- •Часть 1
- •Электронные лампы и электровакуумные приборы
- •Свойства электрона и электронная эмиссия
- •Виды электронной эмиссии
- •Устройство и принцип работы электровакуумных приборов
- •Устройство ламп
- •Двухэлектродная электронная лампа – диод
- •Принцип работы диода
- •Характеристики и параметры диода
- •Трехэлектродная лампа (триод)
- •Принцип работы триода
- •Характеристики триода
- •Тетроды и пентоды
- •Электронно-лучевые приборы Электронно-лучевые трубки
- •Элт с электростатическим управлением
- •Основные параметры элт
- •Элт с магнитной фокусировкой и магнитным отклонением луча
- •Кинескопы
- •Экран и маска кинескопа
- •Система обозначений электронных и электронно-лучевых приборов
- •Полупроводниковые приборы Свойства полупроводников, влияние примесей на проводимость
- •Примесная проводимость полупроводника
- •Полупроводниковые резисторы
- •Полупроводниковые диоды
- •Выпрямительные диоды
- •Стабилитроны
- •Варикапы
- •Туннельные диоды
- •Светодиоды
- •Фотодиоды
- •Биполярные транзисторы
- •Физические принципы работы транзисторов
- •Схемы включения, характеристики и параметры транзистора
- •Основные параметры трех схем включения
- •Полевые транзисторы
- •Классификация и условные обозначения полевых транзисторов
- •Полевые транзисторы с управляющим p – n-переходом
- •Характеристики полевых транзисторов с p – n-переходом
- •Полевые транзисторы с изолированным затвором (мдп)
- •Маркировка полевых транзисторов
- •Схемы включения полевых транзисторов и их особенности
- •Тиристоры
- •Диодный тиристор
- •0 Imах Iуд Iвкл Uоткр Uвкл Uпр, в 5 10 б а в
- •Триодный тиристор
- •Условные графические изображения различных тиристоров
- •Электронно-световые знаковые индикаторы
- •Накальные индикаторные приборы
- •Электролюминесцентные индикаторы (эли)
- •Вакуумно-люминесцентные индикаторы (вли)
- •Газоразрядные знаковые индикаторы (ин)
- •Ионные приборы (газоразрядные)
- •Тиратрон с холодным катодом
- •Сигнальные неоновые лампы
- •Оптроны
- •Конструкция оптронов
- •Типы оптопар, параметры и характеристики
- •И схема включения тиристорной оптопары
- •Список литературы
- •Оглавление
- •Авиационная электроника
- •Часть 1 Элементная база электроники
- •220096, Г. Минск, ул. Уборевича, 77
Конструкция оптронов
Оптроны с закрытым оптическим каналом (рисунок 60).
Излучатель и фотоприемник помещают в корпус и заливают оптически прозрачным клеем.
Оптроны с открытым оптическим каналом:
• с воздушным зазором между излучателем и фотоприемником (рисунок 61);
Рисунок
60 – Оптрон
с
закрытым оптическим каналом:
1
– излучатель; 2 – оптически прозрачный
клей; 3 – фотоприемник
Рисунок
61 – Оптрон
с
воздушным зазором
• с внешним объектом, когда световой поток излучателя попадает в
фотоприемник, отражаясь от какого-либо внешнего объекта (рисунок 62).
Рисунок 62 – Оптрон с воздушным зазором
Типы оптопар, параметры и характеристики
Резисторные оптопары (рисунок 63) имеют в качестве излучателя сверхмощную лампочку накаливания или светодиод. Приемником излучения является фоторезистор, который может работать как на постоянном, так и на переменном токе.
В
Рисунок
63 – Условное обозначение
и
схема включения
резисторной
оптопары
Uупр
Rн
E
Параметры резисторных оптопар:
• максимальные ток и напряжение на входе и на выходе;
• Rвых при нормальной работе и Rт.вых (темновое выходное сопротивление);
• R изоляции;
• время включения и выключения, характеризующее инерционность прибора.
Характеристики:
• входные ВАХ;
• передаточная зависимость: Rвых = f (Iвых).
Применяются для коммутации, автоматического регулирования
усиления, для связи между каскадами, управления бесконтактными делителями напряжения и т. д.
Диодные оптопары содержат обычно кремниевый фотодиод и арсенид-галлиевый светодиод (рисунок 64).
Параметры диодных оптопар:
• входные и выходные напряжения и токи;
• коэффициент передачи тока (т. е. Iвых / Iвх);
• время нарастания и время схода выходного сигнала.
Применение диодных оптопар очень разнообразно:
• для создания импульсных трансформаторов, не имеющих обмоток;
• для передачи сигналов между блоками РЭА;
• для управления работой микросхем.
Транзисторные оптопары имеют в качестве излучателя Ga As-светодиод, а в качестве приемника излучения – биполярный кремниевый фототранзистор (рисунок 65).
Рисунок
64 – Условное обозначение
и
схема включения диодной оптопары
Рисунок
65 – Условное обозначение и схема
включения транзисторной оптопары
В качестве приемника может также использоваться однопереходный и полевой транзисторы.
Основные параметры аналогичны параметрам резисторных оптопар. Дополнительно указываются максимальные токи, напряжения и мощность, относящиеся к входной цепи, темновой ток фототранзистора, время включения и время выключения.
Оптопары этого типа работают обычно в ключевом режиме и
применяются в коммутаторных схемах, устройствах связи различных датчиков с измерительными блоками, в качестве реле.
