
- •4 Оглавление
- •Глава1.Температурныеполявтермическихсенсорах........................ 17
- •Глава2.Термочувствительныеэлементы 105
- •Глава3.Примерыпрактическойреализациитермическихсенсоров
- •Глава4.Взаимодействиеизлученияствердымтелом 183
- •Глава5.Фотоэлектрическиеприемникиизлучения.Определения
- •Глава6.Равновесныеинеравновесныеносители заряда 271
- •Глава7.Физическиеосновыработыфотонныхприемниковизлу-
- •Глава8.Основныенаправленияразвитиятехникирегистрацииоптическогоизлучения 411
- •Теплотаитемпература
- •Способы теплопередачи:теплопроводность
- •Уравнениетеплопроводности
- •Теплопроводностьгазов
- •Теплопроводностьитеплоемкостьтвердыхтел
- •Теплопроводностьжидкостей
- •1.3.Радиационныйспособтеплопередачи
- •Основныепонятияизаконы
- •Радиационныйтеплообменмеждутвердымителами,
- •Теплообменмеждудвумятелами,одноизкоторыхнаходится
- •Конвективныйтеплообмен
- •Основныеособенностиконвективноготеплообмена
- •Основныеуравненияконвективноготеплообмена
- •Критериитеорииподобия
- •Вынужденнаяконвекциядляплоскойповерхности
- •Теплообменвусловияхестественнойконвекции
- •Естественнаяконвекция
- •Примеррасчетаконвективноготеплообмена
- •Cтационарныетемпературныеполявэлементахтермическихсенсоровиактюаторов
- •Распределениетемпературы
- •Передачатеплачерезстенку
- •Электростатическаяаналогияуравнениятеплопроводности
- •Тепловоесопротивлениесоставнойтеплопроводящейпла-стины.
- •Параллельное соединение двух разнородных тепловых
- •Температурноеполевинтегральнойконсольнойбалочке
- •Стационарноетемпературноеполевкруглойдиафрагме
- •Однородныйнагрев
- •Точечныйисточниктепла
- •Температурнаядинамикаэлементовтермическихсенсоров
- •Решениенаосновеэлектростатическойаналогии
- •Аналитическоерешениедлятеплообмена
- •2.1.ТермочувствительныеэлементынаосновеэффектАтермоЭдс
- •Физическиепроцессывтермопарах
- •ОбъемныесоставляющиетермоЭдс
- •КонтактнаясоставляющаятермоЭдс
- •2.1.2.Эффекттермоэдсвметаллахиполупроводниках
- •Термоэлектрическиеэффектыпельтьеитомсона
- •Терморезисторы
- •Металлическиетерморезисторы
- •Кремниевыетерморезисторы
- •Транзисторы
- •Термисторы
- •Термическийвакуумметр
- •Термическиесенсорыпотокагаза
- •Термоанемометры
- •Термоанемометрыснагревателемизполикристаллическогокремния
- •Термическийсенсор,чувствительныйкнаправлениюпотока
- •VXSxuxSxucos;
- •Термическийконверторсреднеквадратичногозначениянапряжения
- •Биморфныйтермомеханическийактюатор
- •Взаимодействиеизлучениясполупроводниками
- •Уравнениямаксвелла
- •Отражениеэлектромагнитногоизлученияотграницыразделадвухсред
- •Зависимостьоптическихконстантотчастоты
- •Интерференция.Просветляющиепокрытия
- •Поглощениевполупроводниках
- •Механизмыпоглощениясветавполупроводниках
- •Собственноепоглощение.Прямыепереходы
- •СобственноепоглощениеНепрямыепереходы
- •Экситонноепоглощение
- •Примесноепоглощение
- •Внутризонноепоглощение
- •Поглощениесвободныминосителямизаряда
- •Решеточноепоглощение
- •Приемникиизлучения
- •Поотношениюксопротивлениюнагрузки:
- •Методыизмеренияпараметровфотоэлектрическихполупроводниковыхприемников
- •0,1Fрезfэкв0,2fрез,
- •Энергетическиехарактеристикиизлучения
- •IbAcos.
