Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
gridchin.docx
Скачиваний:
0
Добавлен:
01.03.2025
Размер:
5.77 Mб
Скачать
        1. Внутризонноепоглощение

Валентнаязонабольшинстваполупроводниковсостоитизтрехподзон,как,например,вгермании(рис.4.15).Имеютсяподзоны«тя-

желых»и«легких»дырок,которыевырожденыпри

k0,иподзона,

отщепленнаяотнихзасчетспин-орбитальноговзаимодействия.Впо-лупроводникахстакимэнергетическимстроением,когдауровеньФермирасполагаетсявблизивалентнойзоны,возможныоптическиепереходы,какэтопоказанонарис.4.15.

E

Ev1

а

v

b

с E

2

Ev3k

Рис.4.15.Схематическаядиаграммасизо-бражениемвалентныхподзонивозможных

междузонныхпереходов[4.15]

Какотмечалосьвпредыдущемподпараграфе,оптическиемежду-зонныепереходывозможны,когдаэлектронпереходитвлежащеевы-шепустоесостояние.Этоограничиваетобластьпереходовдостаточноузкойобластьюэнергийупотолкавалентнойзоны(условнопоказанонарис.4.15горизонтальнойлинией).Ввалентнойзонесэнергетиче-скойструктурой(рис.4.15)возможнытритипапереходов:aиззоны

легкихдырок

Ev2взонутяжелыхдырок

Ev1;bизспин-орбитально

отщепленнойзоны

Ev3взонутяжелыхдырок

Ev1;cизспин-

орбитальноотщепленнойзоны

Ev3взонулегкихдырок

Ev2.Коэффи-

циентпоглощениязависитотстепенилегированияматериала,пропор-ционаленконцентрациидырокиненаблюдаетсявматериалеп-типапроводимости.Нарис.4.16показанаспектральнаязависимостькоэф-фициентапоглощениядлягермания.

Коэффициентпоглощения,см–1

200

100

80

60

50

40

30

20

10

8

6

5

4

3

2

1

0,02 0,050,1 0,2 0,5 1,0

Энергияфотона,эВ

Рис.4.16.Коэффициентпоглощенияпривнутризон-ныхпереходахвгерманиир-типапроводимости:

сплошнаялиния–Т=300К;штриховая–Т=77К[4.15]

Пиксэнергией0,4эВотноситсякпереходам

EvEv,апикс

энергией0,3эВ–кпереходамEv

3 1

Ev.Принизкихтемпературах,

3 2

когдауровеньФермиблизкоподходитквалентнойзоне,этидвапиканеразрешаютсяисливаютсяводин.Наконец,широкийпикпрималых

энергияхфотонаприписываетсяпереходамEv

Ev.

2 1

Вполупроводникахп-типавозможнывнутризонныепереходыме-ждуразличнымиподзонамизоныпроводимости.Интенсивностьэтихпереходовзависитотэнергетическойструктурыполупроводникаивозрастаетсростомконцентрацииэлектронов,причемвозможныкакпрямые,такинепрямыепереходы.

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]