
- •4 Оглавление
- •Глава1.Температурныеполявтермическихсенсорах........................ 17
- •Глава2.Термочувствительныеэлементы 105
- •Глава3.Примерыпрактическойреализациитермическихсенсоров
- •Глава4.Взаимодействиеизлученияствердымтелом 183
- •Глава5.Фотоэлектрическиеприемникиизлучения.Определения
- •Глава6.Равновесныеинеравновесныеносители заряда 271
- •Глава7.Физическиеосновыработыфотонныхприемниковизлу-
- •Глава8.Основныенаправленияразвитиятехникирегистрацииоптическогоизлучения 411
- •Теплотаитемпература
- •Способы теплопередачи:теплопроводность
- •Уравнениетеплопроводности
- •Теплопроводностьгазов
- •Теплопроводностьитеплоемкостьтвердыхтел
- •Теплопроводностьжидкостей
- •1.3.Радиационныйспособтеплопередачи
- •Основныепонятияизаконы
- •Радиационныйтеплообменмеждутвердымителами,
- •Теплообменмеждудвумятелами,одноизкоторыхнаходится
- •Конвективныйтеплообмен
- •Основныеособенностиконвективноготеплообмена
- •Основныеуравненияконвективноготеплообмена
- •Критериитеорииподобия
- •Вынужденнаяконвекциядляплоскойповерхности
- •Теплообменвусловияхестественнойконвекции
- •Естественнаяконвекция
- •Примеррасчетаконвективноготеплообмена
- •Cтационарныетемпературныеполявэлементахтермическихсенсоровиактюаторов
- •Распределениетемпературы
- •Передачатеплачерезстенку
- •Электростатическаяаналогияуравнениятеплопроводности
- •Тепловоесопротивлениесоставнойтеплопроводящейпла-стины.
- •Параллельное соединение двух разнородных тепловых
- •Температурноеполевинтегральнойконсольнойбалочке
- •Стационарноетемпературноеполевкруглойдиафрагме
- •Однородныйнагрев
- •Точечныйисточниктепла
- •Температурнаядинамикаэлементовтермическихсенсоров
- •Решениенаосновеэлектростатическойаналогии
- •Аналитическоерешениедлятеплообмена
- •2.1.ТермочувствительныеэлементынаосновеэффектАтермоЭдс
- •Физическиепроцессывтермопарах
- •ОбъемныесоставляющиетермоЭдс
- •КонтактнаясоставляющаятермоЭдс
- •2.1.2.Эффекттермоэдсвметаллахиполупроводниках
- •Термоэлектрическиеэффектыпельтьеитомсона
- •Терморезисторы
- •Металлическиетерморезисторы
- •Кремниевыетерморезисторы
- •Транзисторы
- •Термисторы
- •Термическийвакуумметр
- •Термическиесенсорыпотокагаза
- •Термоанемометры
- •Термоанемометрыснагревателемизполикристаллическогокремния
- •Термическийсенсор,чувствительныйкнаправлениюпотока
- •VXSxuxSxucos;
- •Термическийконверторсреднеквадратичногозначениянапряжения
- •Биморфныйтермомеханическийактюатор
- •Взаимодействиеизлучениясполупроводниками
- •Уравнениямаксвелла
- •Отражениеэлектромагнитногоизлученияотграницыразделадвухсред
- •Зависимостьоптическихконстантотчастоты
- •Интерференция.Просветляющиепокрытия
- •Поглощениевполупроводниках
- •Механизмыпоглощениясветавполупроводниках
- •Собственноепоглощение.Прямыепереходы
- •СобственноепоглощениеНепрямыепереходы
- •Экситонноепоглощение
- •Примесноепоглощение
- •Внутризонноепоглощение
- •Поглощениесвободныминосителямизаряда
- •Решеточноепоглощение
- •Приемникиизлучения
- •Поотношениюксопротивлениюнагрузки:
- •Методыизмеренияпараметровфотоэлектрическихполупроводниковыхприемников
- •0,1Fрезfэкв0,2fрез,
- •Энергетическиехарактеристикиизлучения
- •IbAcos.
