- •4 Оглавление
 - •Глава1.Температурныеполявтермическихсенсорах........................ 17
 - •Глава2.Термочувствительныеэлементы 105
 - •Глава3.Примерыпрактическойреализациитермическихсенсоров
 - •Глава4.Взаимодействиеизлученияствердымтелом 183
 - •Глава5.Фотоэлектрическиеприемникиизлучения.Определения
 - •Глава6.Равновесныеинеравновесныеносители заряда 271
 - •Глава7.Физическиеосновыработыфотонныхприемниковизлу-
 - •Глава8.Основныенаправленияразвитиятехникирегистрацииоптическогоизлучения 411
 - •Теплотаитемпература
 - •Способы теплопередачи:теплопроводность
 - •Уравнениетеплопроводности
 - •Теплопроводностьгазов
 - •Теплопроводностьитеплоемкостьтвердыхтел
 - •Теплопроводностьжидкостей
 - •1.3.Радиационныйспособтеплопередачи
 - •Основныепонятияизаконы
 - •Радиационныйтеплообменмеждутвердымителами,
 - •Теплообменмеждудвумятелами,одноизкоторыхнаходится
 - •Конвективныйтеплообмен
 - •Основныеособенностиконвективноготеплообмена
 - •Основныеуравненияконвективноготеплообмена
 - •Критериитеорииподобия
 - •Вынужденнаяконвекциядляплоскойповерхности
 - •Теплообменвусловияхестественнойконвекции
 - •Естественнаяконвекция
 - •Примеррасчетаконвективноготеплообмена
 - •Cтационарныетемпературныеполявэлементахтермическихсенсоровиактюаторов
 - •Распределениетемпературы
 - •Передачатеплачерезстенку
 - •Электростатическаяаналогияуравнениятеплопроводности
 - •Тепловоесопротивлениесоставнойтеплопроводящейпла-стины.
 - •Параллельное соединение двух разнородных тепловых
 - •Температурноеполевинтегральнойконсольнойбалочке
 - •Стационарноетемпературноеполевкруглойдиафрагме
 - •Однородныйнагрев
 - •Точечныйисточниктепла
 - •Температурнаядинамикаэлементовтермическихсенсоров
 - •Решениенаосновеэлектростатическойаналогии
 - •Аналитическоерешениедлятеплообмена
 - •2.1.ТермочувствительныеэлементынаосновеэффектАтермоЭдс
 - •Физическиепроцессывтермопарах
 - •ОбъемныесоставляющиетермоЭдс
 - •КонтактнаясоставляющаятермоЭдс
 - •2.1.2.Эффекттермоэдсвметаллахиполупроводниках
 - •Термоэлектрическиеэффектыпельтьеитомсона
 - •Терморезисторы
 - •Металлическиетерморезисторы
 - •Кремниевыетерморезисторы
 - •Транзисторы
 - •Термисторы
 - •Термическийвакуумметр
 - •Термическиесенсорыпотокагаза
 - •Термоанемометры
 - •Термоанемометрыснагревателемизполикристаллическогокремния
 - •Термическийсенсор,чувствительныйкнаправлениюпотока
 - •VXSxuxSxucos;
 - •Термическийконверторсреднеквадратичногозначениянапряжения
 - •Биморфныйтермомеханическийактюатор
 - •Взаимодействиеизлучениясполупроводниками
 - •Уравнениямаксвелла
 - •Отражениеэлектромагнитногоизлученияотграницыразделадвухсред
 - •Зависимостьоптическихконстантотчастоты
 - •Интерференция.Просветляющиепокрытия
 - •Поглощениевполупроводниках
 - •Механизмыпоглощениясветавполупроводниках
 - •Собственноепоглощение.Прямыепереходы
 - •СобственноепоглощениеНепрямыепереходы
 - •Экситонноепоглощение
 - •Примесноепоглощение
 - •Внутризонноепоглощение
 - •Поглощениесвободныминосителямизаряда
 - •Решеточноепоглощение
 - •Приемникиизлучения
 - •Поотношениюксопротивлениюнагрузки:
 - •Методыизмеренияпараметровфотоэлектрическихполупроводниковыхприемников
 - •0,1Fрезfэкв0,2fрез,
 - •Энергетическиехарактеристикиизлучения
 - •IbAcos.
