
- •4 Оглавление
- •Глава1.Температурныеполявтермическихсенсорах........................ 17
- •Глава2.Термочувствительныеэлементы 105
- •Глава3.Примерыпрактическойреализациитермическихсенсоров
- •Глава4.Взаимодействиеизлученияствердымтелом 183
- •Глава5.Фотоэлектрическиеприемникиизлучения.Определения
- •Глава6.Равновесныеинеравновесныеносители заряда 271
- •Глава7.Физическиеосновыработыфотонныхприемниковизлу-
- •Глава8.Основныенаправленияразвитиятехникирегистрацииоптическогоизлучения 411
- •Теплотаитемпература
- •Способы теплопередачи:теплопроводность
- •Уравнениетеплопроводности
- •Теплопроводностьгазов
- •Теплопроводностьитеплоемкостьтвердыхтел
- •Теплопроводностьжидкостей
- •1.3.Радиационныйспособтеплопередачи
- •Основныепонятияизаконы
- •Радиационныйтеплообменмеждутвердымителами,
- •Теплообменмеждудвумятелами,одноизкоторыхнаходится
- •Конвективныйтеплообмен
- •Основныеособенностиконвективноготеплообмена
- •Основныеуравненияконвективноготеплообмена
- •Критериитеорииподобия
- •Вынужденнаяконвекциядляплоскойповерхности
- •Теплообменвусловияхестественнойконвекции
- •Естественнаяконвекция
- •Примеррасчетаконвективноготеплообмена
- •Cтационарныетемпературныеполявэлементахтермическихсенсоровиактюаторов
- •Распределениетемпературы
- •Передачатеплачерезстенку
- •Электростатическаяаналогияуравнениятеплопроводности
- •Тепловоесопротивлениесоставнойтеплопроводящейпла-стины.
- •Параллельное соединение двух разнородных тепловых
- •Температурноеполевинтегральнойконсольнойбалочке
- •Стационарноетемпературноеполевкруглойдиафрагме
- •Однородныйнагрев
- •Точечныйисточниктепла
- •Температурнаядинамикаэлементовтермическихсенсоров
- •Решениенаосновеэлектростатическойаналогии
- •Аналитическоерешениедлятеплообмена
- •2.1.ТермочувствительныеэлементынаосновеэффектАтермоЭдс
- •Физическиепроцессывтермопарах
- •ОбъемныесоставляющиетермоЭдс
- •КонтактнаясоставляющаятермоЭдс
- •2.1.2.Эффекттермоэдсвметаллахиполупроводниках
- •Термоэлектрическиеэффектыпельтьеитомсона
- •Терморезисторы
- •Металлическиетерморезисторы
- •Кремниевыетерморезисторы
- •Транзисторы
- •Термисторы
- •Термическийвакуумметр
- •Термическиесенсорыпотокагаза
- •Термоанемометры
- •Термоанемометрыснагревателемизполикристаллическогокремния
- •Термическийсенсор,чувствительныйкнаправлениюпотока
- •VXSxuxSxucos;
- •Термическийконверторсреднеквадратичногозначениянапряжения
- •Биморфныйтермомеханическийактюатор
- •Взаимодействиеизлучениясполупроводниками
- •Уравнениямаксвелла
- •Отражениеэлектромагнитногоизлученияотграницыразделадвухсред
- •Зависимостьоптическихконстантотчастоты
- •Интерференция.Просветляющиепокрытия
- •Поглощениевполупроводниках
- •Механизмыпоглощениясветавполупроводниках
- •Собственноепоглощение.Прямыепереходы
- •СобственноепоглощениеНепрямыепереходы
- •Экситонноепоглощение
- •Примесноепоглощение
- •Внутризонноепоглощение
- •Поглощениесвободныминосителямизаряда
- •Решеточноепоглощение
- •Приемникиизлучения
- •Поотношениюксопротивлениюнагрузки:
- •Методыизмеренияпараметровфотоэлектрическихполупроводниковыхприемников
- •0,1Fрезfэкв0,2fрез,
- •Энергетическиехарактеристикиизлучения
- •IbAcos.