- •IBdAcos,
- •Мощностьиспектральныйсоставизлученияабсолютночерныхтел
- •Энергетическийисветовойпотокиизлучения
- •Цветовоезрение
- •Xyz(условныеобозначениясм.Нарис.5.18):
- •Приемцветногоизображенияприпомощиприемников
- •650Нмсераялиния
- •Равновесныеинеравновесныеносителизаряда
- •Равновесныеносителизарядавполупроводниках
- •Неравновесныеносителизарядаквазиуровеньферми
- •Рекомбинацияносителейзарядавремяжизни
- •1Nстt
- •Механизмырекомбинации
- •Излучательнаярекомбинация
- •Imax 2g
- •Межзоннаяоже-рекомбинация
- •Рекомбинациячерезлокальныецентры
- •Поверхностнаярекомбинация
- •Распределениенеравновесныхносителейзаряда
- •Уравнениянепрерывностидляэлектроновидырок
- •Диффузионноеуравнение
- •Лавинныефотодиоды
- •Фотосопротивления
- •Фотоприемникинаосновеструктурметалл–диэлектрик–полупроводник
- •Приповерхностныеобластипространственногозаряда
- •10 Blip 10
- •Целипримененияоптическихсистемиихстроение
- •Болометрическиематрицы
- •Принципдействияихарактеристикитепловыхприемниковизлучения
- •Параметрытпи
- •Болометры
- •Линейчатыеиматричные
- •Составипринципработыизмерительногостенда
- •–Осьлинейкифотоприемников(лфп)иЛфпу;
- •Характеристикилинейчатыхфотоприемныхустройств
- •Тепловизионныематрицы
- •Линейчатыеиматричныепзи-приемникиизображениянаосновеInAs
- •Преобразованиесветовогопотокавцифровуюинформацию
- •Оцифровываниесигнала
- •Приборы,отображающиеоптическуюинформацию
- •ВикторАлексеевичГридчин,ИгорьГеоргиевичНеизвестный,ВладимирНиколаевичШумский физикамикросистем
- •Часть2Учебноепособие
- •630092,Г.Новосибирск,пр.К.Маркса,20
Теплопроводностьитеплоемкостьтвердыхтел
Переностеплавтвердыхтелахпроисходитблагодаряколебанияматомовкристаллическойрешеткиидвижениюсвободныхэлектронов.Поэтомуобщаятеплопроводностьитеплоемкостьимеетдвечасти:электроннуюkэ,Cэирешеточнуюkp,Cp:
kkэkp;
CCэCp.
Вметаллах,гдеконцентрацияэлектроноввеликаn
(1.2.27)
1022см3,
практическивсятепловаяэнергияпереноситсяэлектронами.Вдиэлек-триках,гдеконцентрацияэлектроновнизкаn11010см3,основ-
нуюрольиграютколебанияатомов,kkp.Вполупроводникахвтеп-лопроводностьвносятвкладобамеханизма.
Переностепласвободнымиэлектронамиможнорассматриватьтак
же,какипереностепламолекуламигаза,поэтомуформула(1.2.17)справедливаидляэлектронов.Электроннаятеплоемкостьпропорцио-нальнаконцентрацииэлектроновидлинеихсвободногопробега.Этимжевеличинампропорциональнаиэлектропроводность,связаннаясдвижениемэлектронов,поэтомуотношениеэлектроннойтеплоемкости
кэлектропроводности0
призаданнойтемпературеоказываетсявели-
чинойпостоянной,чтосоставляетсодержаниезаконаВидемана–Франца:
гдеL–числоЛоренца.
kэLТ,
0
Дляполупроводников,взависимостиотконцентрацииэлектронов,
числоЛоренцалежитвинтервале[1.7–1.9]:
1,5L2,45ВтОм/К2.
