
- •4 Оглавление
- •Глава1.Температурныеполявтермическихсенсорах........................ 17
- •Глава2.Термочувствительныеэлементы 105
- •Глава3.Примерыпрактическойреализациитермическихсенсоров
- •Глава4.Взаимодействиеизлученияствердымтелом 183
- •Глава5.Фотоэлектрическиеприемникиизлучения.Определения
- •Глава6.Равновесныеинеравновесныеносители заряда 271
- •Глава7.Физическиеосновыработыфотонныхприемниковизлу-
- •Глава8.Основныенаправленияразвитиятехникирегистрацииоптическогоизлучения 411
- •Теплотаитемпература
- •Способы теплопередачи:теплопроводность
- •Уравнениетеплопроводности
- •Теплопроводностьгазов
- •Теплопроводностьитеплоемкостьтвердыхтел
- •Теплопроводностьжидкостей
- •1.3.Радиационныйспособтеплопередачи
- •Основныепонятияизаконы
- •Радиационныйтеплообменмеждутвердымителами,
- •Теплообменмеждудвумятелами,одноизкоторыхнаходится
- •Конвективныйтеплообмен
- •Основныеособенностиконвективноготеплообмена
- •Основныеуравненияконвективноготеплообмена
- •Критериитеорииподобия
- •Вынужденнаяконвекциядляплоскойповерхности
- •Теплообменвусловияхестественнойконвекции
- •Естественнаяконвекция
- •Примеррасчетаконвективноготеплообмена
- •Cтационарныетемпературныеполявэлементахтермическихсенсоровиактюаторов
- •Распределениетемпературы
- •Передачатеплачерезстенку
- •Электростатическаяаналогияуравнениятеплопроводности
- •Тепловоесопротивлениесоставнойтеплопроводящейпла-стины.
- •Параллельное соединение двух разнородных тепловых
- •Температурноеполевинтегральнойконсольнойбалочке
- •Стационарноетемпературноеполевкруглойдиафрагме
- •Однородныйнагрев
- •Точечныйисточниктепла
- •Температурнаядинамикаэлементовтермическихсенсоров
- •Решениенаосновеэлектростатическойаналогии
- •Аналитическоерешениедлятеплообмена
- •2.1.ТермочувствительныеэлементынаосновеэффектАтермоЭдс
- •Физическиепроцессывтермопарах
- •ОбъемныесоставляющиетермоЭдс
- •КонтактнаясоставляющаятермоЭдс
- •2.1.2.Эффекттермоэдсвметаллахиполупроводниках
- •Термоэлектрическиеэффектыпельтьеитомсона
- •Терморезисторы
- •Металлическиетерморезисторы
- •Кремниевыетерморезисторы
- •Транзисторы
- •Термисторы
- •Термическийвакуумметр
- •Термическиесенсорыпотокагаза
- •Термоанемометры
- •Термоанемометрыснагревателемизполикристаллическогокремния
- •Термическийсенсор,чувствительныйкнаправлениюпотока
- •VXSxuxSxucos;
- •Термическийконверторсреднеквадратичногозначениянапряжения
- •Биморфныйтермомеханическийактюатор
- •Взаимодействиеизлучениясполупроводниками
- •Уравнениямаксвелла
- •Отражениеэлектромагнитногоизлученияотграницыразделадвухсред
- •Зависимостьоптическихконстантотчастоты
- •Интерференция.Просветляющиепокрытия
- •Поглощениевполупроводниках
- •Механизмыпоглощениясветавполупроводниках
- •Собственноепоглощение.Прямыепереходы
- •СобственноепоглощениеНепрямыепереходы
- •Экситонноепоглощение
- •Примесноепоглощение
- •Внутризонноепоглощение
- •Поглощениесвободныминосителямизаряда
- •Решеточноепоглощение
- •Приемникиизлучения
- •Поотношениюксопротивлениюнагрузки:
- •Методыизмеренияпараметровфотоэлектрическихполупроводниковыхприемников
- •0,1Fрезfэкв0,2fрез,
- •Энергетическиехарактеристикиизлучения
- •IbAcos.
