
- •4 Оглавление
- •Глава1.Температурныеполявтермическихсенсорах........................ 17
- •Глава2.Термочувствительныеэлементы 105
- •Глава3.Примерыпрактическойреализациитермическихсенсоров
- •Глава4.Взаимодействиеизлученияствердымтелом 183
- •Глава5.Фотоэлектрическиеприемникиизлучения.Определения
- •Глава6.Равновесныеинеравновесныеносители заряда 271
- •Глава7.Физическиеосновыработыфотонныхприемниковизлу-
- •Глава8.Основныенаправленияразвитиятехникирегистрацииоптическогоизлучения 411
- •Теплотаитемпература
- •Способы теплопередачи:теплопроводность
- •Уравнениетеплопроводности
- •Теплопроводностьгазов
- •Теплопроводностьитеплоемкостьтвердыхтел
- •Теплопроводностьжидкостей
- •1.3.Радиационныйспособтеплопередачи
- •Основныепонятияизаконы
- •Радиационныйтеплообменмеждутвердымителами,
- •Теплообменмеждудвумятелами,одноизкоторыхнаходится
- •Конвективныйтеплообмен
- •Основныеособенностиконвективноготеплообмена
- •Основныеуравненияконвективноготеплообмена
- •Критериитеорииподобия
- •Вынужденнаяконвекциядляплоскойповерхности
- •Теплообменвусловияхестественнойконвекции
- •Естественнаяконвекция
- •Примеррасчетаконвективноготеплообмена
- •Cтационарныетемпературныеполявэлементахтермическихсенсоровиактюаторов
- •Распределениетемпературы
- •Передачатеплачерезстенку
- •Электростатическаяаналогияуравнениятеплопроводности
- •Тепловоесопротивлениесоставнойтеплопроводящейпла-стины.
- •Параллельное соединение двух разнородных тепловых
- •Температурноеполевинтегральнойконсольнойбалочке
- •Стационарноетемпературноеполевкруглойдиафрагме
- •Однородныйнагрев
- •Точечныйисточниктепла
- •Температурнаядинамикаэлементовтермическихсенсоров
- •Решениенаосновеэлектростатическойаналогии
- •Аналитическоерешениедлятеплообмена
- •2.1.ТермочувствительныеэлементынаосновеэффектАтермоЭдс
- •Физическиепроцессывтермопарах
- •ОбъемныесоставляющиетермоЭдс
- •КонтактнаясоставляющаятермоЭдс
- •2.1.2.Эффекттермоэдсвметаллахиполупроводниках
- •Термоэлектрическиеэффектыпельтьеитомсона
- •Терморезисторы
- •Металлическиетерморезисторы
- •Кремниевыетерморезисторы
- •Транзисторы
- •Термисторы
- •Термическийвакуумметр
- •Термическиесенсорыпотокагаза
- •Термоанемометры
- •Термоанемометрыснагревателемизполикристаллическогокремния
- •Термическийсенсор,чувствительныйкнаправлениюпотока
- •VXSxuxSxucos;
- •Термическийконверторсреднеквадратичногозначениянапряжения
- •Биморфныйтермомеханическийактюатор
- •Взаимодействиеизлучениясполупроводниками
- •Уравнениямаксвелла
- •Отражениеэлектромагнитногоизлученияотграницыразделадвухсред
- •Зависимостьоптическихконстантотчастоты
- •Интерференция.Просветляющиепокрытия
- •Поглощениевполупроводниках
- •Механизмыпоглощениясветавполупроводниках
- •Собственноепоглощение.Прямыепереходы
- •СобственноепоглощениеНепрямыепереходы
- •Экситонноепоглощение
- •Примесноепоглощение
- •Внутризонноепоглощение
- •Поглощениесвободныминосителямизаряда
- •Решеточноепоглощение
- •Приемникиизлучения
- •Поотношениюксопротивлениюнагрузки:
- •Методыизмеренияпараметровфотоэлектрическихполупроводниковыхприемников
- •0,1Fрезfэкв0,2fрез,
- •Энергетическиехарактеристикиизлучения
- •IbAcos.
