
- •4 Оглавление
- •Глава1.Температурныеполявтермическихсенсорах........................ 17
- •Глава2.Термочувствительныеэлементы 105
- •Глава3.Примерыпрактическойреализациитермическихсенсоров
- •Глава4.Взаимодействиеизлученияствердымтелом 183
- •Глава5.Фотоэлектрическиеприемникиизлучения.Определения
- •Глава6.Равновесныеинеравновесныеносители заряда 271
- •Глава7.Физическиеосновыработыфотонныхприемниковизлу-
- •Глава8.Основныенаправленияразвитиятехникирегистрацииоптическогоизлучения 411
- •Теплотаитемпература
- •Способы теплопередачи:теплопроводность
- •Уравнениетеплопроводности
- •Теплопроводностьгазов
- •Теплопроводностьитеплоемкостьтвердыхтел
- •Теплопроводностьжидкостей
- •1.3.Радиационныйспособтеплопередачи
- •Основныепонятияизаконы
- •Радиационныйтеплообменмеждутвердымителами,
- •Теплообменмеждудвумятелами,одноизкоторыхнаходится
- •Конвективныйтеплообмен
- •Основныеособенностиконвективноготеплообмена
- •Основныеуравненияконвективноготеплообмена
- •Критериитеорииподобия
- •Вынужденнаяконвекциядляплоскойповерхности
- •Теплообменвусловияхестественнойконвекции
- •Естественнаяконвекция
- •Примеррасчетаконвективноготеплообмена
- •Cтационарныетемпературныеполявэлементахтермическихсенсоровиактюаторов
- •Распределениетемпературы
- •Передачатеплачерезстенку
- •Электростатическаяаналогияуравнениятеплопроводности
- •Тепловоесопротивлениесоставнойтеплопроводящейпла-стины.
- •Параллельное соединение двух разнородных тепловых
- •Температурноеполевинтегральнойконсольнойбалочке
- •Стационарноетемпературноеполевкруглойдиафрагме
- •Однородныйнагрев
- •Точечныйисточниктепла
- •Температурнаядинамикаэлементовтермическихсенсоров
- •Решениенаосновеэлектростатическойаналогии
- •Аналитическоерешениедлятеплообмена
- •2.1.ТермочувствительныеэлементынаосновеэффектАтермоЭдс
- •Физическиепроцессывтермопарах
- •ОбъемныесоставляющиетермоЭдс
- •КонтактнаясоставляющаятермоЭдс
- •2.1.2.Эффекттермоэдсвметаллахиполупроводниках
- •Термоэлектрическиеэффектыпельтьеитомсона
- •Терморезисторы
- •Металлическиетерморезисторы
- •Кремниевыетерморезисторы
- •Транзисторы
- •Термисторы
- •Термическийвакуумметр
- •Термическиесенсорыпотокагаза
- •Термоанемометры
- •Термоанемометрыснагревателемизполикристаллическогокремния
- •Термическийсенсор,чувствительныйкнаправлениюпотока
- •VXSxuxSxucos;
- •Термическийконверторсреднеквадратичногозначениянапряжения
- •Биморфныйтермомеханическийактюатор
- •Взаимодействиеизлучениясполупроводниками
- •Уравнениямаксвелла
- •Отражениеэлектромагнитногоизлученияотграницыразделадвухсред
- •Зависимостьоптическихконстантотчастоты
- •Интерференция.Просветляющиепокрытия
- •Поглощениевполупроводниках
- •Механизмыпоглощениясветавполупроводниках
- •Собственноепоглощение.Прямыепереходы
- •СобственноепоглощениеНепрямыепереходы
- •Экситонноепоглощение
- •Примесноепоглощение
- •Внутризонноепоглощение
- •Поглощениесвободныминосителямизаряда
- •Решеточноепоглощение
- •Приемникиизлучения
- •Поотношениюксопротивлениюнагрузки:
- •Методыизмеренияпараметровфотоэлектрическихполупроводниковыхприемников
- •0,1Fрезfэкв0,2fрез,
- •Энергетическиехарактеристикиизлучения
- •IbAcos.