Приколебанииатомовтвердоготеламеждунимивозникаютдо-полнительныесилывзаимодействия,связанныесизменениемрасстоя-
нияx
междуатомами.Этисилысточностьюдоквадратичныхчле-
новможноописатьвыражением
x x2
F
x0 x0
. (1.2.28)
Здесь
x0–расстояниемеждупокоящимисяатомами;–коэффици-
ентупругойсвязи;–коэффициентангармоническихколебаний.
Если
0и
0,тосилыпрямопропорциональнысмещениям
xиатомысовершаютгармоническиеколебания,которыеприводятк
возникновениюупругихволнразличныхчастот.Существенно,чтострогогармоническиеволныневзаимодействуют,проходядругчерездругакаксветовыелучи.Применительноктеплопроводностиэтооз-начает,чтовкристалле,гденетдефектов,теплораспространяетсябезрассеянияитемпературапротивоположныхстеноккристалладолжнабытьодинакова.Создатьградиенттемпературыбудетневозможно.
Рольвторогослагаемогов(1.2.28)темсущественнее,чембольше
амплитудаколебанийатомов.Появлениевторогои,еслинеобходимо,болеевысокихчленоврядав(1.2.28)приводиткдвумважнымследст-виям.
Принагреванииразмерытвердоготелаувеличиваются(тепловое
расширение).
Упругиеволныуженемогутнезависимораспространятьсяипривстречедругсдругомрассеиваются(т.е.меняютнаправлениедвиже-
ния).
Вреальномкристаллевсегдаимеютсяструктурныедефекты(при-
месныеатомы,дислокации,границызерен,поверхность),накоторыхупругиеволныдополнительнорассеиваются.Витогеангармонизмко-лебанийиструктурныедефектыприводяткконечнойвеличинетепло-вогосопротивлениялюбыхтвердыхтел.
Энергетическийспектркакодногоколеблющегосяатома,такиуп-
ругойволныквантован.Квантколебанийкристаллическойрешетки
Еhполучилназваниефонона.Фононырассматриваютсякакква-зичастицы,которыеобладаютнетолькоэнергией,ноиимпульсом:
p
[1.9].
g,гдеg–волновойвектор,
g2,и–длинаупругойволны
Принагреванииэнергияколебанийрешеткивозрастаетисоответ-
ственнорастетчислофононов.Фононыимеютопределеннуюдлинусвободногопробега,т.е.расстояние,котороепробегаетупругаяволнаотодногоактарассеяниядодругого.
Спомощьюфононовпроцесспередачитеплакристаллическойре-шеткойописываюттакимжеобразом,какидлямолекулгаза,стой
лишьразницей,чточислофононовможетизменяться.Поэтомудляанализаособенностейпередачитепламожносновавоспользоватьсяуравнением(1.2.17),учитывая,однако,особенноститвердоготела.Те-пловаяэнергия,поступающаяотвнешнегоисточника(например,отокружающеговоздуха)ктвердомутелувперерасчетенаоднумолеку-луимеетвеличинуkT.Атомытвердоготеламогутлишьколебаться,и
дискретностьэнергическихуровнейравна
Еh.Взависимостиот
соотношенияkTиhвозможныразличныеслучаи:
низкиетемпературыkT
высокиетемпературыkT
Е;
Е.
Принизкихтемпературахтепловойэнергиинехватаетдлятого,
чтобы«раскачать»атомисоздатьупругуюволну(т.е.перевестиос-цилляторнадругойэнергетическийуровень).Поэтомупритемперату-рахвблизиабсолютногонулярешеточнаятеплоемкостьстремитсякнулю:
C
Е
Т
Т=0
0.
Привысокихтемпературахдискретностьэнергетическогоспектраосцилляторовиособенностиихквантовогоповедениянеиграютроли.ТвердоетеломожнорассматриватькаксобраниеNтрехмерныхклас-сическихосцилляторов,средняяэнергиякаждогоизкоторыхсоставля-
етЕ3kT.Энергияколебанийвсехатомовтвердоготеларавна:
Е3NkT,атеплоемкость:
T
CE3Nk. (1.2.29)
Решеточнаятеплоемкостьоказываетсянезависящейоттемперату-ры.Длятвердоготелатеплоемкостиприпостоянномобъемеипосто-янномдавлениииз-занизкойсжимаемостисовпадают,поэтомуиндексVилирутеплоемкостиопущен.
