
- •4 Оглавление
- •Глава1.Температурныеполявтермическихсенсорах........................ 17
- •Глава2.Термочувствительныеэлементы 105
- •Глава3.Примерыпрактическойреализациитермическихсенсоров
- •Глава4.Взаимодействиеизлученияствердымтелом 183
- •Глава5.Фотоэлектрическиеприемникиизлучения.Определения
- •Глава6.Равновесныеинеравновесныеносители заряда 271
- •Глава7.Физическиеосновыработыфотонныхприемниковизлу-
- •Глава8.Основныенаправленияразвитиятехникирегистрацииоптическогоизлучения 411
- •Теплотаитемпература
- •Способы теплопередачи:теплопроводность
- •Уравнениетеплопроводности
- •Теплопроводностьгазов
- •Теплопроводностьитеплоемкостьтвердыхтел
- •Теплопроводностьжидкостей
- •1.3.Радиационныйспособтеплопередачи
- •Основныепонятияизаконы
- •Радиационныйтеплообменмеждутвердымителами,
- •Теплообменмеждудвумятелами,одноизкоторыхнаходится
- •Конвективныйтеплообмен
- •Основныеособенностиконвективноготеплообмена
- •Основныеуравненияконвективноготеплообмена
- •Критериитеорииподобия
- •Вынужденнаяконвекциядляплоскойповерхности
- •Теплообменвусловияхестественнойконвекции
- •Естественнаяконвекция
- •Примеррасчетаконвективноготеплообмена
- •Cтационарныетемпературныеполявэлементахтермическихсенсоровиактюаторов
- •Распределениетемпературы
- •Передачатеплачерезстенку
- •Электростатическаяаналогияуравнениятеплопроводности
- •Тепловоесопротивлениесоставнойтеплопроводящейпла-стины.
- •Параллельное соединение двух разнородных тепловых
- •Температурноеполевинтегральнойконсольнойбалочке
- •Стационарноетемпературноеполевкруглойдиафрагме
- •Однородныйнагрев
- •Точечныйисточниктепла
- •Температурнаядинамикаэлементовтермическихсенсоров
- •Решениенаосновеэлектростатическойаналогии
- •Аналитическоерешениедлятеплообмена
- •2.1.ТермочувствительныеэлементынаосновеэффектАтермоЭдс
- •Физическиепроцессывтермопарах
- •ОбъемныесоставляющиетермоЭдс
- •КонтактнаясоставляющаятермоЭдс
- •2.1.2.Эффекттермоэдсвметаллахиполупроводниках
- •Термоэлектрическиеэффектыпельтьеитомсона
- •Терморезисторы
- •Металлическиетерморезисторы
- •Кремниевыетерморезисторы
- •Транзисторы
- •Термисторы
- •Термическийвакуумметр
- •Термическиесенсорыпотокагаза
- •Термоанемометры
- •Термоанемометрыснагревателемизполикристаллическогокремния
- •Термическийсенсор,чувствительныйкнаправлениюпотока
- •VXSxuxSxucos;
- •Термическийконверторсреднеквадратичногозначениянапряжения
- •Биморфныйтермомеханическийактюатор
- •Взаимодействиеизлучениясполупроводниками
- •Уравнениямаксвелла
- •Отражениеэлектромагнитногоизлученияотграницыразделадвухсред
- •Зависимостьоптическихконстантотчастоты
- •Интерференция.Просветляющиепокрытия
- •Поглощениевполупроводниках
- •Механизмыпоглощениясветавполупроводниках
- •Собственноепоглощение.Прямыепереходы
- •СобственноепоглощениеНепрямыепереходы
- •Экситонноепоглощение
- •Примесноепоглощение
- •Внутризонноепоглощение
- •Поглощениесвободныминосителямизаряда
- •Решеточноепоглощение
- •Приемникиизлучения
- •Поотношениюксопротивлениюнагрузки:
- •Методыизмеренияпараметровфотоэлектрическихполупроводниковыхприемников
- •0,1Fрезfэкв0,2fрез,
- •Энергетическиехарактеристикиизлучения
- •IbAcos.
