
- •4 Оглавление
- •Глава1.Температурныеполявтермическихсенсорах........................ 17
- •Глава2.Термочувствительныеэлементы 105
- •Глава3.Примерыпрактическойреализациитермическихсенсоров
- •Глава4.Взаимодействиеизлученияствердымтелом 183
- •Глава5.Фотоэлектрическиеприемникиизлучения.Определения
- •Глава6.Равновесныеинеравновесныеносители заряда 271
- •Глава7.Физическиеосновыработыфотонныхприемниковизлу-
- •Глава8.Основныенаправленияразвитиятехникирегистрацииоптическогоизлучения 411
- •Теплотаитемпература
- •Способы теплопередачи:теплопроводность
- •Уравнениетеплопроводности
- •Теплопроводностьгазов
- •Теплопроводностьитеплоемкостьтвердыхтел
- •Теплопроводностьжидкостей
- •1.3.Радиационныйспособтеплопередачи
- •Основныепонятияизаконы
- •Радиационныйтеплообменмеждутвердымителами,
- •Теплообменмеждудвумятелами,одноизкоторыхнаходится
- •Конвективныйтеплообмен
- •Основныеособенностиконвективноготеплообмена
- •Основныеуравненияконвективноготеплообмена
- •Критериитеорииподобия
- •Вынужденнаяконвекциядляплоскойповерхности
- •Теплообменвусловияхестественнойконвекции
- •Естественнаяконвекция
- •Примеррасчетаконвективноготеплообмена
- •Cтационарныетемпературныеполявэлементахтермическихсенсоровиактюаторов
- •Распределениетемпературы
- •Передачатеплачерезстенку
- •Электростатическаяаналогияуравнениятеплопроводности
- •Тепловоесопротивлениесоставнойтеплопроводящейпла-стины.
- •Параллельное соединение двух разнородных тепловых
- •Температурноеполевинтегральнойконсольнойбалочке
- •Стационарноетемпературноеполевкруглойдиафрагме
- •Однородныйнагрев
- •Точечныйисточниктепла
- •Температурнаядинамикаэлементовтермическихсенсоров
- •Решениенаосновеэлектростатическойаналогии
- •Аналитическоерешениедлятеплообмена
- •2.1.ТермочувствительныеэлементынаосновеэффектАтермоЭдс
- •Физическиепроцессывтермопарах
- •ОбъемныесоставляющиетермоЭдс
- •КонтактнаясоставляющаятермоЭдс
- •2.1.2.Эффекттермоэдсвметаллахиполупроводниках
- •Термоэлектрическиеэффектыпельтьеитомсона
- •Терморезисторы
- •Металлическиетерморезисторы
- •Кремниевыетерморезисторы
- •Транзисторы
- •Термисторы
- •Термическийвакуумметр
- •Термическиесенсорыпотокагаза
- •Термоанемометры
- •Термоанемометрыснагревателемизполикристаллическогокремния
- •Термическийсенсор,чувствительныйкнаправлениюпотока
- •VXSxuxSxucos;
- •Термическийконверторсреднеквадратичногозначениянапряжения
- •Биморфныйтермомеханическийактюатор
- •Взаимодействиеизлучениясполупроводниками
- •Уравнениямаксвелла
- •Отражениеэлектромагнитногоизлученияотграницыразделадвухсред
- •Зависимостьоптическихконстантотчастоты
- •Интерференция.Просветляющиепокрытия
- •Поглощениевполупроводниках
- •Механизмыпоглощениясветавполупроводниках
- •Собственноепоглощение.Прямыепереходы
- •СобственноепоглощениеНепрямыепереходы
- •Экситонноепоглощение
- •Примесноепоглощение
- •Внутризонноепоглощение
- •Поглощениесвободныминосителямизаряда
- •Решеточноепоглощение
- •Приемникиизлучения
- •Поотношениюксопротивлениюнагрузки:
- •Методыизмеренияпараметровфотоэлектрическихполупроводниковыхприемников
- •0,1Fрезfэкв0,2fрез,
- •Энергетическиехарактеристикиизлучения
- •IbAcos.