- •IBdAcos,
- •Мощностьиспектральныйсоставизлученияабсолютночерныхтел
- •Энергетическийисветовойпотокиизлучения
- •Цветовоезрение
- •Xyz(условныеобозначениясм.Нарис.5.18):
- •Приемцветногоизображенияприпомощиприемников
- •650Нмсераялиния
- •Равновесныеинеравновесныеносителизаряда
- •Равновесныеносителизарядавполупроводниках
- •Неравновесныеносителизарядаквазиуровеньферми
- •Рекомбинацияносителейзарядавремяжизни
- •1Nстt
- •Механизмырекомбинации
- •Излучательнаярекомбинация
- •Imax 2g
- •Межзоннаяоже-рекомбинация
- •Рекомбинациячерезлокальныецентры
- •Поверхностнаярекомбинация
- •Распределениенеравновесныхносителейзаряда
- •Уравнениянепрерывностидляэлектроновидырок
- •Диффузионноеуравнение
- •Лавинныефотодиоды
- •Фотосопротивления
- •Фотоприемникинаосновеструктурметалл–диэлектрик–полупроводник
- •Приповерхностныеобластипространственногозаряда
- •10 Blip 10
- •Целипримененияоптическихсистемиихстроение
- •Болометрическиематрицы
- •Принципдействияихарактеристикитепловыхприемниковизлучения
- •Параметрытпи
- •Болометры
- •Линейчатыеиматричные
- •Составипринципработыизмерительногостенда
- •–Осьлинейкифотоприемников(лфп)иЛфпу;
- •Характеристикилинейчатыхфотоприемныхустройств
- •Тепловизионныематрицы
- •Линейчатыеиматричныепзи-приемникиизображениянаосновеInAs
- •Преобразованиесветовогопотокавцифровуюинформацию
- •Оцифровываниесигнала
- •Приборы,отображающиеоптическуюинформацию
- •ВикторАлексеевичГридчин,ИгорьГеоргиевичНеизвестный,ВладимирНиколаевичШумский физикамикросистем
- •Часть2Учебноепособие
- •630092,Г.Новосибирск,пр.К.Маркса,20
Биморфныйтермомеханическийактюатор
Втермомеханическомактюаторе,рассматриваемомвданномпара-графе,тепловаяэнергияпреобразуетсявмеханическую,чтонаходитсвоеотражениевдеформацииактюатораиперемещениивпространст-веточекегоповерхности.Вмикромеханическихсистемах,какправи-ло,управляющимвоздействиемдляактюатораявляетсяэлектрическийсигнал,поэтомусхемапреобразованияэнергиивтакихактюаторахимеетвид,представленныйнарис.3.13.
Входнойэлектрический 1
сигнал
(электромагнитнаяэнергия)
Изменениетемпературы(тепловаяэнергия)
Деформация
2 актюатора(механическая
энергия)
Рис.3.13.Схемапреобразованияэнергиивтермомеханическомактюаторесуправлениемэлектрическимсигналом
Этотандемныйактюатор(поаналогииссенсорами),посколькуэнергиявходногоэлектрическогосигналаиспытываетдвапревращения.
Любойнагреватель,например,резистивный,можетрассматривать-сякакактюатор,соответствующийпервомуэтапупреобразованияэнергии.Формыегоконструктивнойреализациимогутбытьсамымиразнообразными.Болеесложнойвыглядитконструктивнаяреализациятермомеханическогопреобразования,соответствующаяэтапу2нарис.3.13.Однаизосновныхсхемтакогопреобразованиясостоитвис-пользованииразличиякоэффициентовлинейногорасширениядвухразнородныхматериалов,жесткосоединенныхмеждусобойпонеко-торойповерхности.Такаяструктураназываетсябиморфной.