- •IBdAcos,
- •Мощностьиспектральныйсоставизлученияабсолютночерныхтел
- •Энергетическийисветовойпотокиизлучения
- •Цветовоезрение
- •Xyz(условныеобозначениясм.Нарис.5.18):
- •Приемцветногоизображенияприпомощиприемников
- •650Нмсераялиния
- •Равновесныеинеравновесныеносителизаряда
- •Равновесныеносителизарядавполупроводниках
- •Неравновесныеносителизарядаквазиуровеньферми
- •Рекомбинацияносителейзарядавремяжизни
- •1Nстt
- •Механизмырекомбинации
- •Излучательнаярекомбинация
- •Imax 2g
- •Межзоннаяоже-рекомбинация
- •Рекомбинациячерезлокальныецентры
- •Поверхностнаярекомбинация
- •Распределениенеравновесныхносителейзаряда
- •Уравнениянепрерывностидляэлектроновидырок
- •Диффузионноеуравнение
- •Лавинныефотодиоды
- •Фотосопротивления
- •Фотоприемникинаосновеструктурметалл–диэлектрик–полупроводник
- •Приповерхностныеобластипространственногозаряда
- •10 Blip 10
- •Целипримененияоптическихсистемиихстроение
- •Болометрическиематрицы
- •Принципдействияихарактеристикитепловыхприемниковизлучения
- •Параметрытпи
- •Болометры
- •Линейчатыеиматричные
- •Составипринципработыизмерительногостенда
- •–Осьлинейкифотоприемников(лфп)иЛфпу;
- •Характеристикилинейчатыхфотоприемныхустройств
- •Тепловизионныематрицы
- •Линейчатыеиматричныепзи-приемникиизображениянаосновеInAs
- •Преобразованиесветовогопотокавцифровуюинформацию
- •Оцифровываниесигнала
- •Приборы,отображающиеоптическуюинформацию
- •ВикторАлексеевичГридчин,ИгорьГеоргиевичНеизвестный,ВладимирНиколаевичШумский физикамикросистем
- •Часть2Учебноепособие
- •630092,Г.Новосибирск,пр.К.Маркса,20
Линейчатыеиматричные
ФОТОПРИЕМНИКИИФОТОПРИЕМНЫЕУСТРОЙСТВАНАОСНОВЕПЛЕНОКСОТ<IN>
ЭторассмотрениеначнемслинейчатыхиматричныхФПУнаосно-ветвердогораствораPb1–xSnxTe,легированногоиндием(Pb1–xSnxTe:InилиСОТ<In>)[8.7].Этотвыборобусловленследующейпричиной.
Таккакбольшоевниманиездесьбудетуделенотехнологическимаспектамсозданиямногоэлементныхфотоприемныхустройствипрактикеихизмерений,тоудобнееиспользоватьрезультаты,получен-ныеколлективомИнститутафизикиполупроводниковСОРАН.Такоерассмотрениепозволитдатьпонятиеохарактерныхтехнологическихприемах,применяемыхприизготовленииидругих,такназываемыхгибридных,ФПУ,вкоторыхматрицаФПвыполненанатребуемомма-
териале,асхемаобработкисигнала(мультиплексор)–накремнии.
Преждечемперейтикизучениюфотоприемников,разработанныхнаосновеописанныхвышеэпитаксиальныхпленоксоединенияСОТ<In>,рассмотримметодикуиаппаратурудляизмеренияихпара-метров,посколькуониодинаковыкакдляодиночных,такидлямного-элементныхлинейчатыхиматричныхфотоприемников.
Составипринципработыизмерительногостенда
КакследуетизизвестныхданныхобэлектрофизическихсвойствахпленокСОТ<In>,ониобладаютбольшимвременемжизнинеравновес-ныхносителейзарядаималойтемновойпроводимостьюпритемпера-турениже20К.ЭтидвасвойствавсочетаниииделаютпленкиСОТ<In>перспективнымидлясозданияфоторезисторовдальнегоИК-диапазонасвысокимипороговымипараметрами.