- •IBdAcos,
- •Мощностьиспектральныйсоставизлученияабсолютночерныхтел
- •Энергетическийисветовойпотокиизлучения
- •Цветовоезрение
- •Xyz(условныеобозначениясм.Нарис.5.18):
- •Приемцветногоизображенияприпомощиприемников
- •650Нмсераялиния
- •Равновесныеинеравновесныеносителизаряда
- •Равновесныеносителизарядавполупроводниках
- •Неравновесныеносителизарядаквазиуровеньферми
- •Рекомбинацияносителейзарядавремяжизни
- •1Nстt
- •Механизмырекомбинации
- •Излучательнаярекомбинация
- •Imax 2g
- •Межзоннаяоже-рекомбинация
- •Рекомбинациячерезлокальныецентры
- •Поверхностнаярекомбинация
- •Распределениенеравновесныхносителейзаряда
- •Уравнениянепрерывностидляэлектроновидырок
- •Диффузионноеуравнение
- •Лавинныефотодиоды
- •Фотосопротивления
- •Фотоприемникинаосновеструктурметалл–диэлектрик–полупроводник
- •Приповерхностныеобластипространственногозаряда
- •10 Blip 10
- •Целипримененияоптическихсистемиихстроение
- •Болометрическиематрицы
- •Принципдействияихарактеристикитепловыхприемниковизлучения
- •Параметрытпи
- •Болометры
- •Линейчатыеиматричные
- •Составипринципработыизмерительногостенда
- •–Осьлинейкифотоприемников(лфп)иЛфпу;
- •Характеристикилинейчатыхфотоприемныхустройств
- •Тепловизионныематрицы
- •Линейчатыеиматричныепзи-приемникиизображениянаосновеInAs
- •Преобразованиесветовогопотокавцифровуюинформацию
- •Оцифровываниесигнала
- •Приборы,отображающиеоптическуюинформацию
- •ВикторАлексеевичГридчин,ИгорьГеоргиевичНеизвестный,ВладимирНиколаевичШумский физикамикросистем
- •Часть2Учебноепособие
- •630092,Г.Новосибирск,пр.К.Маркса,20
Рекомбинацияносителейзарядавремяжизни
Какговорилосьвглаве4,собственноеилипримесноепоглощениесостоитвпереходеэлектронанаболеевысокийуровеньэнергии,вча-стности,присобственномпоглощении–извалентнойзонывзонупроводимости.Очевидно,чточислоэлектроноввзонепроводимостиичислосвободныхмест(дырок)ввалентнойзоненемогутнеограни-ченнорастиприосвещении.Электрон,оказавшисьвблизивакантногоуровняввалентнойзоне,способенперейтинанего,отдавизбытокэнергиирешетке.Такойпроцессможнопредставитькакгибельэлек-тронаидырки–рекомбинациюэлектронно-дырочнойпары.Когдачислорекомбинирующихпарвединицувременисравняетсясчисломгенерируемыхсветомпар,наступиттакназываемоестационарноесо-стояние,вкоторомконцентрациянеравновесныхносителейзаряданебудетизменятьсявовремени.
Рассмотримстационарноесостояниеподробнее.Одновременнос
рекомбинациейигенерациейносителейзарядасветомпроисходититепловаягенерацияэлектроновидырок,т.е.образованиеэлектронно-
дырочныхпарзасчетэнергиирешетки.Обозначимчерез
g0число
пар,создаваемыхтепловымвозбуждениемв1см3объемаза1с.Еслисветсоздаетgэлектронно-дырочныхпар,тополнаяскоростьгенера-
3
циибудетравнаg0g
пар/(смс).
Предположимтеперь,чторекомбинацияпроисходитпринепосред-ственномстолкновенииэлектронасдыркой,астолкновенияпроисхо-дяттемчаще,чембольшеконцентрацияэлектроновидырок.Тогдачислоэлектронно-дырочныхпар,рекомбинирующихв1см3объемаза
1с,можнопринятьравным
np,где–коэффициентрекомбинации,
которыйзависитотсвойствполупроводника,нонезависитотконцен-трацииэлектроновидырок.
