–4...5раз.Такойнеоченьбольшойпроигрыш,какуказывалосьвыше,компенсируетсярядомдостоинств,связанныхспростотойсбор-киМФПУибольшимчисломвыходагодныхсборок.
СхематичноеизображениефрагментаМФПсчетырьмяфоточувст-
вительнымиэлементами(фоторезисторами)представленонарис.8.25.
100мкм
80мкм
Ti+Al+Ti
80мкм
100мкм
COTln
BaF2
Рис.8.25.СхематичноеизображениечетырехфоточувствительныхэлементовМФПсадреса-циейпострокамистолбцам.ГоризонтальныеивертикальныешиныTi+Al+Tiизолированыдруготдругаслоемфоторезиста.Горизонталь-ныешиныимеютконтактспленкойСОТ<In>вверхнихобластяхкаждойизфоточувстви-тельныхплощадок,вертикальныешиныимеютконтактвнижнихобластяхкаждойизфото-чувствительныхплощадок
ТехнологияипоследовательностьмонтажаМФПУвцеломсходнастехнологиейЛФПУ.НекотороеотличиевсборкеМФПУотЛФПУзаключаетсявтом,чтоограниченныеразмеры«холодногостенда»дляиспытанийМФПУнепозволяютразмещатьгоризонтальныеиверти-кальныемультиплексорыводнойплоскости.Этосвязаностем,чтокристаллМФПимеетразмерпримерно1414мм2,аширинамульти-
плексоровсоставляетсвыше3и4ммдлявертикальныхигоризон-тальныхсоответственно.Поэтомусоединительныешлейфыверти-кальныхмультиплексоровпримонтажеМФПУизгибаютсяна180,асамимультиплексорыразмещаютсянаобратнойсторонемонтажнойплатыразмером7019мм2.
Экспериментальныерезультатыраспределенияшума,чувствитель-
ностиипороговогопотокапоэлементамсегментаМФПУпритемпе-ратуреТ=10Кпредставленынарис.8.26ввидедвумерныхгисто-грамм,гдеамплитудасоответствующихвеличинтембольше,чемсветлееобласть,соответствующаяопределенномуэлементуМФПУ.Погоризонталиотложенномерэлементавстроке,повертикали–встолбце.Тоестьвданномслучаеосновной(строчный)мультиплексоррасположенгоризонтально.
60
Номерстолбца
5040
30
20
10
102030405060
Номерстроки
60
Номерстолбца
5040
30
20
10
102030405060
Номерстроки
60
50
40
30
20
10
102030405060
Номерстроки
а б в
Рис.8.26.Гистограммыраспределенияпоэлементамшума(а),чувстви-тельности(б)имощности,эквивалентнойшуму–МЭШ,(в)дляфрагментаМФПУразмером6464элемента:
температураизмеренийТ=10К;основноймультиплексоррасположенгоризон-тально;белыеобластинагистограммахсоответствуют:а–шумусвыше1,2мВ/Гц0,5;б–чувствительностисвыше5,51012В/Вт;в–МЭШсвыше110–16Вт/Гц0,5;черныеобластисоответствуют:б–чувствительностименее
11012В/Вт;в–МЭШменее110–17Вт/Гц0,5
Изприведенныхрисунковхорошовидно,чтораспределениехарак-теристикпоэлементамимеетярковыраженный«сетчатый»вид,чтоестественнодлясхемыопросапостолбцамистрокам.Особеннохо-рошоэтовиднодляраспределенияшума(рис.8.26,а),существенныйвкладвкоторыйдаютобамультиплексора.Изэтогожерисункаследу-ет,что,покрайнеймередляотдельныхвходныхячеекмультиплексо-
ра,основнойвкладвшумэлементовМФПУможетдаватькремниевыймультиплексор,анесобственноотдельныефоторезисторы.ТоестьограничениепороговыххарактеристикиМФПУ,иЛФПУможетбытьобусловленомультиплексорами,анефоточувствительнымиэлемен-тами.
Изрис.8.26,бследует,чторазбросчувствительностикакдляМФПУ,такидляЛФПУможеттакжеопределятьсяразбросомпара-метроввходныхячеекосновного(строчного)мультиплексора.Вчаст-ности,видно,что8-яи63-явходныеячейкипрактическинеработают,аусилениеячеек3,11,14и51существеннопревышаетсреднийуро-вень.Отметим,чтотакаяинформациянемоглабытьполученанаос-новестатистическогоанализахарактеристикЛФПУ.Интереснотакжеотметить,чтооптоэлектроннаясвязьмеждуотдельнымифоточувстви-тельнымиплощадкаминеслишкомвелика.Например,хорошовиднаотдельнаянеработающаяячейка63,котораяпрактическиневлияетнаизмеряемыехарактеристикисоседнихячеек62и64.Хорошовидныотдельныеэлементысповышеннойчувствительностьюнапересече-нии20-гостолбцаи50-й,58-йстрокиряддругихотдельныхэлемен-товсвеличинойчувствительности,сильноотличающейсяотсредней.
Гистограммараспределенияпоро-говоймощностипоэлементам(рис.
8.26,в)являетсясуперпозициейгис-тограммчувствительностиимощно-стииотражаетихособенности.Хо-рошовидно,чтостолбцыистроки,вкоторыхимеетсябольшоеколичествоэлементовсМЭШ,превышающейвеличину10–16Вт/Гц0,5,четкокорре-лируютссоответствующимистолб-цамиистрокамисповышеннымуровнемшума.Этоозначает,чтозаухудшенныезначенияпороговыхха-рактеристикрядаэлементовМФПУотвечаютвосновномповышенныешумыотдельныхячеекмультиплек-сора.Виднотакже,чтоимеетсязна-чительноеколичествоэлементов,длякоторыхМЭШменее10–17Вт/Гц0,5.
50
Числоэлементов,%
40
30
20
10
0
0,3 1 3 10 30
–16 0,5
МЭШ,10 Вт/Гц
Рис.8.27.Гистограммараспре-деления мощности, эквива-
лентнойшуму
Гистограммараспределениямощности,эквивалентнойшуму(МЭШ),приведенанарис.8.27.
Примернодля60%ячеекМЭШнепревышает10–16Вт/Гц0,5.Эта
величинасущественнобольше,чемдляЛФПУ.Такоепревышениечастичносвязаносорганизациейобработкисигналасадресациейпострокамистолбцам,ачастично– схарактеристикамикремниевогомультиплексораипленкиСОТ.Вместестемприведенныеэкспери-ментальныеданныепоказывают,чторазработаннаятехнологияможетбытьиспользованакакосновадлясозданияМФПУсвысокимипоро-говымихарактеристиками.