
- •4 Оглавление
- •Глава1.Температурныеполявтермическихсенсорах........................ 17
- •Глава2.Термочувствительныеэлементы 105
- •Глава3.Примерыпрактическойреализациитермическихсенсоров
- •Глава4.Взаимодействиеизлученияствердымтелом 183
- •Глава5.Фотоэлектрическиеприемникиизлучения.Определения
- •Глава6.Равновесныеинеравновесныеносители заряда 271
- •Глава7.Физическиеосновыработыфотонныхприемниковизлу-
- •Глава8.Основныенаправленияразвитиятехникирегистрацииоптическогоизлучения 411
- •Теплотаитемпература
- •Способы теплопередачи:теплопроводность
- •Уравнениетеплопроводности
- •Теплопроводностьгазов
- •Теплопроводностьитеплоемкостьтвердыхтел
- •Теплопроводностьжидкостей
- •1.3.Радиационныйспособтеплопередачи
- •Основныепонятияизаконы
- •Радиационныйтеплообменмеждутвердымителами,
- •Теплообменмеждудвумятелами,одноизкоторыхнаходится
- •Конвективныйтеплообмен
- •Основныеособенностиконвективноготеплообмена
- •Основныеуравненияконвективноготеплообмена
- •Критериитеорииподобия
- •Вынужденнаяконвекциядляплоскойповерхности
- •Теплообменвусловияхестественнойконвекции
- •Естественнаяконвекция
- •Примеррасчетаконвективноготеплообмена
- •Cтационарныетемпературныеполявэлементахтермическихсенсоровиактюаторов
- •Распределениетемпературы
- •Передачатеплачерезстенку
- •Электростатическаяаналогияуравнениятеплопроводности
- •Тепловоесопротивлениесоставнойтеплопроводящейпла-стины.
- •Параллельное соединение двух разнородных тепловых
- •Температурноеполевинтегральнойконсольнойбалочке
- •Стационарноетемпературноеполевкруглойдиафрагме
- •Однородныйнагрев
- •Точечныйисточниктепла
- •Температурнаядинамикаэлементовтермическихсенсоров
- •Решениенаосновеэлектростатическойаналогии
- •Аналитическоерешениедлятеплообмена
- •2.1.ТермочувствительныеэлементынаосновеэффектАтермоЭдс
- •Физическиепроцессывтермопарах
- •ОбъемныесоставляющиетермоЭдс
- •КонтактнаясоставляющаятермоЭдс
- •2.1.2.Эффекттермоэдсвметаллахиполупроводниках
- •Термоэлектрическиеэффектыпельтьеитомсона
- •Терморезисторы
- •Металлическиетерморезисторы
- •Кремниевыетерморезисторы
- •Транзисторы
- •Термисторы
- •Термическийвакуумметр
- •Термическиесенсорыпотокагаза
- •Термоанемометры
- •Термоанемометрыснагревателемизполикристаллическогокремния
- •Термическийсенсор,чувствительныйкнаправлениюпотока
- •VXSxuxSxucos;
- •Термическийконверторсреднеквадратичногозначениянапряжения
- •Биморфныйтермомеханическийактюатор
- •Взаимодействиеизлучениясполупроводниками
- •Уравнениямаксвелла
- •Отражениеэлектромагнитногоизлученияотграницыразделадвухсред
- •Зависимостьоптическихконстантотчастоты
- •Интерференция.Просветляющиепокрытия
- •Поглощениевполупроводниках
- •Механизмыпоглощениясветавполупроводниках
- •Собственноепоглощение.Прямыепереходы
- •СобственноепоглощениеНепрямыепереходы
- •Экситонноепоглощение
- •Примесноепоглощение
- •Внутризонноепоглощение
- •Поглощениесвободныминосителямизаряда
- •Решеточноепоглощение
- •Приемникиизлучения
- •Поотношениюксопротивлениюнагрузки:
- •Методыизмеренияпараметровфотоэлектрическихполупроводниковыхприемников
- •0,1Fрезfэкв0,2fрез,
- •Энергетическиехарактеристикиизлучения
- •IbAcos.