Нарис.3.14данасхематермомеханическогоактюаторабалочноготипа,описаннаявработе[3.11].Здесьвкачествематериалов,образую-щихбиморфнуюпару,использовалисьтонкийслойзолотаикремний,из
4 5
3
2
1
Рис.3.14.Поперечноесечениетермомеханическогоактюатора:
1–подложка;2–кремниеваябалочка;3–изолирующийнитрид кремния; 4–поликремниевый нагреватель;5–слойзолота
которогометодомтрехмерногопрофилированияформироваласькон-сольнаябалочка.Вкачественагревателяприменялсяполикремниевыйрезистор,располагавшийсямеждуслоямизолотаикремнияиэлектри-ческиизолированныйотнихслояминитридакремния.
Приподачеуправляющегоэлектрическогосигналатепло,выде-
ляющеесянанагревающемрезисторе,повышаеттемпературуби-морфнойпары.Отличиевкоэффициентахлинейногорасширенияпривелобыкразличномутермическомуудлинениюверхнегоиниж-негослоев,еслибыонибылисвободны.Однаконаличиепрочнойсвязивплоскостибиморфнойпарывызываетдеформациюизгиба,иточкиповерхностиактюатораперемещаютсявпространстве,чтоможноиспользовать,например,дляразмыканияэлектрическойцепиилидляподъемагруза.
Термомеханическиебиморфныеактюаторыобладаютпрактически
линейнойзависимостьюперемещенияотвходноймощностиуправ-ляющегоэлектрическогосигналаиотличаютсявысокойнадежностьювработе.Ониспособныдействоватьнетолько вгазовойсреде,ноивжидкостях,которыеплохопроводяттепло.Недостаткамитакихактюаторовявляютсясравнительнобольшаявходнаямощностьуправ-ляющегосигнала,чтосвязаностеплопотерямиактюаторов,инизкие
рабочиечастоты,которыеопределяются
α1E1
b2
t2
l1 α2E2
t1
скоростью теплообмена биморфнойструктуры.
Балочныйтиптермомеханическихак-
тюаторовполучилширокоераспростра-нениевмикросистемнойтехнике.
Рассмотримработубалочноготермо-механическогоактюатораследуятеоре-тическомуанализу,проведенномуврабо-те[3.12].Предположим,чтовеличинаперегреванезависитоткоординатточкинабалочке.Связьмеждумощностьюуправляющегоэлектрическогосигналаи
b перегревомT
можноустановитьмето-
1
Рис.3.15.Красчетудефор-мацииактюатора
дами,рассмотреннымивглаве1.Прирасчетахдеформацийбудемтакжепред-полагатьлинейнымираспределенияиз-гибныхнапряженийпотолщинепопереч-
ногосечениякаждогослояактюатора.Всефизическиепараметрыма-териаловигеометрическиеразмерыбиморфнойпарыимеютиндексы1и2иприведенынарис.3.15.Дляопределенностиполагаем,чтоме-ждукоэффициентамилинейногорасширениявыполняетсясоотноше-ние21.
Нарис.3.16показанысилыимоменты,действующиевпродоль-номсечениибалочкипривозрастаниитемпературы.Внутренниена-пряжения,возникающиевпарематериалов,сводятсяксжимающей
силе
F2иизгибающемумоменту
M2вовторомслоеикрастягиваю-
щейсилеF1
имоменту
M1– впервомслое.Происхождениесжи-
мающейсилыF2связаноссоотношением21,когдаприповыше-
ниитемпературынаT
элементывторогослоянемогутдостичь
возможногоудлиненияиз-завлиянияпервогослоя.ДляпервогослоязнаксилыF1оказываетсяобратным.
