
- •4 Оглавление
- •Глава1.Температурныеполявтермическихсенсорах........................ 17
- •Глава2.Термочувствительныеэлементы 105
- •Глава3.Примерыпрактическойреализациитермическихсенсоров
- •Глава4.Взаимодействиеизлученияствердымтелом 183
- •Глава5.Фотоэлектрическиеприемникиизлучения.Определения
- •Глава6.Равновесныеинеравновесныеносители заряда 271
- •Глава7.Физическиеосновыработыфотонныхприемниковизлу-
- •Глава8.Основныенаправленияразвитиятехникирегистрацииоптическогоизлучения 411
- •Теплотаитемпература
- •Способы теплопередачи:теплопроводность
- •Уравнениетеплопроводности
- •Теплопроводностьгазов
- •Теплопроводностьитеплоемкостьтвердыхтел
- •Теплопроводностьжидкостей
- •1.3.Радиационныйспособтеплопередачи
- •Основныепонятияизаконы
- •Радиационныйтеплообменмеждутвердымителами,
- •Теплообменмеждудвумятелами,одноизкоторыхнаходится
- •Конвективныйтеплообмен
- •Основныеособенностиконвективноготеплообмена
- •Основныеуравненияконвективноготеплообмена
- •Критериитеорииподобия
- •Вынужденнаяконвекциядляплоскойповерхности
- •Теплообменвусловияхестественнойконвекции
- •Естественнаяконвекция
- •Примеррасчетаконвективноготеплообмена
- •Cтационарныетемпературныеполявэлементахтермическихсенсоровиактюаторов
- •Распределениетемпературы
- •Передачатеплачерезстенку
- •Электростатическаяаналогияуравнениятеплопроводности
- •Тепловоесопротивлениесоставнойтеплопроводящейпла-стины.
- •Параллельное соединение двух разнородных тепловых
- •Температурноеполевинтегральнойконсольнойбалочке
- •Стационарноетемпературноеполевкруглойдиафрагме
- •Однородныйнагрев
- •Точечныйисточниктепла
- •Температурнаядинамикаэлементовтермическихсенсоров
- •Решениенаосновеэлектростатическойаналогии
- •Аналитическоерешениедлятеплообмена
- •2.1.ТермочувствительныеэлементынаосновеэффектАтермоЭдс
- •Физическиепроцессывтермопарах
- •ОбъемныесоставляющиетермоЭдс
- •КонтактнаясоставляющаятермоЭдс
- •2.1.2.Эффекттермоэдсвметаллахиполупроводниках
- •Термоэлектрическиеэффектыпельтьеитомсона
- •Терморезисторы
- •Металлическиетерморезисторы
- •Кремниевыетерморезисторы
- •Транзисторы
- •Термисторы
- •Термическийвакуумметр
- •Термическиесенсорыпотокагаза
- •Термоанемометры
- •Термоанемометрыснагревателемизполикристаллическогокремния
- •Термическийсенсор,чувствительныйкнаправлениюпотока
- •VXSxuxSxucos;
- •Термическийконверторсреднеквадратичногозначениянапряжения
- •Биморфныйтермомеханическийактюатор
- •Взаимодействиеизлучениясполупроводниками
- •Уравнениямаксвелла
- •Отражениеэлектромагнитногоизлученияотграницыразделадвухсред
- •Зависимостьоптическихконстантотчастоты
- •Интерференция.Просветляющиепокрытия
- •Поглощениевполупроводниках
- •Механизмыпоглощениясветавполупроводниках
- •Собственноепоглощение.Прямыепереходы
- •СобственноепоглощениеНепрямыепереходы
- •Экситонноепоглощение
- •Примесноепоглощение
- •Внутризонноепоглощение
- •Поглощениесвободныминосителямизаряда
- •Решеточноепоглощение
- •Приемникиизлучения
- •Поотношениюксопротивлениюнагрузки:
- •Методыизмеренияпараметровфотоэлектрическихполупроводниковыхприемников
- •0,1Fрезfэкв0,2fрез,
- •Энергетическиехарактеристикиизлучения
- •IbAcos.