- •IBdAcos,
- •Мощностьиспектральныйсоставизлученияабсолютночерныхтел
- •Энергетическийисветовойпотокиизлучения
- •Цветовоезрение
- •Xyz(условныеобозначениясм.Нарис.5.18):
- •Приемцветногоизображенияприпомощиприемников
- •650Нмсераялиния
- •Равновесныеинеравновесныеносителизаряда
- •Равновесныеносителизарядавполупроводниках
- •Неравновесныеносителизарядаквазиуровеньферми
- •Рекомбинацияносителейзарядавремяжизни
- •1Nстt
- •Механизмырекомбинации
- •Излучательнаярекомбинация
- •Imax 2g
- •Межзоннаяоже-рекомбинация
- •Рекомбинациячерезлокальныецентры
- •Поверхностнаярекомбинация
- •Распределениенеравновесныхносителейзаряда
- •Уравнениянепрерывностидляэлектроновидырок
- •Диффузионноеуравнение
- •Лавинныефотодиоды
- •Фотосопротивления
- •Фотоприемникинаосновеструктурметалл–диэлектрик–полупроводник
- •Приповерхностныеобластипространственногозаряда
- •10 Blip 10
- •Целипримененияоптическихсистемиихстроение
- •Болометрическиематрицы
- •Принципдействияихарактеристикитепловыхприемниковизлучения
- •Параметрытпи
- •Болометры
- •Линейчатыеиматричные
- •Составипринципработыизмерительногостенда
- •–Осьлинейкифотоприемников(лфп)иЛфпу;
- •Характеристикилинейчатыхфотоприемныхустройств
- •Тепловизионныематрицы
- •Линейчатыеиматричныепзи-приемникиизображениянаосновеInAs
- •Преобразованиесветовогопотокавцифровуюинформацию
- •Оцифровываниесигнала
- •Приборы,отображающиеоптическуюинформацию
- •ВикторАлексеевичГридчин,ИгорьГеоргиевичНеизвестный,ВладимирНиколаевичШумский физикамикросистем
- •Часть2Учебноепособие
- •630092,Г.Новосибирск,пр.К.Маркса,20
Внутризонноепоглощение
Валентнаязонабольшинстваполупроводниковсостоитизтрехподзон,как,например,вгермании(рис.4.15).Имеютсяподзоны«тя-
желых»и«легких»дырок,которыевырожденыпри
k0,иподзона,
отщепленнаяотнихзасчетспин-орбитальноговзаимодействия.Впо-лупроводникахстакимэнергетическимстроением,когдауровеньФермирасполагаетсявблизивалентнойзоны,возможныоптическиепереходы,какэтопоказанонарис.4.15.
E
Ev1
а
v
b
с E2
Ev3k
Рис.4.15.Схематическаядиаграммасизо-бражениемвалентныхподзонивозможных
междузонныхпереходов[4.15]
Какотмечалосьвпредыдущемподпараграфе,оптическиемежду-зонныепереходывозможны,когдаэлектронпереходитвлежащеевы-шепустоесостояние.Этоограничиваетобластьпереходовдостаточноузкойобластьюэнергийупотолкавалентнойзоны(условнопоказанонарис.4.15горизонтальнойлинией).Ввалентнойзонесэнергетиче-скойструктурой(рис.4.15)возможнытритипапереходов:a–иззоны
легкихдырок
Ev2взонутяжелыхдырок
Ev1;b–изспин-орбитально
отщепленнойзоны
Ev3взонутяжелыхдырок
Ev1;c–изспин-
орбитальноотщепленнойзоны
Ev3взонулегкихдырок
Ev2.Коэффи-
циентпоглощениязависитотстепенилегированияматериала,пропор-ционаленконцентрациидырокиненаблюдаетсявматериалеп-типапроводимости.Нарис.4.16показанаспектральнаязависимостькоэф-фициентапоглощениядлягермания.
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Коэффициентпоглощения,см–1

100
80
60
50
40
30
20
10
8
6
5
4
3
2
1
0,02 0,050,1 0,2 0,5 1,0
Энергияфотона,эВ
Рис.4.16.Коэффициентпоглощенияпривнутризон-ныхпереходахвгерманиир-типапроводимости:
сплошнаялиния–Т=300К;штриховая–Т=77К[4.15]
Пиксэнергией0,4эВотноситсякпереходам
EvEv,апикс
энергией0,3эВ–кпереходамEv
3 1
Ev.Принизкихтемпературах,
3 2
когдауровеньФермиблизкоподходитквалентнойзоне,этидвапиканеразрешаютсяисливаютсяводин.Наконец,широкийпикпрималых
энергияхфотонаприписываетсяпереходамEv
Ev.
2 1
Вполупроводникахп-типавозможнывнутризонныепереходыме-ждуразличнымиподзонамизоныпроводимости.Интенсивностьэтихпереходовзависитотэнергетическойструктурыполупроводникаивозрастаетсростомконцентрацииэлектронов,причемвозможныкакпрямые,такинепрямыепереходы.