Ранееупоминалось,чтоприминимизациисобственныхшумовфо-топриемникаегопороговыехарактеристикимогутпринципиальноог-раничиватьсяшумом,создаваемымвизмерительнойцепифоновымпотокомизлучения.Вчастности,привнешнемквантовомвыходе,рав-номединицевовсемдиапазонечувствительности,икраснойгранице
кр=11мкммаксимальнаяобнаружительнаяспособность,ограничен-наяфоном,равнавеличине4·1010см·Гц0,5·Вт–1приуглезрениянафон2.Этавеличинанезначительновозрастаетсувеличениемкраячувствительностидо20…30мкм.ДлявысокочувствительныхФПфо-новыепотокидолжныбытьнастольконизкими,чтовэтомслучаеможноговоритьвообщеоботсутствиифоновогоизлучения.Например,наличиефонастемпературойТ=77К,втомчислесниженномнапо-рядокиболеепосравнениюспотокомизлученияизполусферы,ведеткпоявлениюзаметноготокавописываемыхструктурахиухудшениюиххарактеристик.Можетсоздатьсявпечатление,чтоусловияреализа-циивысокихпараметровфотоприемниковприэтомтаковы,чтоихне-возможноиспользоватьнапрактике.Вдействительностиуказанныеусловияработыреализуютсявнекоторыхсистемахдляастрофизиче-скихисследованийилиприприменениифотоприемниковвкриоген-нойтехнике,когданаблюдаемыеполятемпературмогутнаходитьсявблизитемпературыжидкогоазотаидажениже.
Такимобразом,аппаратурадляизмеренийдолжнаобеспечиватьне
толькотребуемыенизкиерабочиетемпературыфотоприемников,ноипредельнонизкиезначенияфоновогопотокаизлучения,атакжевоз-можностьконтролируемогоивоспроизводимогоизмененияпотокаизлучениянафотоприемнуюплощадкувширокомдиапазонезначе-ний.Последнеесвязаностем,чтодинамическийдиапазонработыбольшинствафотоприемниковдостаточноограничен,аотношениесигналакшумуфотоприемниказависитотуровняосвещенностифо-топриемнойплощадки.
Нарис.8.9схематичноизображеноразработанноеустройстводляизмеренияхарактеристикфотоприемниковпригелиевыхтемпературах
вусловияхнизкихфоновыхпотоков–холодногостенда.
Корпусстендаизготовленизмедидлявыравниваниятемпературы
внутринегоиееточногоконтролядатчикомтемпературы,которыйрасполагаетсяповысотевблизифотоприемника.Однородностьтем-пературыпредварительноконтролироваласьспомощьюдвухдопол-нительныхдатчиковтемпературы,располагавшихсявблизиверхней
8
7
Рис.8.9.Холодныйстенддляизмеренияхарактери- 6
стикфотоприемниковпринизкихтемпературах
вусловияхмалыхфоновыхпотоков:
1–пьедесталсфотоприемником;2–отклоняющеезерка- 5
ло;3–выходнаядиафрагмакалиброванногоисточника 4
излучения;4–заслонка;5–выходноеокноисточника 3
излучения;6–излучательтипаАЧТ;7–термопаракон-
тролятемпературыАЧТ;8–трубкадлявакуумнойот-качкикорпусаизлучателя,дляподведенияпроводовна-
гревателяАЧТитермопары;9–внешнийкорпус 1
холодногостенда 2
9
22
инижнейчастейстенда.Вовсемиспользуемомдиапазонерабочихтем-пературфотоприемниковТ=4,2...25Кразностьтемпературвверхнейинижнейчастейстенданепревышаланесколькихградусов.Диаметркорпусастендаравен22мм,чтопозволяетиспользоватьстенддляра-ботывстандартномгелиевомтранспортномсосудеДьюара.
Отклоняющеезеркалопредназначенодлянаправленияпотокаиз-
лученияотвыходнойдиафрагмыизлучателянафотоприемник.Такоеустройствостендапозволяетразмещатьвнутринегофотоприемникиифотоприемныеустройствасосравнительнобольшимиразмерамипье-десталов–примернодо18120мм2илинесколькобольше.Зеркалоизготовленоизстандартнойполированнойкремниевойпластинысалюминиевымпокрытием.Вдальнейшемприрасчетахвовсеминтер-валедлинволнизлучениякоэффициентотражениязеркалаполагалсяравным100%,т.е.рассчитываемыевеличинычувствительностифото-приемниковмоглибытьтолькозаниженыпоотношениюкистинным.