- •IBdAcos,
- •Мощностьиспектральныйсоставизлученияабсолютночерныхтел
- •Энергетическийисветовойпотокиизлучения
- •Цветовоезрение
- •Xyz(условныеобозначениясм.Нарис.5.18):
- •Приемцветногоизображенияприпомощиприемников
- •650Нмсераялиния
- •Равновесныеинеравновесныеносителизаряда
- •Равновесныеносителизарядавполупроводниках
- •Неравновесныеносителизарядаквазиуровеньферми
- •Рекомбинацияносителейзарядавремяжизни
- •1Nстt
- •Механизмырекомбинации
- •Излучательнаярекомбинация
- •Imax 2g
- •Межзоннаяоже-рекомбинация
- •Рекомбинациячерезлокальныецентры
- •Поверхностнаярекомбинация
- •Распределениенеравновесныхносителейзаряда
- •Уравнениянепрерывностидляэлектроновидырок
- •Диффузионноеуравнение
- •Лавинныефотодиоды
- •Фотосопротивления
- •Фотоприемникинаосновеструктурметалл–диэлектрик–полупроводник
- •Приповерхностныеобластипространственногозаряда
- •10 Blip 10
- •Целипримененияоптическихсистемиихстроение
- •Болометрическиематрицы
- •Принципдействияихарактеристикитепловыхприемниковизлучения
- •Параметрытпи
- •Болометры
- •Линейчатыеиматричные
- •Составипринципработыизмерительногостенда
- •–Осьлинейкифотоприемников(лфп)иЛфпу;
- •Характеристикилинейчатыхфотоприемныхустройств
- •Тепловизионныематрицы
- •Линейчатыеиматричныепзи-приемникиизображениянаосновеInAs
- •Преобразованиесветовогопотокавцифровуюинформацию
- •Оцифровываниесигнала
- •Приборы,отображающиеоптическуюинформацию
- •ВикторАлексеевичГридчин,ИгорьГеоргиевичНеизвестный,ВладимирНиколаевичШумский физикамикросистем
- •Часть2Учебноепособие
- •630092,Г.Новосибирск,пр.К.Маркса,20
Теплопроводностьгазов
Дляколичественногоописаниятемпературныхполейэлементовмикросистемнойтехникинеобходимытеплофизическиехарактеристи-кикакматериаловмикросистем,такиокружающейихсреды.
Какследуетизуравнения(1.2.5),важнейшеезначениеимеютко-эффициенттеплопроводностиитеплоемкостьвещества.Обеэтиха-рактеристикиразличаютсяповеличинеипохарактерутемпературных
зависимостейдлягазов,твердыхтелижидкостей.Вначалерассмотримэтихарактеристикидлягаза.
Теплопроводностьгазоввозникаетблагодаряпереносуэнергии
молекуламиизобластисповышеннойтемпературойвобласть,гдетемператураниже.Числомолекул,пересекающихповерхностьразделаэтихобластей,одинаководляпереходовизгорячейобластивхолод-нуюиобратно.Однакосредняяэнергия,приходящаясянаоднумо-лекулу,зависитоттемпературыиразличнадляразныхобластей:
3kT
2
(1.2.16)
ипоэтомувозникаетпереностепла,пропорциональныйградиентутемпературы,какэтоиотраженовзаконеФурье.
Количествотепла,переносимоемолекулами,будеттембольше,
чембольшеихконцентрация,вышескоростьибольшедлинасвобод-ногопробега.Элементарнаятеория[1.6]даетдлякоэффициентатеп-лопроводностивыражение:
k1nv, (1.2.17)
3 T
гдеnиv–концентрацияисредняяскоростьдвижениямолекул;–
длинасвободногопробега;
CVT
–удельнаятеплоемкостьприпо-
стоянномобъемевпересчетенаоднумолекулу.
Дляидеальногогаза,какследуетиз(1.2.16),удельнаятеплоемкость
постояннаиравна
C3k,асредняяскоростьвозрастаетстемпера-
туройпозакону
V 2
v 3kTm
. (1.2.18)
Длинасвободногопробегамолекулзависитотихконцентрации
nиэффективногосечениярассеяниярассеяниямолекул)иравна:
d2
(d–диаметрсечения
1
nd2
, (1.2.19)
2
гдеn–концентрациямолекулгаза.
Видеальномгазеконцентрациямолекулnвобъемеидавлениесвязаныуравнениемсостояния:
pNkT,
V
гдеN–общеечисломолекулвобъемеV.
Дляединичногообъемабодногопробегаполучаем
V1,Nn
ииз(1.2.19)длядлинысво-
kT
2d2
1, (1.2.20)
p
подставляя(1.2.18)...(1.2.20)вобщеевыражениедлякоэффициентатеплопроводности(1.2.17),находим:
1
k3kT2
k. (1.2.21)
8md2
Теплопроводностьидеальныхгазовоказывается,такимобразом,независящейотдавленияивозрастающейстемпературойпозакону T.Экспериментальныезависимостикоэффициентовтеплопроводно-
стинекоторыхгазовприведенынарис.1.3.
k,Вт/(мК)
0,8
0,7
0,6 1
0,5
0,4
0,3
3
0,2
0,1
0
H2
2
He
4 О2
5
CO2 6
250 350 450 550 650 750 850
t,С
Рис.1.3.Экспериментальныезависимостикоэффициентовтеплопро-водностинекоторыхгазовижидкостей:
1–вода(налиниинасыщения);2–глицерин;3–бензол;4–легкоемасло;5–фреон-12;6–воздух;даны зависимостидлякислородаиуглекислогогаза
Абсолютнаявеличинакоэффициентатеплопроводностидляболь-
шинствагазовневеликаипринормальныхусловиях(t0Cи
p1атм)оказываетсяменьше0,03Bт/(мК).