M2 M2
F


2 2
F


1 1
M1 M1
Рис.3.16. Силыимоментывпродольномсеченииактюатора
ИзосновногоуравнениястатикидлясилFi0
i
следует:
F1F2F. (3.4.1)
Вусловияхстатическогоравновесиясуммамоментовсилвсистеме
такжедолжнабытьравнанулю:
(3.5.1),получаем:
Mi0.Учитываяэтоиравенство
i
F(t1t2)M
2
1M2
, (3.4.2)
гдеt1иt2
–толщинысоответствующихслоев.
Втеорииизгиба[3.13]существуетфундаментальноесоотношениерадиусакривизныRизогнутойбалкииизгибающегомоментаMвпроизвольномпоперечномсечении:
1M, (3.4.3)
R EI
гдеE–модульЮнгабалки;I–моментинерциипоперечногосече-ния,равный:
Iz2dz. (3.4.4)
A
ЗдесьA–площадьпоперечногосечения;осьz–направленапонор-маликплоскостибалочки.
Исходяиз(3.4.3)изгибающиемоментывитьввиде
M1и
M2можнопредста-
M1
E1I1;
R
M2
E2I2
R
, (3.4.5)
гдеI1иI2
–моментыинерциипоперечногосечениякаждогоизслоев.
Длясеченияпрямоугольнойформыинтегрирование(3.4.4)приво-дитквыражениям
3 3
Ib1t1;
1 12
Ib2t2. (3.4.6)
2 12
Сучетом(3.4.5)уравнениедлямоментов(3.4.2)можнопредставитьввиде
Ft1t2E1I1E2I2. (3.4.7)
2 R R
ВэтомуравнениисодержатсядвенеизвестныевеличиныFиR,по-этомудляихопределениянеобходимодополнительноесоотношение.Вкачестветаковогоможноиспользоватьусловиеравенствадеформацииматериаловнаихобщейгранице.Этоусловиеприводиткуравнению
T F
t1
T F
–t2
, (3.4.8)
1 2
E1t1b1
2R E2t2b2 2R
здесьпервоеслагаемоесоответствуеттермическомурасширениюпри
повышениитемпературына
T,второе–деформацииотсжатияси-
лойFитретье–описываетизгибныедеформациисоответствующегослоя.
Изгибныедеформациисвязанысрадиусомкривизныбалочкипро-
стымсоотношением[3.13]:
z,
R
гдеz–расстояниеотсрединнойплоскостисоответствующегослоя.
Для прямоугольного сечения максимальное расстояние равно
t
zii,
2
i1,2,чтоиотраженовуравнении(3.4.8).
Проведяперегруппировкуслагаемыхвуравнении(3.4.8)иучиты-
вая(3.4.7),получаем:
t1t2T2 1
1 E1I1E2I2. (3.4.9)
2 1
2R RE1t1b1
E2t2b2
t1t2
Подставляявэтоуравнениеявныевыражениядлямоментовинер-циипоперечныхсеченийобоихслоев(3.5.6),находимвитоге:
1 6b1b2E1E2t1t2t1t221T . (3.4.10)
R bEt2bEt
22bbEEt t
2t23tt
2t2
1 11 222 121212 1 12 2
Посколькунифизическиеилигеометрическиепараметры,нипере-
гревT
относительноокружающейсредынезависятоткоординат,
радиускривизныизгибабалочкиоказываетсяодинаковприлюбомвы-
бореместапоперечногосечения.Инымисловами,привыбранныхус-
ловияхкривизнабалочки,
K1,оказываетсяпостояннойвеличиной
R
иактюаторизгибаетсяподугеокружностиR.
Поскольку
21,актюаторбудетотклонятьсявниз,аместоза-
щемлениябалочкибудетсоответствоватьверхнемуконцувертикаль-
ногодиаметраокружности
x2y2R2.Величинаотклонениясво-
бодногоконцабалочкибудетравна
dRyRR
гдеxL–длинабалочкиактюатора.