- •IBdAcos,
- •Мощностьиспектральныйсоставизлученияабсолютночерныхтел
- •Энергетическийисветовойпотокиизлучения
- •Цветовоезрение
- •Xyz(условныеобозначениясм.Нарис.5.18):
- •Приемцветногоизображенияприпомощиприемников
- •650Нмсераялиния
- •Равновесныеинеравновесныеносителизаряда
- •Равновесныеносителизарядавполупроводниках
- •Неравновесныеносителизарядаквазиуровеньферми
- •Рекомбинацияносителейзарядавремяжизни
- •1Nстt
- •Механизмырекомбинации
- •Излучательнаярекомбинация
- •Imax 2g
- •Межзоннаяоже-рекомбинация
- •Рекомбинациячерезлокальныецентры
- •Поверхностнаярекомбинация
- •Распределениенеравновесныхносителейзаряда
- •Уравнениянепрерывностидляэлектроновидырок
- •Диффузионноеуравнение
- •Лавинныефотодиоды
- •Фотосопротивления
- •Фотоприемникинаосновеструктурметалл–диэлектрик–полупроводник
- •Приповерхностныеобластипространственногозаряда
- •10 Blip 10
- •Целипримененияоптическихсистемиихстроение
- •Болометрическиематрицы
- •Принципдействияихарактеристикитепловыхприемниковизлучения
- •Параметрытпи
- •Болометры
- •Линейчатыеиматричные
- •Составипринципработыизмерительногостенда
- •–Осьлинейкифотоприемников(лфп)иЛфпу;
- •Характеристикилинейчатыхфотоприемныхустройств
- •Тепловизионныематрицы
- •Линейчатыеиматричныепзи-приемникиизображениянаосновеInAs
- •Преобразованиесветовогопотокавцифровуюинформацию
- •Оцифровываниесигнала
- •Приборы,отображающиеоптическуюинформацию
- •ВикторАлексеевичГридчин,ИгорьГеоргиевичНеизвестный,ВладимирНиколаевичШумский физикамикросистем
- •Часть2Учебноепособие
- •630092,Г.Новосибирск,пр.К.Маркса,20
Поверхностнаярекомбинация
Дляполучениябольшоговременижизнинапрактикеведетсяпре-цизионнаяочисткаполупроводникаотвсехнежелательныхпримесей.Ноеслидажеихконцентрациясведенакминимуму,наповерхностиполупроводникавсегдаимеетсямногоадсорбированныхатомов,кото-
рыемогутсоздаватьаналогичныецентрырекомбинации[6.3].Поэтомувтонкомприповерхностномслоетемпрекомбинацииможетбытьоченьвысоким,асамаповерхностнаярекомбинациявтонкихобразцахможетпреобладатьнадобъемнымимеханизмами.Такимобразом,по-верхностнаярекомбинацияопределяетсяисключительносостояниемповерхностиивомногихслучаях,особеннодлятонкихслоевполу-проводника,являетсяосновнымвидомрекомбинации.
Отличиемрекомбинациинаповерхностиотрекомбинациивобъе-меслужиттообстоятельство,чтонаповерхностивозникаетзаряд,по-являетсяэлектрическоеполеиравновесныеконцентрацииэлектроновидырокнесовпадаютсихобъемнымизначениями.Болеетого,приоптическойгенерациивэтомполевозникаютпоперечныетоки.По-этомудляописаниярекомбинациинаповерхностинадорешатьдиф-фузионноеуравнениедляприповерхностногослоя,учитывая,чтовэтомслоеимеетсяэлектрическоеполеиградиентконцентрациирав-новесныхносителейзарядаичтовремяжизнивсамомэтомслоеотли-чаетсяотобъемного,посколькузависитотконцентрацииносителейзаряда.
Вомногихслучаяхзадачаможетбытьупрощенаивозможновве-
дениепонятияскоростиповерхностнойрекомбинации.Есликповерх-ностинетпроводящегоконтакта,товсегдаполныйтокчерезнееравеннулю.Следовательно,потокиэлектроновидыроккповерхностиоди-
наковыиравнычислуносителейзаряда1см2поверхностиза1с:
1 1
Qs,рекомбинирующихна
где
jnи
jn jpRs,
q q
jp–перпендикулярныекповерхностисоставляющие
электронногоидырочноготока,а
Rs–скоростьрекомбинациинапо-
верхности.Всоотношенииучтено,чтопотокитокдыроксовпадаютпонаправлению,адляэлектронов–онипротивоположны.Длявсехрассмотренныхранеепроцессоврекомбинациипревышениерекомби-нациинадтепловой(равновесной)генерациейвсегдапропорциональ-
норазностипроизведений
nspsns0ps0
(неравновесныхиравновес-
ныхконцентрацийэлектроновидырокнаповерхности)ипрималомотклоненииотравновесиялинейнозависитотизбыточнойконцентра-ции.Есливприповерхностномслоерекомбинацияпроисходиттакже
поодномуизэтихмеханизмов–черезуровнивзапрещеннойзоне,томожнозаписать,что
Rss(nspsns0ps0). (6.2.36)Принеслишкомбольшойскоростирекомбинациинаповерхности,
когдачислорекомбинирующихнаповерхностиэлектроновидырокневеликопосравнениюсихпотокаминаповерхностьиотповерхно-
сти,распределениеконцентрацииэлектроновидыроквприповерхно-стномслоезаписываетсякак
n n
exp0;p
pexp0;
s0 0
kT
s0 0
kT
0
0
nsnexp ;
pspexp ,
kT kT
где0–величинаизгибазонуповерхности.