- •IBdAcos,
- •Мощностьиспектральныйсоставизлученияабсолютночерныхтел
- •Энергетическийисветовойпотокиизлучения
- •Цветовоезрение
- •Xyz(условныеобозначениясм.Нарис.5.18):
- •Приемцветногоизображенияприпомощиприемников
- •650Нмсераялиния
- •Равновесныеинеравновесныеносителизаряда
- •Равновесныеносителизарядавполупроводниках
- •Неравновесныеносителизарядаквазиуровеньферми
- •Рекомбинацияносителейзарядавремяжизни
- •1Nстt
- •Механизмырекомбинации
- •Излучательнаярекомбинация
- •Imax 2g
- •Межзоннаяоже-рекомбинация
- •Рекомбинациячерезлокальныецентры
- •Поверхностнаярекомбинация
- •Распределениенеравновесныхносителейзаряда
- •Уравнениянепрерывностидляэлектроновидырок
- •Диффузионноеуравнение
- •Лавинныефотодиоды
- •Фотосопротивления
- •Фотоприемникинаосновеструктурметалл–диэлектрик–полупроводник
- •Приповерхностныеобластипространственногозаряда
- •10 Blip 10
- •Целипримененияоптическихсистемиихстроение
- •Болометрическиематрицы
- •Принципдействияихарактеристикитепловыхприемниковизлучения
- •Параметрытпи
- •Болометры
- •Линейчатыеиматричные
- •Составипринципработыизмерительногостенда
- •–Осьлинейкифотоприемников(лфп)иЛфпу;
- •Характеристикилинейчатыхфотоприемныхустройств
- •Тепловизионныематрицы
- •Линейчатыеиматричныепзи-приемникиизображениянаосновеInAs
- •Преобразованиесветовогопотокавцифровуюинформацию
- •Оцифровываниесигнала
- •Приборы,отображающиеоптическуюинформацию
- •ВикторАлексеевичГридчин,ИгорьГеоргиевичНеизвестный,ВладимирНиколаевичШумский физикамикросистем
- •Часть2Учебноепособие
- •630092,Г.Новосибирск,пр.К.Маркса,20
Термоэлектрическиеэффектыпельтьеитомсона
Приналичииградиентатемпературыипротеканиитокавпрово-дящихструктурах,кромеэффектаЗеебека(термоЭДС),наблюдаютсяещедва:эффектПельтьеиэффектТомсона.
ЭффектПельтьебылоткрытв1834годуиявляетсяобратнымэффектутермоЭДС:припрохождениитокавцепиизразнородныхпроводниковвместеконтактадополнительноктеплотеДжоулявыде-ляетсяилипоглощается(взависимостиотнаправлениятока)тепло,пропорциональноеколичествупрошедшегочерезконтактэлектриче-ства:
dQIt, (2.2.1)
гдеIиt–токивремяпротеканиятокачерезконтакт;–коэффициентПельтье,зависящийотприродынаходящихсявконтактематериалов.
ТеплоПельтье(2.2.1)пропорциональнотокуI,вотличиеоттеп-лотыДжоуля,пропорциональнойI2.
ЭффектТомсонабылтеоретическипредсказанв1856годуиэкс-
периментальноподтвержденв1867году[2.2].
Сутьэффектасостоитвследующем.Есливпроводникепротекаеттокисуществуетградиенттемпературы,топомимотеплотыДжоулядополнительновыделяетсяилипоглощается(взависимостиотнаправ-лениятока)тепло,пропорциональноеколичествупрошедшегочерезпроводникэлектричестваиперепадутемператур:
dQTT2T1It, (2.2.2)
гдеT1иT2–температурыконцовпроводника;–коэффициентТом-сона,зависящийотматериалапроводника.
ВотличиеотэффектовЗеебекаиПельтьеэффектТомсонанаблю-
даетсяводнородномвеществе.
Применяятермодинамическийподход,Томсонполучилфундамен-тальныесоотношения,устанавливающиесвязьмеждутремятермо-электрическимиэффектами:
; (2.2.3)
T
Td. (2.2.4)
dT
Соотношения(2.2.3)и(2.2.4)важнывтеоретическомипрактиче-скомотношении.
ΔE
Металл
E=0
ЕIЕС
ЕF
Полупроводник
Причинавозникновенияэф-фектаПельтьезаключаетсявтом,чтосредняяэнергияэлек-тронов,участвующихвперено-сетокавконтактирующихмате-риалах,различнанесмотрянаточтоихуровниФермисовпада-ют.Нарис.2.6данаэнергетиче-скаядиаграммаэлектронногопроводникаиметалла,укото-рыхдляпростотыпринятаоди-наковаяработавыхода.