L2
1 , (3.4.11)
R2
Изгибыбиморфнойбалочкиневелики,поэтомухорошовыполняет-сяусловиеL R.Разлагаярадикалв(3.4.11)врядТейлорапомалому
параметруL
R
иограничиваясьпервымичленами,получаемупрощен-
ноевыражениедлясмещениякончикабалочки[3.14]:
KL2
d , (3.4.12)
2
гдекривизнаK1
R
даетсяформулой(3.4.10).
Изсоотношения(3.4.12)следует,чтовеличинасмещенияактюато-
рапрямопропорциональнаперегревубалочкиотносительнотемпера-турыокружающейсреды.
Приописанииактюатораиногдауказываютзначениесилы,котораябудучиприложенаксвободномуконцуконсольнойбалочкидаетсме-щение,определяемоевыражением(3.4.12).Элементарнаятеорияизги-баприменительнокконсольнойбалочке,нагруженнойнасвободномконцесосредоточеннойсилойF,приводиткследующемусоотноше-ниюмеждупрогибомисилой[3.12]:
F3EId, (3.4.13)
L3
гдеI–результирующиймоментинерциивсегопоперечногосечениябиморфнойбалочки.
Выражение,аналогичное(3.4.13)длябалочкиизоднородногома-
териала,ранееужебылоприведенов§2.7,ч.1.
Вкачествеиллюстрациипрактическогоиспользованияактюаторов,теориякоторыхизложенавыше,приведемданныеработыК.Дѐрингас
сотрудниками[3.15].Ониприменялитермическийбиморфныйактюа-торбалочноготипадляизменениянаправлениядвиженияструижид-кости.Нарис.3.17показанасхемауправляющегоустройства,гдев
объеме1создавалосьизбыточноедавлениежидкости
р1.Спомощью
отверстия2формироваласьтонкаяструяжидкости,котораядвигаласьвдольповерхностибалочки.Жидкостьстремитсявсегдадвигатьсята-кимобразом,чтобывзаимодействиесповерхностьютвердоготелабы-ломаксимальным,поэтомуизменениекривизныбалочкиактюатораврезультатеуправляющеговоздействиянеприводиткотрывуструина
самойбалочке,алишьизменяетнаправлениеполетакапелекжидкостипослесходаихскраяактюатора(эффектКоанда).Изменяявеличинууправляющегосигналаактюатора,можнообеспечитьпопаданиежид-костивотверстиеАилиВ(рис.3.17).
P
0P1
А
1 2
В
Рис.3.17.Управлениедвижениемструиспомощьюактюатора:
1–объемсжидкостью;2–отверстие
Нарис.3.18показанопоперечноесечениеактюатора.Исходнойструктуройдляизготовленияслужитпластинакремнияp-типасори-ентацией(100),накоторойбылвыращенслойэпитаксиальногоn-кремниятолщиной11мкм.Вэтомслоедиффузиейборабылсфор-мированнагревающийрезисторсглубинойp–n-перехода5мкмидиффузиейфосфорасозданn-контакткэпитаксиальномуслоюдляостановкижидкостноготравления.Далеенаизолирующийдиоксидкремниянаносилсяслойалюминиятолщиной11мкм.
Изготовлениебалочкиактюаторапроводилосьвдваэтапа.Напер-
вомэтапежидкостныманизотропнымтравлениемудалялсяp-кремнийитравлениеостанавливалосьнаэпитаксиальномслое.Такимобразом,формировалсянизбалочки.Навторомэтапепутемплазмохимическоготравления балочкаотделяласьотостальнойчастипластиныкремния.Врезультатебиморфныйтермомеханическийпреобразовательимелодинслойизалюминия,другой–изкремния,анагревательнаходилсянаграницемеждуними.