Температурнаязависимостьтеплоемкоститвердоготелаоказыва-етсявеличинойпеременной,изменяющейсяот0(приT0)до3Nkпривысокихтемпературах.Теоретическийанализ,которыйпровелП.Дебай,показал,чтоэнергияколебанийкристаллическойрешеткиможетбытьпредставленавследующемвиде[1.3,1.9]:
Е3NkТD(t), (1.2.30)
гдеD(t)–функцияДебая,t:
T
3t
x3dx
te1
D(t) . (1.2.31)3 x
0
ПараметрименуетсятемпературойДебаяиявляетсяхарактери-стическойвеличинойдлятвердоготела.Привысокихтемпературах,
когдаT иt
1,функцияДебаястремитсякединице,иполучаем
(1.2.29).ПритемпературахмногоменьшетемпературыДебая,T(случай«низкихтемператур»),верхнийпределинтегралав(1.2.31)можнозаменитьнабесконечностьи,проинтегрировав(1.2.31),полу-
чаем:
34NkT4
Е ;
53
E T3
T
C .
Теплоемкостьтвердоготелапринизкихтемпературахменяетсяпокубическомузакону.
ДлякремниятемператураДебаясоставляет
689К
[1.10]и
практическиважныйдлямикросистемдиапазонтемператур200...400Коказываетсяпромежуточныммеждурассмотреннымивы-шеслучаями«высоких»и«низких»температур.Нарис.1.4приведена
температурнаязависимостьтеплопроводностидлякремния[1.11].
РезкоеуменьшениетеплоемкостипритемпературахмногонижетемпературыДебая,Т ,приводитодновременноикуменьшению
теплопроводности,k~Т3приТ0.
Помереростатемпературыначинаютборотьсядвафактора:
ростчислафононов,переносящихтепло,исоответственноросттеп-лоемкости;2)ростфононногорассеянияиуменьшениедлиныихсво-
бодногопробегапримернопозаконуl
1.Поэтомукоэффициентте-
Т
плопроводностипроходитчерезмаксимум.Натомжерис.1.4
приведенатемпературнаязависимостькоэффициентатеплопровод-ностидлянекоторыхвеществ.Важнейшийполупроводник–кремний
Коэффициенттеплопроводностиk,
Вт/(смК)
100
10
1
CuGaAs
Si
Ge
Алмаз(типаII)
Cu
Si
GaAsGe
0,1
1 10 100300 1000
Т,К
Рис.1.4.Температурнаязависимостьтеплопровод-ностиразличныхматериалов
имеетприкомнатнойтемпературевысокуютеплопроводность.Вкладэлектроноввобщуютеплопроводностькремния,хотяирастетпомереувеличенияконцентрациилегирующейпримеси,нодажедлясильно-
легированногокремния
81019
1непревышает1%отрешеточ-
см3
нойтеплопроводности.Определяющимоказываетсявлияниелегирую-щейпримесинарешеточнуютеплопроводность.Приконцентрации
примеси
k,Втсм–1К–1
1,5
1,0
0,5
N11018см3коэффициенттеплопроводностиуменьшается
из-завозрастающегорассеянияфононов.Нарис.1.5приведенасоответствующаязависимостьдлякремния,легированногомышьяком[1.10].
Поликристаллическиеиаморф-ныевеществаимеютмногораз-
0
–3
1016 1017 1018 10191020n,см
Рис.1.5.Влияниепримеси(мышья-ка)натеплопроводностькремния
личныхдефектов,накоторыхрас-
сеиваютсяфононы,поэтомуихтеплопроводностьвсегдаменьше,чемутвердоготелавмонокри-сталлическойформе.