- •IBdAcos,
- •Мощностьиспектральныйсоставизлученияабсолютночерныхтел
- •Энергетическийисветовойпотокиизлучения
- •Цветовоезрение
- •Xyz(условныеобозначениясм.Нарис.5.18):
- •Приемцветногоизображенияприпомощиприемников
- •650Нмсераялиния
- •Равновесныеинеравновесныеносителизаряда
- •Равновесныеносителизарядавполупроводниках
- •Неравновесныеносителизарядаквазиуровеньферми
- •Рекомбинацияносителейзарядавремяжизни
- •1Nстt
- •Механизмырекомбинации
- •Излучательнаярекомбинация
- •Imax 2g
- •Межзоннаяоже-рекомбинация
- •Рекомбинациячерезлокальныецентры
- •Поверхностнаярекомбинация
- •Распределениенеравновесныхносителейзаряда
- •Уравнениянепрерывностидляэлектроновидырок
- •Диффузионноеуравнение
- •Лавинныефотодиоды
- •Фотосопротивления
- •Фотоприемникинаосновеструктурметалл–диэлектрик–полупроводник
- •Приповерхностныеобластипространственногозаряда
- •10 Blip 10
- •Целипримененияоптическихсистемиихстроение
- •Болометрическиематрицы
- •Принципдействияихарактеристикитепловыхприемниковизлучения
- •Параметрытпи
- •Болометры
- •Линейчатыеиматричные
- •Составипринципработыизмерительногостенда
- •–Осьлинейкифотоприемников(лфп)иЛфпу;
- •Характеристикилинейчатыхфотоприемныхустройств
- •Тепловизионныематрицы
- •Линейчатыеиматричныепзи-приемникиизображениянаосновеInAs
- •Преобразованиесветовогопотокавцифровуюинформацию
- •Оцифровываниесигнала
- •Приборы,отображающиеоптическуюинформацию
- •ВикторАлексеевичГридчин,ИгорьГеоргиевичНеизвестный,ВладимирНиколаевичШумский физикамикросистем
- •Часть2Учебноепособие
- •630092,Г.Новосибирск,пр.К.Маркса,20
Неравновесныеносителизарядаквазиуровеньферми
Впредыдущейглавебылирассмотреныосновныемеханизмыпо-глощенияизлучениявполупроводниках.Фотоактивноепоглощение(генерация)приэтомведеткизменениюпроводимостиобразцовзасчетпоявлениянеравновесных(поотношениюкслучаюбезосвеще-ния)носителейзаряда.Есливтемнотеконцентрацииэлектроновиды-роквполупроводникеn0иp0,топриосвещениионистановятсяnn0n;pp0p.Поведениенеравновесныхносителейзарядаопределяется:
процессамирекомбинации,втомчисле–поверхностнойреком-бинации,уменьшающимиконцентрациюнеравновесныхносителейзаряда;
процессамидиффузииидрейфавэлектрическомполе,опреде-ляющими,совместносрекомбинационнымипроцессами,распределе-
ниенеравновесныхносителейзарядапотолщинеобразцов.
Рассмотримвобщихчертахпроцессыгенерацииирекомбинации
носителейзаряда.
Прирассмотрениираспределенияэлектроновидырокпоуровням
энергиивполупроводнике,находящемсявтепловомравновесиисок-ружающейсредой,мынеинтересовались,какимпутембылодостигнутоэторавновесие.Однакоприрассмотрениинеравновесныхносителейзаряданеобходимопроанализироватьсоответствующиемеханизмыэлектронныхпереходов.
Процессгенерации,т.е.появлениесвободныхносителейзаряда,можетосуществлятьсяразнымипутями.Нижемыбудемрассматри-ватьэлектронныепереходытолькоподвоздействиемквантасвета,передающегоэлектронуэнергиюh.Каждомутакомупроцессувоз-
буждениясоответствуетпроцессрекомбинации,т.е.потеряэлектро-номприобретеннойэнергииивозвращениевпервоначальноесостоя-ние.Соответствиепроцессовгенерацииирекомбинацииведеткопре-деленнымсоотношениямскоростейэтихпроцессов.Связьмеждускоростямигенерацииирекомбинацииосновываетсянапринципеде-тальногоравновесия,которыйможносформулироватьследующимоб-разом:всистеме,находящейсявтепловомравновесии,скоростипря-мыхиобратныхпереходовравныиуравновешенывдеталях.Сэтимпринципомсвязанпринципмикроскопическойнеобратимости,всоот-ветствиискоторымвероятностипереходовпрямыхиобратныхпро-цессовравны.Последнийпринципприменимтакжеиксистемам,ненаходящимсявтермодинамическомравновесии.