Из-задвиженияжидкостиивысокойтеплопроводностикремнияуправляющаямощностьактюатораоказаласьдовольновысокой–око-
ло1Вт.Притакоймощностиполучилосьотклонениеактюаторана15.Стоитотметить,чтовисходномсостоянииактюаторужеимелначальнуюкривизну,связаннуюсвнутреннимимеханическимина-
пряжениями,возникающимивсистемеAlSi
приизготовлении.
4
5 6
3 7
2
10
1
9 8
Рис.3.18.Поперечноесечениемикромеханическогоактюатора:
1–кремниеваяподложка;2–эпитаксиальныйслой;3–контакткэпи-таксиальномуслою;4–слойалюминия;5–нагревающийрезистор;6,8–слойполиимида;7,9–диоксидкремния;10–зазормежду
балочкойиопорнойрамкойактюатора
Придавлении
р1от2до7атмскоростьистеченияжидкостисо-
ставлялаот100до150ммв1мин.ВремяпереключенияустройстваизположенияАвВсоставлялооколо1103c.
Взаключениеотметим,чтоаналогичныебиморфныетермомехани-ческиеактюаторыиспользуютсявпечатающихголовкахструйныхпринтеров[3.16].
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
Вглавеприведеныпримерыпрактическойреализациитермическихсенсоровиактюаторов.Втермическомвакуумметреиспользуетсяза-висимостьтеплопроводностигазаотдавлениявтойобласти,гдедлинасвободногопробегаопределяетсянестолкновениямимолекулмеждусобой,агеометрическимиразмерамисенсора.
Закл ючение 181
Изменениетеплопроводностиприводиткперераспределениютемпературыпосенсору,чтопрощевсегорегистрироватьспомощьютермопар.Применениемикросистемнойтехнологиипозволяетполу-
читьмалогабаритные,экономичныекремниевыевакуумметры,обла-дающиевысокойчувствительностью.Границыизмеряемогодиапазо-надавлениязависятотконструктивныхразмеровэлементовсенсораитипагаза.
Техническоеприменениевынужденнойконвекциирассмотреновглавенапримересенсоров,регистрирующихдвижениегаза.Принципдействиятермоанемометровоснованнаохлаждениитонкойметалли-ческойполоски(нити)потокомгаза,движущегосяснекоторойскоро-стьюотносительнополоски.Вкачествепримерарассмотрентермо-анемометрснагревателемизполикристаллическогокремния,вкоторомизменениескоростигазаприводилокизменениюпадениянапряжениянанагревателе.Такойтермоанемометрпозволяетопреде-лятьвеличинумодуляскоростигазавширокомдиапазонеееизмене-нияпрималойинерционностиинизкомэнергопотреблении.
Микросистемнаятехнологияпозволяетсоздаватьтермические
сенсоры,чувствительныенетолькоквеличине,ноикнаправлению
вектораскоростинабегающегопотока.Вглаверассмотреныконст-рукцияихарактеристикисенсора,вкоторомиспользуетсяэффекткоординатнойзависимоститолщинытермическогопограничногослояпривынужденнойконвекции.Такиесенсорыобладаютвысокойчувствительностьюихорошореагируютнаособенностидвижениягазовогопотока.
Широкиевозможностимикросистемнойтехнологиипродемонст-
рированынапримеретермическогоконверторасреднеквадратическогозначениянапряжения.Сравнениемощностейпеременногоипостоян-ногосигналовпотепловыделению,котороеэффективнорегистрирует-сятермочувствительнымиэлементами,привелоксозданиюконверто-ровсвысокойчувствительностью,малойпостояннойвремени,широкимчастотнымдиапазономработы.
Термомеханические напряжения, возникающие в биморфных
структурах,могутбытьэффективноиспользованыдляпостроенияак-тюаторов.Напримереактюаторабалочноготипарассмотреныоснов-ныетеоретическиесоотношения,необходимыедляпроектирования.
ЛИТЕРАТУРА
HerwaardenvanA.W.Integratedvacuumsensor/A.W.vanHerwaarden,
P.M.Sarro,H.C.Meijer//SensorandActuators.–1985.–V.8.–Р.187–196.
