Билет №19

1. Устройства регистрации двоичного кода. При выполнении операций над числами в счетно-вычисл. устр-вах целое полож. число N в двоичной системе счисления представляют суммой вида N₍₂₎=x_m-1^.2^m-1+x_m-2^.2^m-2+…+x_i^.2ⁱ+…+x₁^.2¹+x₀^.2⁰, где i - соответствует номеру разряда, 2ⁱ - вес разряда, а коэф-ты x_i имеет только два значения: 0 или 1.Для отображения такого числа необходимо иметь набор устр-в с двумя сост-ми равновесия, т. е. триггеров. Число триггеров должно быть равно числу разрядов m, требующихся для выражения заданного числа. Наличие уровня лог.1 на выходе триггера соответствует 1 в данном разряде, а уровня лог.0 - нулевому значению коэф-та x_i. Сов-ть триггеров, необходимую для регистрации двоичного кода, выражающего число N₍₂₎ в двоичной системе счисления, называют регистром. Инф-ция о числе, записанном в регистре путем установки триггеров в требуемое сост-е, может храниться сколь угодно долго. Т.о., регистр одновременно явл-ся и устр-вом памяти.

2. Типы модулей опер. памяти. Модули DIP, SIP, SIPP, SIMM, DIMM, RIMM. Типы модулей опер. памяти. Модули FPM DRAM, RAM EDO, BEDO DRAM, SDRAM, DDR SDRAM, DRDRAM. Сущ-ют следующ. типы модулей опер. памяти: 1)DIP; 2)SIP; 3)SIPP; 4)SIMM; 5)DIMM; 6)RIMM. DIP (Dual In line Package - корпус с двумя рядами выводов) - одиночная микросхема памяти, сейчас исп-ся только в составе более укрупненных модулей (в составе модулей SIMM, напр.). SIP (Single In line Package - корпус с одним рядом выводов) - микросхема с одним рядом выводов, устанавливаемая вертикально. SIPP (Single In line Pinned Package - корпус с одним рядом проволоч­ных выводов) - 30-контактный модуль с контактами типа «штырек». Модули SIP и SIPP сейчас практически не прим-ся. SIMM (Single In line Memory Module) представляют собой печатную плату с односторонним краевым разъемом типа слот и установл-ми на ней совместимыми микросхемами памяти типа DIP. SIMM бывают двух разных типов: короткие на 30 контактов (длина 75 мм) и длинные на 72 контакта (длина 100 мм). Модули SIMM имеют емкость 256 Кбайт, 1,4,8,16,32 и 64 Мбайт. Модули SIMM выпускаются с контролем и без контроля по четности и с эмуляцией контроля по четности. SIMM отличаются также быстродействием - обычно они имеют время обращ-я 60 и 70 не. Сейчас такое время обращ-я считается нежелательным, поэтому модули SIMM встречаются только в устар. ПК. DIMM (Dual In line Memory Module) - более современ. модули, имеющие 168-контактные разъемы (длина модуля 130 мм); могут устанавл-ся только на те типы сист. плат, кот-е имеют соответствующ. разъемы. Появл-е DIMM стимулировалось использ-ем процессоров Pentium, имеющих шину данных 64 бит. Необх. число модулей памяти для заполнения шины наз-ся бан­ком памяти. В случае 64-разрядной шины для этого требуется два 32-битных 72-контактных модуля SIMM или один 64-битный модуль DIMM, имеющ. 168 кон­тактов. Модуль DIMM может иметь разрядность 64 бита (без контроля четности), 72 бита (с контролем четности) и 80 бит (память ЕСС). Емкость модулей DIMM: 16, 32, 64,128, 256 и 512 Мбайт. Время обращ., характерн. для современ. модулей DIMM, работающ. на частоте 100 и 133 МГц (модули РС100, РС133), лежит в пределах 6-10 не. RIMM (Rambus In line Memory Module) – новейш. тип опер. памяти. Появл-е памяти Direct Rambus DRAM потребовало нового конструктива для модулей памяти. Микросхемы Direct RDRAM собираются в модули RIMM, внешне подобные стандарт. DIMM, что, кстати, и нашло отраж. в названии моду­лей нового конструктива. На плате модуля RIMM может быть до 16 микросхем памяти Direct RDRAM, установл. по восемь штук с каждой стороны платы. Модули RIMM могут быть использ-ны на сист. платах с форм-фактором ATX, BIOS и чипсеты кот-х рассчитаны на использ-е данного типа памяти. Среди микросхем фирмы Intel это чипсеты i820, i840, i850 и их модификации. На сист. плате может быть до четырех разъемов под данные модули. Модули RIMM требуют интенс. охлаждения. Это связано со значит. энергопотреблением и, соотв-но, тепловыделением, что обусловлено высоким быстродейств. данных модулей памяти (время обраще­ния 5 не и ниже). Хотя внешне модули RIMM напоминают модули DIMM, они имеют меньш. число контактов и с обеих сторон закрыты спец. метал. экранами, кот-е защищают модули RIMM, работающ. на больших частотах, экранируя их чувствит. эл. схемы от внешних эл-маг­н. наводок. В настоящ. время спецификации опр-ют три типа модулей, отлич-ся раб. частотами и пропускной способн-тью. Обознач-ся они как RIMM PC800, RIMM PC700, RIMM PC600. Наиболее быстродействующ. явл-ся модули RIMM PC800, работающ. с чипсетом i850, на внешней такт. частоте 400 МГц и имеющ. пропускную спос-ть 1,6 Гбайт/с. Модули RIMM PC600 и RIMM PC700 предназнач. для работы на повыш. часто­тах шины памяти, поддерживаемой современ. чипсетами. Модули FPM DRAM в осн-м выпускались в конструктиве SIMM. Модули RAM EDO - в SIMM и DIMM. BEDO DRAM представлена модуля­ми и SIMM и DIMM. SDRAM обыч­но выпуск-ся в 168-контакт. модулях типа DIMM. Модули DDR DRAM констр-но совместимы с традиционными 168-контакт. DIMM. Модули Direct RDRAM — RIMM внешне подобны мо­дулям DIMM.