Приэтихпредположенияхскоростьизмененияэлектронов(дырок)
вединицеобъемавединицувремениможнозаписатькак
dndpggdt dt 0
np. (6.1.7)
Очевидно,чтобезосвещенияскоростьгенерации
g0равнаскоро-
стирекомбинацииn0p0.Тогда(6.1.7)преобразуетсякак
dn
gnpn0p0. (6.1.7а)
dt
Ранеемыопределили,что
nn0n;pp0p.Подставляяэти
значенияв(6.1.7а)ипредполагая,чтовполупроводникеневозникаетобъемныйзаряд(np),получаем
dngn(npn). (6.1.8)
dt 0 0
Прималойизбыточнойконцентрации(n
dn
(n0p0)):
gn(n0p0)g(nn0)(n0p0). (6.1.9)
dt
Условиемалостиизбыточнойконцентрацииилиприближениема-лостиуровняинжекцииявляетсяхорошимприближениемдляболь-
шинстваслучаев,таккакобычноn
меньшеконцентрацииосновных
носителейзаряда,т.е.электроноввматериалеn-типаидыроквмате-риалер-типапроводимости.
Величина
(n0p0),независящаяотконцентрацииизбыточных
носителей
n,называетсяобратнымвременемжизнинеравновесных
носителейзарядаиобозначаетсякак1.Вэтомслучае(6.1.9)прини-маетследующийвид:
dngn. (6.1.10)
dt
Уравнение(6.1.10)позволяетполучитьзависимостьнарастанияне-равновеснойконцентрацииносителейзарядапослевключенияосве-
щенияиихспадапослевыключения.Пустьвмомент
t0освещение
включается,авмоментtt0–выключается,причемпромежутоквре-
мениt0
достаточновелик,такчтонеравновеснаяконцентрациядости-
гаетсвоегостационарногозначенияnст,независящегоотвремени.
Решениемуравнения(6.1.10)является:
–t
n(t)C1C2e,
аграничнымиусловиямистанет:
n(0)0;
n()nст.
Окончательнополучаем,чтоприосвещении
n(t)nст1e
t
, (6.1.11)
апослевыключенияосвещения
tt0
ntnстe
. (6.1.11а)
Таккакпридостижениистационарногозначенияконцентрацияиз-быточныхносителейнезависитотвремени,тоиз(6.1.10)следует,что
nстg. (6.1.12)
Нарис.6.4показанынарастаниеиспадконцентрациинеравновес-ныхносителейзарядадляполупроводникасовременемжизни,равным1мс,приg=1015см–3с–1.
Каквидноизрисунка,концентрациянеравновесныхносителей
достигаетстационарногозначениязавремя
t(4...5).Прималых
временахосвещения,когдаэкспонентуможноразложитьвряд,избы-точнаяконцентрацияравна
n(t)n tgt. (6.1.13)
ст
Δn(t),см–311012
11

0 2 4 6 8 10 12141618
t, мс
Рис.6.4.Зависимостьконцентрациинеравновесныхносителейзарядаотвременидляполупроводника:
g=1015см–3с–1;=1мс;
t0=10мс
Этоозначает,чтопрималомвремениосвещенияконцентрацияне-равновесныхносителейлинейнорастетсовременем.Спадконцентра-циипроисходитпоэкспоненциальномузакону,изавремячислоно-сителейзарядаубываетвераз.
Вслучаебольшойизбыточнойконцентрации,когдауравнение(6.1.8)переходитвуравнение:
n(n0p0),
dngn2. (6.1.14)
dt
Уравнение(6.1.14)даетвозможностьопределитьрелаксациюиз-быточнойконцентрациипослевыключенияосвещения.Действитель-
но,решением(6.1.14)приграничномусловииn0nст
является:
n(t)
nст