HerwaardenvanA.W.Small-sizevacuumsensorsbasedonsiliconther-mopiles/A.W.vanHerwaarden,vanD.C.Duyn,J.Groenewed//SensorsandAc-tuators.A.:Physical.–1991.–V.27,Issues1–3,May.–Р.565–569.
Датчикиизмерительныхсистем/Ж.Аш.[идр.].–М.:Мир,1992.–Т.2.– 419с.
NedaT.Apolisiliconflowsensorforgasflowmeters/T.Neda,K.Na-kamura,T.Takumi//SensorsandActuators.A.:Physical.–1996.–V.54.–Р.621–631.
ТехнологияСБИС/подред.С.М.Зи.–М.:Мир,1986.–Т.1.–404с.
ThermalSensors/ed.:G.C.MMeijer,A.W.vanHerwaarden.–Insti-tuteofPhysicsPublishing.–1995.–300 p.
RobadeyJ.Two-dimensionalintegratedgasflowsensorsbycmosICtechnology/J.Robadey,O.Paul,H.Baltes//J.Micromech.Microengeneering.–1955.– №5.–Р.243–250.
КухлингХ.Справочникпофизике/Х.Кухлинг.–М.:Мир,1983.–519с.
JaeggiD.ThermoelectricAC-PowerSensorbyCMOStechnology/
D.Jaeggi,H.Baltes,D.Moser//IEEEElectronDevireletters.–1992.–V.13,
№7.–Р.366–368.
KlaassenE.H.Diode-basedthermalRMSconverterwithon-chipcircuni-
tryfabricated usingCMOS technology/E.H. Klaassen, R.J.Reay,
G.T.A.Kovacs//SensorsandActuators.A.:Physical.–1996.–V.52, №.1–3.–Р.33–40.
RiethmullerW.ThermallyExcitedSiliconMicroactuators/W.Riethmul-ler,W.Benecke//IEEETransactionsonElectronDevices.–1988.–V.35, №6.–Р.758–763.
ChuW.H.Analysisoftipdeflectionandforceofbimetalliccantilevermicroactuator/W.H.Chu,M.Mehregany,R.L.Mullen//SensorsandActuators.A.:Physical.–1993.–V.39.–Р.4–7.
КиносошвилиР.С.СопротивлениематериаловГИТТЛ/Р.С.Кино-сошвили.– М.,1956.–384с.
GereI.M.MechanicsofMaterials/I.M.Gere,S.P.Timoshenko.–ThirdEdition.–PWS-KentPublishingCompany,Boston,Massachusetts,1990.
Micromachinedthermoelectricallydrivencantileverbeamsforfluiddef-lection/DoringC.[etal.]//ProceedingsofIEEEMEMS-Workshop,Travemunde,Germany,Feb.4–7, 1992.–Р.12–18.
Micromechineclvalvewithhydraulicallyactuatedmembranesabsequenttoathermoelectricallycontrolledbimorphcantiliver/H.P.Trah[etal.]//SensorsandActuators.A.:Physical.–1993.–V.39.–Р.169–176.