Втакойсистемевполупро-
Рис.2.6.Схемаэнергетическихуров-
ней контакта металл–электронныйполупроводник:
E–теплота,выделяющаясяприперехо-деэлектронаизполупроводникавметалл
водникеэлектрическийтокпе-реноситсяэлектронами,имею-щимисреднююкинетическуюэнергиюотносительнодназоны
проводимости
I.Важнопод-
черкнуть,чтоэтаэнергияотли-
чаетсяоттепловой3kTиз-забольшойролибыстрыхэлектроновв
2
процессепереносатока.Припереходевметаллкаждыйэлектронбу-детвсреднемпереноситьизбыточнуюэнергию:
EЕIECEF
. (2.2.5)
Этуизбыточнуюэнергиюэлектронпередаетатомам,ионавыделя-етсяввидетепланепосредственновблизиконтакта,из-зачеготемпе-ратурапоследнегоповышается.Приобратномнаправлениитокаэлек-трон,переходяизметаллавполупроводник,должензатратитьточнотакуюжеэнергию.Этуэнергиюэлектронможетполучитьотколеб-лющихсяатомовкристаллическойрешетки,понизив,следовательно,еетемпературу.Втермопаре,черезкоторуюпротекаетток,врезульта-тедействияэффектаПельтьетемператураодногоспаяповышается,адругогопонижается.КоэффициентПельтьепредставляетэнергию(2.2.5),отнесеннуюкединицезаряда:
E. (2.2.6)
e
ПервоеизсоотношенийТомпсона(2.2.3)позволяетопределитько-эффициентПельтьепоизвестномукоэффициентутермоЭДС:T.Вструктурахметалл–полупроводник,какобычно,всютермоЭДСот-носяткполупроводникуивкладметаллавкоэффициентнеучиты-вают.
ПроисхождениетеплаТомпсонасвязаностем,чтоприпрохожде-ниитокаотгорячегокраяоднородногопроводникакхолодномуразо-гретыеэлектроныотдаютизбыточнуюкинетическуюэнергиювхо-лодныхучасткахпроводника,чтовызываетегонагрев.Приобратномнаправлениитокаэлектроныпереходятиз«холодных»участковпро-водникавболеенагретые,пополняясвоюэнергиюзасчеткристалли-ческойрешетки,темсамымохлаждаяее.
ВколичественномпланетеорияэффектаТомпсонаисходитизто-го,чтовыделяемоетеплоявляетсяследствиемработытермоэлектри-ческогополяпопереносузарядов.
ВтороесоотношениеТомпсона(2.2.4)позволяетопределитькоэф-фициент.Однакопрактическисоотношение(2.2.4)применяетсядлянахожденияабсолютнойтермоЭДСматериала,посколькуизмерениемэффектовЗеебекаиПельтьеопределяютсялишьотносительныекоэф-фициенты,характеризующиеданнуюпаруматериалов.Из(2.2.4)сле-дует,чтоабсолютнаятермоЭДСматериаламожетбытьопределенаинтегралом:
TdT
. (2.2.7)
0T
Из(2.2.7)очевидно,чтодляинтегрированиянеобходимознатьпо-ведениекоэффициентаТомпсонавплотьдоабсолютногонулятемпе-ратур.Длятогочтобыобойтиэтозатруднение,применяюттермопары,укоторыходнаизветвей–сверхпроводник,адругая–исследуемыйматериал[2.9].Изтеоретическихсоображенийиданныхэкспериментаследует,чтоабсолютнаятермоЭДСсверхпроводниковдолжнабытьравнанулю.Поэтомутермопаранормальныйпроводник–сверхпро-водникбудетдаватьабсолютнуютермоЭДСнормальногопроводника.Такбудетдотехтемператур,покавтораяветвьнаходитсявсверхпро-водящемсостоянии.Дляразличныхматериаловтемпературапереходаксверхпроводящемусостояниюразлична,например,длясоединения
Nb3SnтемпературапереходасоставляетTc18К.Вышеэтойтемпе-ратурыабсолютнаятермоЭДСопределяетсяинтегрированием:
TTdT
T
Tc
Tc
. (2.2.8)
ТакимобразомбылаопределенаабсолютнаятермоЭДСчистогосвинца,иэтотматериалсейчасиспользуетсякаквторичныйэталонвтермоэлектрическихизмерениях[2.4].
ЭффектПельтьенашелпрактическоеприменениевхолодильных
устройствах.Теоретическиеосновыпроектированияподобныхуст-ройствсприменениемполупроводниковбылизаложеныакадемикомА.Ф.Иоффе.
Холодильныеустройствапредставляютсобойрядпоследовательно
соединенныхэлементовПельтье.Дляэффективногоохлаждениянеоб-ходимыматериалы,которыесочетаютвысокуюпроводимость(и,сле-довательно,малыепотеринаджоулевутеплоту)инизкуютеплопро-водность,чтопозволяетполучитьзначительнуюразностьтемпературиглубокоеохлаждение.
ВыборматериаладляэлементовПельтье,какидлятермогенерато-ровнаэффектеЗеебека,целесообразнопроводитьисходяизкритериякачестваматериала[2.10]:
где
,,k
2
z ,
k
–коэффициентытермоЭДС,электропроводностиитепло-
проводности.
Из-завысокойтеплопроводностикремний–несовсемудачныйма-
териалдляизготовленияэлементовПельтьеилитермобатарей.Дляцелейгенерированияэлектрическойэнергииилиохлаждениялучше
подходятполупроводниковыесоединениятипа
A5B6,например,
PBi0,5Sb1,5Te3,длякоторогоzравно:z3103К1[2.8].