Выражениедлякоэффициентатеплопроводности(1.2.21)справед-ливопривыполнениидвухусловий:
1)Dd; 2)L.
Первоенеравенствоозначает,чтосреднеерасстояниемеждумоле-куламидолжнобытьмногобольшеразмеровсамихмолекул.Вэтомслучаегазможнорассматриватькакидеальныйивзаимодействиеммолекулможнопренебречь.Второенеравенствопоказывает,чтодлинасвободногопробегамолекулдолжнабытьмногоменьшерасстояниямеждуповерхностямиL,которыеобмениваютсятепломчерезгазо-
вуюсреду.Вэтомслучаетеплопереноситсяврезультатемногократ-ныхстолкновениймолекулгазамеждусобой,из-зачегодлинасвобод-ногопробегаиконцентрациямолекулгазаоказываютсясвязаннымисоотношением(1.2.20).
Вреальныхусловияхэлементымикросистемработаютпридавле-
нияхгаза,когдапервоенеравенствовыполняетсяхорошо.Второене-равенствопрималыхдавленияхперестаетсоблюдаться.
Какпоказываетчисленнаяоценкапо(1.2.20),придавлениивоздуха50ммрт.ст.длинасвободногопробегасоставляетоколо1мкм.Такиерасстояниямеждутеплообменивающимисяповерхностямивполнереализуютсяметодамимикросистемныхтехнологий.ЕслирасстояниеLмеждутеплообменивающимисяповерхностямистановитсясопоста-вимымсдлинойсвободногопробега,товыражениедлякоэффициентатеплопроводностигазов(1.2.21)изменяется.
Рассмотримпроцесспереносатепламеждудвумяпластинами,раз-деленнымипромежуткомL,заполненнымгазомсдавлениемp.Вслучаемалогодавления,когдадлинасвободногопробега‰L,моле-
кулымогутбезстолкновенийпереноситьэнергиюотоднойпластиныкдругой.Вэтомслучаерольдлинысвободногопробегаиграетрас-стояниемеждупластинами,котороенезависитниотдавления,ниоттемпературы.ЗаменяянаLвсоотношении(1.2.17),получаемвы-ражениедлякоэффициентатеплопроводностигаза‰L:
kL3p
2
k. (1.2.22)
mT
Теплопроводностьгазовпрималыхплотностяхоказываетсястрогопропорциональнойдавлению.Давлениегаза,прикоторомвыполняется
условиеравно
L,именуетсяпороговым
pп.Из(1.2.20)следует,чтооно
pп
kT
d2L
. (1.2.23)
2
Удельнаятепловаяпроводимостьмеждудвумяпластинамидля
случая
L
такжеоказываетсяпропорциональнойдавлениюисо-
ставляет
Gk 3pL 2
k. (1.2.24)
mT
Болееудобнойявляетсяэквивалентнаяформавыражения(1.2.24):
GG
p, (1.2.25)
где
0
p0
G0–удельнаятепловаяпроводимостьпринекоторомопорном
давлении
p0.Есливыбрать
p01Па,тодлявоздухаG0 1Bт/(мК).
Придавлении
p>>pп
тепловаяпроводимостьопределяетсяпо
(1.2.21)иотдавлениянезависит.
Практическиваженслучайпереносатеплавструктурах,гдерас-стояниемеждупластинамиоказываетсяпорядкадлинысвободногопробега,~L.Здесьвозможенпереносэнергиимолекуламикакпря-
моотпластиныкпластине,такипослерядастолкновенийсдругимимолекуламигаза.Тепловаяпроводимостьмеждупластинамиприбли-женноможетбытьпредставленавследующемвиде[1.7]:
Gрk
G
G
0
p0L
pk
, (1.2.26)
0
p0 L
гдекоэффициентзависитотприродыгаза.Физическиформула(1.2.26)отражаетпроцесспереносатепладвумяпараллельнодейст-
вующимимеханизмами.Зависимостьтепловойпроводимостиотдав-
ленияноситсложныйхарактер.Областьлинейногоподавлениюизме-нения тепловой проводимости ограничена сверху пороговым
давлением
рpп,еслиопределяющимистановятсястолкновениямо-
лекулмеждусобой.Вобластивысокоговакуума,когдатеплопровод-ностьгазастановитсяоченьмалой,определяющейявляетсятеплопро-
водностьчерезподдерживающиеэлектродыGэ
итепловоеизлучение
пластинGп.Припроектированииэлементовмикросистемнойтехники,работающихввакууме,конструкциюстремятсявыбиратьтакимобра-зом,чтобысуммаGэGпбыламинимальна.