ГЛАВА4
ВЗАИМОДЕЙСТВИЕИЗЛУЧЕНИЯСТВЕРДЫМТЕЛОМ
ВВЕДЕНИЕ
Какбылосказановпредисловии,цельюэтойкнигиявляетсяанализпринциповработы,сферпримененияипараметровфотонныхитепло-выхприемниковизлучения(ФПИиТПИ).Вобоихтипахприемниковэлектрическийсигналвозникаетподдействиемэлектромагнитногоизлучения,которое,какэтобылоустановленоещевXIXвеке,пред-ставляетсобойпоперечныеволны,описывающиесяуравнениямиМак-свелла.Сдругойстороны,иэтобылоточноустановленоприанализевнешнегофотоэффекта,электромагнитноеизлучениепредставляетсо-бойсовокупностьквантовизлучения–фотонов,корпускул,обладаю-щихопределеннымизначениямиэнергиииимпульса.Взадачиэтойкнигиневходитболеедетальноерассмотрениепроблем,связанныхстакназываемымкорпускулярно-волновымдуализмом,т.е.потенци-альнойспособностьюфотонов(какидругихквантовыхчастиц)прояв-лятьсвоиволновыелибокорпускулярныесвойствавзависимостиотвнешнихобстоятельств.Болеетого,предполагается,чточитательзна-комсосновамиквантовойфизики.Однако,еслиэтонеобходимо,дляболееглубокогоознакомлениясэтимипроблемамиавторыотсылаютчитателякучебникампоквантовойфизике,например,[4.1,4.2].
Восновномвэтойкнигебудутрассмотреныполупроводниковые
приемникиизлучения(ПИ).Длятогочтобыпредставить,чемопреде-ляетсявзаимодействиеизлучениясполупроводниками,возможныдва
подхода.Первыйизнихосновываетсянаклассическомописаниисве-товойволныивведениирядамакроскопическихпараметров,описы-вающихотражениеипоглощениеволны,которыемогутбытьопреде-леныэкспериментальноизатемвведенывклассическуютеориюкакпараметр.Второйподходсостоитвквантово-механическомрассмот-рениивзаимодействияквантаэлектромагнитногоизлучениясосвязан-нымэлектрономлибососвободнымиэлектронамивтвердомтеле.Приэтомсущественнуюрольиграетэлектроннаяструктуратойсреды,ко-тораявзаимодействуетсизлучением.
Приемникиизлучениявнастоящеевремяпредставляютсобойдос-
таточносложныеконструкции,которыеобычновключаютвсебя,вчастности,антиотражающеепокрытие,просветляющиеипоглощаю-щиеслои,оптическуюсистему.Дляихрасчетовиописанияиспользу-етсяволновойподход.Дляописанияпоглощениявтвердомтеленамакроскопическомуровнетакжеиспользуетсяволновойподход,номикроскопическийрасчет,т.е.описаниеэлементарныхактовпоглоще-ния,ведетсяспозицийквантовойфизики.ПрирасчетахконкретныхПИиспользуютсяфеноменологическийподходиэкспериментальноопределенныемакроскопическиепараметры.Преждечемперейтикрассмотрениювзаимодействияизлучениясполупроводниками,дадимопределениешкалыэлектромагнитногоизлучениявзависимостиотдлиныволныизлучения(рис.4.1).
Видимоеизлучение

Рентгеновскоеизлучение
Ультрафиолетовоеизлучение
Инфракрасноеизлучение
–11 –10 –9 –8 –7 –6 –5 –4 –3
10 10 10 10 10 10 10 10 10
Длинаволны,м
Рис.4.1.Шкалаэлектромагнитногоизлучения
Принятосчитать,чтооптическоеизлучение–этоэлектромагнит-ноеизлучениесдлинамиволнвдиапазоне0,01нм...1мм.Оптическоеизлучениеподразделяетсянарентгеновскоеизлучениесдлинамиволнвдиапазоне0,01...5нм;ультрафиолетовоеизлучениесдлинамиволнвдиапазоне5...400нм;видимоеизлучениесдлинамиволнвдиапазоне400...760нмиинфракрасноеизлучениесдлинамиволнвдиапазоне760нм...1мм.Влитературевстречаютсяитакиепонятия,какближ-ний,среднийидальнийинфракрасныйдиапазоныизлучения.Нарис.4.1длинаволнывыражаетсявметрах,новинфракраснойтех-никепринятоизмерятьдлинуволнывмикрометрах(мкм).Вэтихеди-ницах,например,видимоеизлучениерасполагаетсявдиапазоне0,4...0,76мкм,аинфракрасное–между0,76и1000мкм.