Рассмотримпринципдетальногоравновесиянапримерепримене-нияегокпроцессамгенерацииирекомбинации.Пустьполупроводникнаходитсявсостояниитермодинамическогоравновесияичастьэлек-тронно-дырочныхпарвнемгенерируетсязасчетпоглощенияизлуче-нияфона,т.е.излученияокружающимителами.Тогдаобщееравнове-сиесводитсяктому,чтоколичествоэлектронно-дырочныхпар,котороегенерируетсязасчетпоглощенияизлученияфона,равняетсяколичествуэлектронно-дырочныхпар,рекомбинирующихсиспуска-ниемфотона.Длявыполненияпринципадетальногоравновесияэтогонедостаточноитребуется,чтобы,крометого,излучениеимелототжеспектральныйсоставираспределениепополяризацииипоуглам.
Когдавнешнимвоздействиемнарушаетсясостояниетеплового
равновесия,прямыеиобратныепереходынеуравновешиваютсяболь-шенивцелом,нивдеталях.Избыточныеносителизарядавозбужда-ютсязасчетпоглощенияквантовизлучения,носовсемнеобязательноисчезаютсиспусканиемкванта.Однако,хотяравновесиенарушается,вероятностипрямыхиобратныхпереходовостаютсятемиже,чтоивтермодинамическиравновесныхусловиях.Рассчитавэтивероятностидляравновесныхусловий,можноиспользоватьполученныеданныеприотклоненииотравновесия.
Какговорилосьранее,вполупроводнике,находящемсявтепловом
равновесии,концентрацииэлектроновидырокоднозначноопределя-ютсяположениемуровняФерми,которыйявляетсяоднимитемжедляэлектроновидырок.
ПринеравновесномсостояниивполупроводникеШоклидляха-
рактеристикиконцентрацииэлектроновидыроквразрешенныхзонах
предложилиспользоватьтакназываемыеквазиуровниФерми.Дляконцентрациинеравновесныхносителейзарядаполнуюконцентрациюэлектроноввзонепроводимостиможнозаписатьаналогично(6.1.2а):
n
EC
gEPeE,TdENC1/2(), (6.1.6)
2
x12dx
EEC
n
где
()
;x
;E
E; ,а
1/2
kT n Fn C n kT
x

PeE,T–вероятностьзаполненияэлектрономуровнясэнергиейE.
Величина
EFn
называетсяквазиуровнемФермидляэлектронови
полностьюопределяетихконцентрацию.Аналогичноерассмотрение
можнопровестидлядырокиввестиквазиуровеньФермидлядырок–
EFp,которыйполностьюопределяетконцентрациюдырок.Такимоб-разом,вравновесномсостоянииконцентрациюносителейзарядаопре-деляетединыйуровеньФерми,авнеравновесномсостоянии–дваква-зиуровня.
ОднакоестьбольшоеотличиемеждууровнемиквазиуровнемФерми.ЕслиуровеньФермиобеспечиваетраспределениеэлектроновпоэнергиивзонепроводимости,товеличинаквазиуровняФермиха-
рактеризуетлишьполнуюконцентрациюэлектроноввзонеиникакнекасаетсяраспределенияихпоэнергии.Иллюстрациейкэтомуположе-ниюслужитрис.6.3.
g(E),n(E)=g(E)f(E),g(E)Pе(E)
g(E)
б
g(E)Pе(E)
а
n(E)=g(E)f(E)
Е,произв.ед.
Рис.6.3.Зависимостьфункциираспределенияэлектронов,концентрацииэлектроноввравно-весииипроизведенияg(E)Pe(E)отэнергии
Наэтомрисункепоказаназависимостьфункциираспределения
электроновпоэнергии
g(E),которая,естественно,однаитажедля
тепловогоравновесияиотклоненияотнего.Крометого,здесьжепри-
веденораспределениеэлектроновпоэнергии
n(E)g(E)f(E)
при
равновесииинаконецпроизведение
gEPeE,где
PeE
функция,
определяющаяраспределениепоэнергиинеравновесныхэлектроновдлядвухслучаевгенерацииприотклоненииотравновесия.Длякривойа
PeE
f(E),адлякривойб
PeE
имеетмаксимумпринекоторой
энергии.Еслиплощадиподэтимикривымиодинаковы,то,каквидноиз(6.1.6),полныеконцентрацииэлектроноввзонепроводимостиоди-наковыиквазиуровеньФермидляобоихслучаеводинитотже,хотяэтидвекривыесильноотличаютсядруготдруга.