- •1.Электрическое поле, однородное и неоднородное. Работа по перемещению электрического заряда в однородном поле.
- •2.Напряжение и потенциал.
- •3.Явление электрического тока. Проводники первого и второго рода.
- •4.Электродвижущая сила. Вольт-амперные характеристики источников тока.
- •5.Работа и мощность электрического тока
- •6.Электрическая цепь постоянного тока. Закон Ома для участка цепи
- •7. Электрическая цепь с последовательным включением сопротивлений.
- •8. Разветвлённая электрическая цепь.
- •9. Законы Кирхгофа для разветвлённых цепей
- •10. Закон Джоуля - Ленца.
- •11. Метод контурных токов
- •12. Падение напряжения и потери в электрических цепях
- •13. Магнитное поле и магнитная цепь.
- •14. Основные характеристики магнитного поля
- •15. Ферромагнитные материалы в магнитном поле
- •16. Закон полного тока
- •17. Явление магнитного гистерезиса
- •18. Магнитная цепь. Магнитная проницаемость
- •19. Закон магнитной цепи. Закон полного тока в неоднородной магнитной цепи.
- •20. Расчет магнитных цепей
- •21. Закон электромагнитной индукции. Самоиндукция и взаимоиндукция
- •22. Потери от гистерезиса при перемагничивании. Вихревые токи. Вихревые токи
- •23. Переменный ток. Генерирование переменного тока
- •24. Мгновенное, действующее и среднее значение синусоидальных величин переменного тока
- •25. Электрические цепи однофазного синусоидального тока
- •26. Метод векторных диаграмм. Изобжениеэ.Д.С., напряжений и токов с помощью вращающихся векторов
- •27. Сложение и вычитание синусоидальных функций
- •28. Мгновенная мощность
- •29. Ёмкостной элемент в цепи переменного тока.
- •30. Индуктивный элемент в цепи переменного тока
- •31. Трёхфазный ток. Трёхфазные системы напряжений и токов
- •32. Мощность в цепи переменного тока (активная, реактивная, полная)
- •33. Цепь трёхфазного тока по схеме «Треугольник»
- •34. Цепь трёхфазного тока по схеме «Звезда». Фазные и линейные значения напряжений и токов
- •35. Рабочая точка. Выбор рабочей точки при расчете усилителя.
- •36. Усилитель оэ. Схема усилителя. Назначение элементов.
- •37. Вращающееся магнитное поле. Электрические машины (электродвигатели, электрогенераторы )
- •38. Электрические измерения. Системы электроизмерительных приборов
- •39. Принцип измерения тока, напряжения и мощности в цепях постоянного и переменного токов.
- •40. Электрические машины. Преобразование энергии в электрических машинах
- •41. Переходные процессы в цепях с индуктивностью
- •42. Переходные процессы в цепях, содержащих ёмкость
- •43. Полупроводниковые материалы. Ковалентная связь между атомами. Возбужденная проводимость. Понятие о дырке
- •44. Примесные полупроводники. Проводимость и концентрация носителей заряда; их зависимость от температуры
- •46. Выпрямительные свойства р-n перехода.
- •47. Ток Io и его зависимость от материала и температуры
- •48. Барьерная емкость диода
- •49. Генерация и рекомбинация носителей заряда. Неравновесное Состояние. Время жизни
- •50. Диффузионный биполярный транзистор. Основной параметр
- •51. Подвижность носителей заряда и её зависимость от температуры
- •54. Частотные свойства транзистора Error 404 (страница не найдена)
- •55. Трансформаторы. Принцип действия. Назначение
- •56. Мощность в цепи трехфазного тока
- •61. Вторичные источники питания. Стабилизаторы напряжения и тока
- •62. Логические элементы на биполярных транзисторах.Схемы не, или, и
- •63. Транзисторный ключ.Принцип работы, быстродействие
- •64. Бистабильные ячейки.Транзисторный триггер, принцип действия
- •65. Транзисторный триггер. Режим раздельного и общего входов
43. Полупроводниковые материалы. Ковалентная связь между атомами. Возбужденная проводимость. Понятие о дырке
Полупроводни́к — материал, который по своей удельной проводимости занимает промежуточное место между проводниками и диэлектриками и отличается от проводников сильной зависимостью удельной проводимости от концентрации примесей, температуры и воздействия различных видов излучения. Основным свойством полупроводника является увеличение электрической проводимости с ростом температуры.
Полупроводниками являются вещества, ширина запрещённой зоны которых составляет порядка нескольких электрон-вольт (эВ). Например, алмаз можно отнести к широкозонным полупроводникам, а арсенидиндия — к узкозонным. К числу полупроводников относятся многие химические элементы (германий, кремний, селен, теллур, мышьяк и другие), огромное количество сплавов и химических соединений (арсенид галлия и др.). Почти все неорганические вещества окружающего нас мира — полупроводники. Самым распространённым в природе полупроводником является кремний, составляющий почти 30 % земной коры.
В зависимости от того, отдаёт ли примесной атом электрон или захватывает его, примесные атомы называют донорными или акцепторными. Характер примеси может меняться в зависимости от того, какой атом кристаллической решётки она замещает, в какую кристаллографическую плоскость встраивается.
Проводимость полупроводников сильно зависит от температуры. Вблизи температуры абсолютного нуля полупроводники имеют свойства диэлектриков.
В полупроводниковых кристаллах атомы устанавливают ковалентные связи (то есть, один электрон в кристалле кремния, как и алмаза, связан двумя атомами), электронам необходим уровень внутренней энергии для высвобождения из атома (1,76·10−19 Дж против 11,2·10−19 Дж, чем и характеризуется отличие между полупроводниками и диэлектриками). Эта энергия появляется в них при повышении температуры (например, при комнатной температуре уровень энергии теплового движения атомов равняется 0,4·10−19 Дж), и отдельные атомы получают энергию для отрыва электрона от атома. С ростом температуры число свободных электронов и дырок увеличивается, поэтому в полупроводнике, не содержащем примесей, удельное сопротивление уменьшается. Условно принято считать полупроводниками элементы с энергией связи электронов меньшей чем 1,5—2 эВ. Электронно-дырочный механизм проводимости проявляется у собственных (то есть без примесей) полупроводников. Он называется собственной электрической проводимостью полупроводников.
Дырка
Во время разрыва связи между электроном и ядром появляется свободное место в электронной оболочке атома. Это обуславливает переход электрона с другого атома на атом со свободным местом. На атом, откуда перешёл электрон, входит другой электрон из другого атома и т. д. Это обуславливается ковалентными связями атомов. Таким образом, происходит перемещение положительного заряда без перемещения самого атома. Этот условный положительный заряд называют дыркой.
Обычно подвижность дырок в полупроводнике ниже подвижности электронов.