Вверхнейчастикорпусастендарасположенысменныевыходныедиафрагмыизлучателя.Онипредставляютсобойметаллическиешай-
бысосквознымиотверстиямивцентредиаметромот0,3до2мм.Задиафрагмамирасположенамеханическаязаслонка,позволяющаяпере-крыватьилиоткрыватьпотокизлученияотизлучателянафотоприем-нуюплощадку.
Излучательпредставляетсобойотдельныйузелвверхнейчастистенда.Конструктивносоединениеизлучателяскорпусомстендавы-полненотак,чтонедопускаетпопаданиянеконтролируемогофоновогоизлучениячерездиафрагмунафотоприемнуюплощадку.Этоконтро-лируетсяпутемоткрытия–закрытиязаслонкипритемпературеизлу-чающейполости,равнойтемпературефотоприемника.
ВыходноеокноизлучателявыполненоизмонокристаллаZnSeи
имееттолщину2мм.Егокоэффициентпропусканияпревышает70%ислабоменяетсяотвидимогодиапазонадлинволнпримернодо20мкм.Точноезначениекоэффициентапропусканиявэтомдиапазонебылоизмереноприкомнатнойтемпературеииспользовалосьприрасчетеинтегральногопотокаизлучениянафотоприемнуюплощадку.
Излучающаяполостьизготовленаизграфитаиимеетдиаметр4ммприглубине30мм.Такоесоотношениеразмеровобеспечиваетвысо-куюстепеньчернотыдлямоделиАЧТскоэффициентомпоглощениянениже0,999.Полостьнагреваетсярезистивнымнагревателемсрав-номернойнамоткойвдольвсейполости,аконтрольтемпературыосу-ществляетсятермопароймедь–константан,спайкоторойдляхорошеготепловогоконтактазапрессованвверхнюючастьполостиспомощьюиндия.
Проводадляпитаниянагревателяипроводатермопарывыведеныв
верхнюючастьстенда(нарисункенепоказана)черезтонкостеннуютрубку,котораяодновременнообеспечиваетвакуумнуюоткачкупо-лостиизлучателя.Посколькурабочиетемпературыстендаблизкиктемпературежидкогогелия,тостенкикорпусаизлучателясамиявля-ютсясорбционнымнасосом,идляобеспечениявысокоговакуумавполостиизлучателядостаточноиспользоватьнизковакуумнуюоткачкувверхнейчаститрубки.
Измерительныепровода(нарисункенепоказаны)введенывстендчерезеговерхнюючастьтак,чтофоновоеизлучениеизсосудаДьюаранепопадаетвнутрьстендачерезместовводапроводов.Этодостигает-сяпутемпропусканияпроводовчерезизогнутыеметаллическиетруб-кииприменениемоптическихуплотнений.Съемныймедныйкорпускрепитсякстендуспециальнымоптическиплотнымспособом,аот-сутствиенеконтролируемогофоновогоизлучениявстендеспециальнопроверяется.Притакойконструкциистенданеконтролируемыйфоно-выйпотокизлучениявовремяизмеренияпревышает10–12Вт/см2.
ТемпературастендаифотоприемникавнемзадаетсяположениемстенданадуровнемжидкогогелиявтранспортномсосудеДьюара.Приэтомфотоприемникнаходитсялибовпарахгелия,либонепосред-ственновжидкомгелии.Этообеспечиваетсоответствиетемпературыфотоприемникатемпературеиспользуемогодатчикатемпературыдажевтомслучае,когдафотоприемникрассеиваетмощностьвнесколькомилливатт.
Мощность,попадающаянафотоприемнуюплощадку,рассчитыва-ласькак
d2
P
4
A
L2
25мкм
0
r()m()d
[Вт/элемент],
гдеd–диаметрвыходнойдиафрагмыизлучателя;A–площадьфото-приемнойплощадки;L–расстояниеотвыходнойдиафрагмыдофото-приемнойплощадки;r()–функцияПланка;m()–функцияспек-тральногопропусканияокнаизлучателяизZnSe.