 - •IBdAcos,
 - •Мощностьиспектральныйсоставизлученияабсолютночерныхтел
 - •Энергетическийисветовойпотокиизлучения
 - •Цветовоезрение
 - •Xyz(условныеобозначениясм.Нарис.5.18):
 - •Приемцветногоизображенияприпомощиприемников
 - •650Нмсераялиния
 - •Равновесныеинеравновесныеносителизаряда
 - •Равновесныеносителизарядавполупроводниках
 - •Неравновесныеносителизарядаквазиуровеньферми
 - •Рекомбинацияносителейзарядавремяжизни
 - •1Nстt
 - •Механизмырекомбинации
 - •Излучательнаярекомбинация
 - •Imax 2g
 - •Межзоннаяоже-рекомбинация
 - •Рекомбинациячерезлокальныецентры
 - •Поверхностнаярекомбинация
 - •Распределениенеравновесныхносителейзаряда
 - •Уравнениянепрерывностидляэлектроновидырок
 - •Диффузионноеуравнение
 - •Лавинныефотодиоды
 - •Фотосопротивления
 - •Фотоприемникинаосновеструктурметалл–диэлектрик–полупроводник
 - •Приповерхностныеобластипространственногозаряда
 - •10 Blip 10
 - •Целипримененияоптическихсистемиихстроение
 - •Болометрическиематрицы
 - •Принципдействияихарактеристикитепловыхприемниковизлучения
 - •Параметрытпи
 - •Болометры
 - •Линейчатыеиматричные
 - •Составипринципработыизмерительногостенда
 - •–Осьлинейкифотоприемников(лфп)иЛфпу;
 - •Характеристикилинейчатыхфотоприемныхустройств
 - •Тепловизионныематрицы
 - •Линейчатыеиматричныепзи-приемникиизображениянаосновеInAs
 - •Преобразованиесветовогопотокавцифровуюинформацию
 - •Оцифровываниесигнала
 - •Приборы,отображающиеоптическуюинформацию
 - •ВикторАлексеевичГридчин,ИгорьГеоргиевичНеизвестный,ВладимирНиколаевичШумский физикамикросистем
 - •Часть2Учебноепособие
 - •630092,Г.Новосибирск,пр.К.Маркса,20
 
Cтационарныетемпературныеполявэлементахтермическихсенсоровиактюаторов
Эффективностьработытермическихсенсоровиактюатороввзна-чительноймереопределяетсяихконструкцией,свойствамиисполь-зуемыхматериаловиособенностямивзаимодействиясокружающейсредой.Некоторыеизэтихвзаимодействийявляютсяопределяющимидляработыкомпонентовмикросистем,другиенеобходимоослабить,используярациональныеконструктивныерешенияиприменяясоот-ветствующиематериалы.Искусствопроектированиякакразисостоитвтом,чтобыоптимизироватьполезныевзаимодействияиминимизи-роватьиликомпенсироватьнежелательные.
Втермическихсенсорахиактюаторахглавное–определитьтемпе-
ратурныеполя,возникающиеотвнешнеговоздействия.Дляпростей-шихструктурэтупроблемуможнорешитьаналитически,однаковоб-щемслучаеприходитсяопиратьсяначисленныеметоды.
Вданномпараграфеосновноевниманиеуделеноаналитическимрешениям,которыеможнополучитьдляпростейшихтиповтермиче-скихструктур.Помимосамостоятельногоинтереса,найденныереше-нияподходятдляоценокраспределениятемпературвболеесложныхслучаях,когдаприменениечисленныхметодовнеизбежно.
Вначалерассмотримслучаисодномерным(илисводящиесякне-
му)распределениемтемпературы.Прианализеширокоиспользуетсяаналогиямеждустационарнымраспределениемтемпературыиэлек-тростатическогопотенциалавгеометрическиподобныхструктурах.Далееисследуютсядвумерныетермическиеструктуры,представляю-щиенаибольшийпрактическийинтерес.
Вданномпараграферечьпойдеттолькоостационарномраспреде-лениитемпературы.
Распределениетемпературы
ВМНОГОСЛОЙНОЙПЛОСКОЙПЛАСТИНЕ
Впараграфе1.2былрассмотренслучайтепловогопотокачерезплоскуюоднороднуюпластину,когдараспределениетемпературыза-виситтолькоотоднойкоординаты:
TT2T1xT. (1.5.1)
L 1
Тепловойпотокприэтомсохраняется(рассеяниемтеплачерезбо-ковыегранипренебрегают)иоказываетсяравным:
k
Ф
T2T1А.L
Впрактическихконструкцияхмикросистемчастовстречаетсяслу-чай,когдатепловойпотокпроходитчерезмногослойнуюпластину
(рис.1.16),вкоторойкоэффициентытеплопроводностиki
итолщины
отдельныхслоевразличны.Найдемраспределениетемпературывта-койструктуре,предполагая,какипрежде,чтотепловойпотокнаправ-
ленвдольосиx,атемпературыкрайнихповерхностейсоответственноравныT1иT2,причемT1T2.
	
Среда1	Среда2
T1
x0
иxL
α1 α2
q
k1 k2 k3 T2
I1 I2 I3
Рис.1.16.Тепловойпотокираспределениетемпературывмногослойнойпластине
Посколькувнутренниеисточникиистокитеплавструктуреотсут-ствуют,тотепловойпотокприпереходеизслоявслойсохраняется.Сучетомэтогокраеваязадачатеплопроводностидлямногослойнойпла-стиныпринимаетследующийвид:
d2T
0;
dx2
Tx0T1;
TxLT2;
(1.5.2)
qФconst,
А
гдеФиА–общийтепловойпотокиплощадьбоковойповерхностипластины.
Общеерешениеуравнениязадачи(1.5.2)имеетвид
TiC1ixC2i,
i1,2,...,n–номерслоя.
Используяэторешениеиграничныеусловиякраевойзадачи,полу-чаемвыражениетемпературдляпромежуточныхграничныхповерхно-стейTci,i1,2,...,n1:
TT
–ql1;
c1 1
T Tq
k1
i
in1l.
cn1 1
i1ki
Плотностьтепловогопотокачерезпластину,содержащуюnслоев,оказываетсяравна:
1
nl
TT
qi
T1T2
1 2; (1.5.3)
i1ki
i
nlRTRT
. (1.5.4)
i1ki
СуммавскобкахпредставляетсобойтепловоесопротивлениеRT
многослойнойпластинысединичнойплощадьюпоперечногосечения.Основнойвкладвеговеличинувносятслоипластины,имеющиенаи-меньшуютеплопроводность,наэтихслояхпроисходитнаибольшеепадениетемпературы.