- •IBdAcos,
- •Мощностьиспектральныйсоставизлученияабсолютночерныхтел
- •Энергетическийисветовойпотокиизлучения
- •Цветовоезрение
- •Xyz(условныеобозначениясм.Нарис.5.18):
- •Приемцветногоизображенияприпомощиприемников
- •650Нмсераялиния
- •Равновесныеинеравновесныеносителизаряда
- •Равновесныеносителизарядавполупроводниках
- •Неравновесныеносителизарядаквазиуровеньферми
- •Рекомбинацияносителейзарядавремяжизни
- •1Nстt
- •Механизмырекомбинации
- •Излучательнаярекомбинация
- •Imax 2g
- •Межзоннаяоже-рекомбинация
- •Рекомбинациячерезлокальныецентры
- •Поверхностнаярекомбинация
- •Распределениенеравновесныхносителейзаряда
- •Уравнениянепрерывностидляэлектроновидырок
- •Диффузионноеуравнение
- •Лавинныефотодиоды
- •Фотосопротивления
- •Фотоприемникинаосновеструктурметалл–диэлектрик–полупроводник
- •Приповерхностныеобластипространственногозаряда
- •10 Blip 10
- •Целипримененияоптическихсистемиихстроение
- •Болометрическиематрицы
- •Принципдействияихарактеристикитепловыхприемниковизлучения
- •Параметрытпи
- •Болометры
- •Линейчатыеиматричные
- •Составипринципработыизмерительногостенда
- •–Осьлинейкифотоприемников(лфп)иЛфпу;
- •Характеристикилинейчатыхфотоприемныхустройств
- •Тепловизионныематрицы
- •Линейчатыеиматричныепзи-приемникиизображениянаосновеInAs
- •Преобразованиесветовогопотокавцифровуюинформацию
- •Оцифровываниесигнала
- •Приборы,отображающиеоптическуюинформацию
- •ВикторАлексеевичГридчин,ИгорьГеоргиевичНеизвестный,ВладимирНиколаевичШумский физикамикросистем
- •Часть2Учебноепособие
- •630092,Г.Новосибирск,пр.К.Маркса,20
КонтактнаясоставляющаятермоЭдс
Контактнаяразностьпотенциаловк
вместеспаятермопарыоп-
ределяетсяразностьюуровнейФермиобразующихтермопару:
EF1изолированныхматериалов,
1
кe
EF1EF2
. (2.1.10)
ВсвоюочередьуровеньФермиопределяетсяконцентрациейноси-телейтокавматериале.Есликонцытермопарыимеютодинаковую
температуру,ток
обоихспаевравны,ноимеютпротивоположные
знакиприобходеконтуратермопары.Втакойцепи,еслионазамкнута,токневозникает,аеслионаразомкнута,торазностьпотенциаловто-чекCиD(рис.2.1)равнанулю.Еслижевтермоэлектрическойцеписуществуетградиенттемпературы,тоиз-затемпературнойзависимо-стиуровняФермиконтактныеразностипотенциаловуженеравнымеждусобой.Навыводахтермопарывозникаетконтактнаясостав-
ляющаятермоЭДС,котораяалгебраическисуммируетсясобъемной.Какследуетиз(2.1.10),коэффициентконтактнойтермоЭДСравен
к1EF1EF2. (2.1.11)
к T eT
T
ВлияниетемпературынаположениеуровняФермивметаллахиполупроводникахвесьмаразлично.
Вметаллахконцентрацияэлектроноввеликаn
1022см3
ине
зависитоттемпературы.Следствиемэтогоявляетсяслабаятемпера-турнаязависимостьконтактнойразностипотенциалов.Простейшиеоценки,основанныенапредставленииэлектроновкакидеальногогаза,даютследующеевыражениедлятемпературнойзависимостиуровняФермивметалле[2.3]:
2k2T2
EFTEF0
12EF
, (2.1.12)
0
2
h23n3
где
E0
F *
2m8–уровеньФермивметаллепри
T0;nи
m*–концентрацияиэффективнаямассаэлектронов.
Из(2.1.12)следует,чтовкладвтермоЭДСотизмененияконтакт-
нойразностипотенциаловвметаллах,пропорциональный1EF,бу-
детравен
1EF
2k2T
0,
eT
eT
6EF0
гдеT0
текущаятемпература.
Принявдляоценки
EF0
10эВ,чтопопорядкувеличиныти-
пичнодляметаллов,получаем
1EF
2107В/К,
eT
т.е.менеемикровольтанакельвин.
Такоежезначение,попорядкувеличины,имеетикоэффициентконтактнойтермоЭДСвтермопаресдвумяметаллическимиветвями,определяемыйпоформуле(2.1.11).
ВполупроводникахтемпературнаязависимостьуровняФермиго-раздосильнее,чемвметаллах,исаматермоЭДС,иееконтактнаясо-ставляющаягораздобольше,чемэтополученовприведеннойоценке.Поэтомуприрассмотрениитермопарполупроводник–металлобычнопренебрегаютвкладомметаллавтермоЭДС.
ВэтомприближенииконтактнаясоставляющаятермоЭДСцеликомобусловленатемпературнымизменениемуровняФермиполупровод-
ника:
1EF.
к eT
Дляпостроениятермопарцелесообразноприменятьневырожден-ныеполупроводники,вкоторыхконцентрацияэлектроновиуровеньФерми,например,вполупроводникеn-типа,определяютсясоотноше-ниями
3
2m*kT2
EF
n2
h3
exp ;
kT
(2.1.13)
EFkTln
nh3
3,
22m*kT2
гдеуровеньФермиотсчитываетсяотдназоныпроводимости.
Из(2.1.13)следуетвыражениедлякоэффициентаконтактнойтер-моЭДС:
k3EFTlnn. (2.1.14)
к e2 kT
T
Дляегооценки,применительноктермопарекремний–алюминий,
примем,чтоконцентрацияэлектронов
n11018см3
инезависитот
температуры(полупроводникнаходитсявобластиистощенияпримеси),атемператураt300C.Подставляячисленныеданные,получаем,что
коэффициентконтактнойтермоЭДСравен0,32мВ
к К
,чтонадвапо-
рядкабольше,чемпоприведеннойранееоценкедляметаллов.
ОбщийкоэффициенттермоЭДСскладываетсяизсуммыобъемных
оиконтактныхэффектов:
ок.Складывая(2.1.8),(2.1.9)и(2.1.14),получаем:
k E*
s2
F. (2.1.15)
e kT
КоэффициенттермоЭДСдлятермопарысполупроводниковойвет-вьюp-типаотличаетсяот(2.1.15)лишьзнаком.
Всенсорахтермическогосигналавкачествематериаладлятермо-паробычноиспользуютсяпримесныеполупроводникисносителямитокаодногознака.Вслучаесмешаннойпроводимости,когдаэлектри-ческийтокпереноситсяэлектронамиидырками,термоЭДСзначи-тельнониже.ВтакомполупроводникеуровеньФерминаходитсяпри-близительнопосрединезапрещеннойзоныинеоченьсильносмещаетсяприизменениитемпературы.Поэтомуконтактнаясостав-
ляющаятермоЭДСк
невелика.Объемнаясоставляющаяо
тоже
оказываетсямала,посколькуэлектроныидыркидрейфуютводнусто-ронуиеслиприходяттудавравныхколичествах,тообъемноеполевообщеневозникает.
Вслучае,когдаконцентрацияиподвижностьносителейодноготи-
па,например,электронов,больше,чемдругого,онидиффундируюткхолодномуспаюдотехпор,покавозникшеетермоэлектрическоеполенеуравняетпотокиэлектроновидырок.КоэффициенттермоЭДСвслучаесмешаннойпроводимостиравен
pppeen
, (2.1.16)
ppnn
гдер,n,p,n
–соответственноподвижностииконцентрациидырок
иэлектронов;e
иp
–коэффициентытермоЭДС,определенные
согласно(2.1.15).