Подставляяэтивеличинывуравнениедляскоростирекомбинациинаповерхности(6.2.36),получаем
Rss(npn0p0). (6.2.37)Такимобразом,вэтомпростейшемслучаечислоносителей,ре-
комбинирующихнаповерхностивединицувремени,зависиттолькоот
ихконцентрациивобъеменаграницеприповерхностногослоя,кото-рыйпредставляетсобойобластьпространственногозаряда–ОПЗ.Числоносителейзаряда,рекомбинирующихвсамойОПЗ,такжеопре-деляетсяэтойразностью,однакопрималойтолщинеОПЗрекомбина-циейвнейпренебрегают.Прималомотклоненииотравновесияанало-гичноранеепроделаннымвыкладкам(подпараграф6.2.2),учитывая,чтоpn,можнозаписать:
Rss(npn0p0)sn(n0p0n)sn. (6.2.38)
Входящийвэтовыражениекоэффициент
ss(n0p0n)
име-
етразмерностьскоростииназываетсяскоростьюповерхностнойре-
комбинации.Прималыхизбыточныхконцентрацияхнезависитотn.
ss(n0p0)и
Реальнонаповерхностимогутсуществоватьмедленныеибыстрые
уровни.Медленныеуровнинепосредственноврекомбинациинеуча-
ствуют.Такимобразом,считая,чтонаповерхностиимеетсятолькоуровеньбыстроготипа,ответственныйзарекомбинацию,сконцентра-циейсоответствующихцентровирасположенныйнарасстоянии
ECEt
нижедназоныпроводимости,вслучаебольцмановскогорас-
пределенияможнозаписать:
NstsnNspN(nspsns0ps0)
(6.2.39)
Rs
(nN
)
(pP )
snN s sCM spN s svM
искоростьповерхностнойрекомбинациивсоответствиис(6.2.38):
sN
stsnNspN
p0n0n
0
.
snNNsCMspNPsvMsnNnexp
spNpexp0
kT kT
(6.2.40)
Вэтомслучаекоэффициентыs,описывающиевероятностизахва-та,имеютразмерность[см–2с].Из(6.2.40)видно,чтоскоростьпо-верхностнойрекомбинациисильнозависитотвысотыбарьера.Посутиэтазависимостьосуществляетсячерезто,чтовысотабарьераопреде-ляетположениеуровнейрекомбинацииотносительноположенияуровняФерминаповерхности.Скоростьповерхностнойрекомбинации
достигаетмаксимумапри
nexp0
pexp0.Этаточка
snN
kT
spN
kT
находитсявблизиположения,когдаповерхностнаяпроводимостьдос-тигаетминимума.
Прибольшихуровняхвозбуждениявыражениедляскоростипо-верхностнойрекомбинацииусложняется,таккакприэтомначинаетменятьсязаряднамедленныхповерхностныхуровнях,вследствиечегоменяетсяиповерхностныйпотенциал0.Вобщемслучаенаповерхно-стисуществуетнаборуровнейискоростирекомбинациинанихнадоскладывать.Однакоэкспериментальноустановлено,чтовширокомдиапазонеповерхностныхпотенциаловвосновномтолькоотодногоизнихзависитповерхностнаярекомбинация.
Введеннаяуказаннымспособомскоростьповерхностнойрекомби-нацииявляетсяфактическиэффективнойскоростью,характеризующейвесьслойОПЗ.Подчеркнемдопущения,позволяющиеввестиs.Посуществудляэтогонеобходимо,чтобыосновнымпрепятствиемдля
рекомбинациивблизиинаповерхностибылипереходыэлектроновнаповерхностныеуровни.ОднакоприбольшойширинеОПЗиособенноприбольшойвысотебарьераосновнымпрепятствиемдлярекомбина-циинепосредственнонаповерхностиэлектронов(0kT)илидырок(–0kT)служитименноприповерхностныйслой.Вэтомслучаераспределениенеравновесныхдырок(электронов)неописываетсяраспределениемБольцманаивведениескоростиповерхностнойре-комбинацииуказаннымвышеспособомстановитсяневозможным.Во-общеговоря,еслигенерацияпроисходитвнеОПЗиуровеньвозбуж-дениямал,торекомбинациявОПЗинаповерхноститакжебудет
пропорциональна
(npn0p0)
награницесОПЗ.Еслижегенерация
(например,светом)происходитивОПЗ,тотемпрекомбинациивпри-поверхностномслоебудетужезависетьотраспределениягенерациипослою.
Мырассмотрелиосновныетипырекомбинацииносителейзарядаи
соответствующиеимзависимостивременижизнинеравновесныхно-сителейотположенияуровняФермипритепловомравновесии,оттемпературыиуровняинжекции.Приэтоммыподразумевали,чтоимеемделососреднимизначениямиизбыточнойконцентрации.Одна-коприрасчетефотоприемниковнеобходимоучитыватьреальноепро-странственноераспределениеизбыточнойконцентрацииэлектроновидырок,котороеможетсущественноотклонятьсяотоднородногоиз-занеоднородногопоглощениясветаипоследующейдиффузииносителейзаряда.Рассмотрениераспределенияносителейприоптическойгене-рациибудетпроведеновследующемпараграфе.