Характеристикифотоприемниковизмеряютсяследующимобразом.
Выходнойсигналсблокауправлениялинейчатымииматричнымифо-топриемникамиподаетсянавход10-разрядногоамплитудно-цифровогопреобразователя(АЦП),встроенноговперсональныйком-пьютер.Приэтомизмеряетсясигналбезосвещенияфотоприемникаиприегоосвещении.Среднеквадратичноезначениешумаопределяетсяпо128измерениямтемнового сигналакак
Vш
128
n1
_
n т
(V2V2)
,
128
_ 1128
гдеVn–n-eизмерениеамплитудытемновогосигнала,аVm Vn–
128n1
среднеезначениетемновогосигнала.Аналогичносреднемутемновому
_
сигналунаходитсясреднеезначениесигналаприосвещении
Vc.Ам-
_ _
плитудафотосигналаопределяетсякакVфсVcVт.
Значениешумовойполосы,покоторомувдальнейшемрассчитает-сяспектральнаяплотностьмощностишума,полагаетсяравнымобрат-
номувременинакоплениясигналавблокеуправленияфотоприемни-ками,котороесоставляетвовсехслучаях1мс,т.е.считаетсяравным
f103Гц.
ЧастотаобращенияАЦПквыходномусигналублокауправленияфотоприемникамитакжесоставляет1кГц,т.е.времяизмерениятем-новогонапряженияинапряженияшума,атакженапряженияприос-вещениидлякаждогоизэлементовфотоприемниковсоставляетоколо0,13с.Значениечувствительности,пороговоймощностииобнаружи-тельнойспособностирассчитываетсяпообщепринятымвыражениямисходяизприведенныхвышевеличин.
ЛИНЕЙЧАТЫЕФОТОПРИЕМНИКИНАОСНОВЕСОТ<In>
Линейкафоточувствительныхэлементов
Линейкафоточувствительныхэлементовсоздаваласьдляработывсоставефотоприемногоустройства(ФПУ),включающеговсебякрем-ниевыесхемыобработкифотосигнала(мультиплексоры)суправляю-щейэлектроникойисоединительныешлейфы.ВкачествебазовогоэлементаФПУбылвыбранмодульлинейкифотоприемников(ЛФП)длинойв64элемента.Такаядлинабазовогосегментаобеспечиваласравнительнуюпростотуибольшойпроцентвыходагодныхприизго-товлениисоответствующихеймультиплексоров.Приэтомнабаземо-дульнойтехнологииобеспечиваласьвозможностьразработкисхемсчитываниясигналовкакслинейчатогоФПУ(ЛФПУ),такисматрич-ногоФПУ(МФПУ)достаточнобольшогоформатадлярешениярядапрактическихзадач.
Какследуетизранеесказанного,комбинациятемновыхсвойствпленокСОТ<In>иихсвойствприосвещениипозволяетсоздаватьнаихосновечувствительныеприемникиизлучения.Малыетемновыето-ки(менее10–11Априрабочихнапряженияхсмещения)обеспечиливозможностьиспользованиятехнологиикремниевыхмультиплексо-ров,работающихпринизкихтемпературах,вплотьдотемпературыжидкогогелия,свременемнакоплениясигнала1мс.КомпоновкаЛФПУисхемаЛФПбылисогласованыснадежнойивоспроизводимойтехнологиеймикросборкианалогичныхустройствдругогоназначения,
разработанныхвИФПСОРАН.Такимобразом,архитектуракакЛФПУиМФПУвцелом,такиихфоточувствительныхэлементовнаосновеСОТ<In>неявляетсяпроизвольной,апредставляетсобойслед-ствиекомплексногоподходакрешаемымпрактическимзадачам,кфи-зикеитехнологииэтогосоединения,атакжектехнологиикремниевыхмультиплексоровимикросборкиФПУвцелом.
3
4
2
1
Рис.8.10.Принципиальнаясхемалинейча-тогофотоприемногоустройства(ЛФПУ)2128элементов: