Маркировка полевых транзисторов

КП302А

ГТ308В

материал

биполярный

диапазон осн. параметров (мощность, частота и т. д.)

номер разработки

особенность в данной группе (n – p по U_обр, коэф. передачи тока и т.д. д.)

• Г, К, А – материал: германий, кремний, арсенид галлия;

• П – полевой, Т – биполярный;

• цифра, указывающая диапазон основных параметров;

• номер разработки;

• буква, указывающая на особенность в данной группе.

Схемы включения полевых транзисторов и их особенности

Полевые транзисторы по аналогии с биполярными имеют три схемы включения (рисунки 47, 48, 49): с общим истоком (ОИ), с общим стоком (ОС), с общим затвором (ОЗ).

С

З

И

–

–

+

+

~

R_н

E₁

E₂

Рисунок 47 – Включение полевого транзистора с общим истоком

Схема с ОИ аналогична схеме с ОЭ. Каскад с ОИ дает очень большое усиление по току и по мощности и так же, как схема

с ОЭ, переворачивает фазу напряжения при усилении.

Схема с ОЗ аналогична схеме с ОБ. Она не дает усиления по току, поэтому усиление по мощности в ней во много раз меньше, чем в схеме с ОИ.

R_вх мало, так как входным током является ток стока. Фаза напряжения при усилении не переворачивается (так же, как в схеме с ОБ).

З

С

~

И

С

R_н

~

И

R_н

З

E₁

E₂

–

–

+

+

E₁

E₂

+

+

–

–

Рисунок 49 – Включение ПТ

с общим стоком

Рисунок 48 – Включение ПТ

с общим затвором

Каскад по схеме с ОС подобен схеме с ОК или эмиттерному повторителю и может быть назван истоковым повторителем с К_И ≈ 1. Выходное напряжение по значению и фазе повторяет входное. Для такого каскада характерны небольшое выходное сопротивление и повышенное входное.

Преимущества полевых транзисторов перед биполярными:

• ПТ являются более температуростабильными, так как в ПТ I_С вызван перемещением основных носителей заряда, концентрация которых определяется в основном количеством примеси и поэтому мало зависит от температуры.

• ПТ обладает высокой стойкостью к действию ионизирующего излучения.

Недостатком ПТ является сравнительно невысокая крутизна, т. е. меньшее быстродействие, чем у биполярного транзистора.

Тиристоры

Тиристор – это четырехслойный полупроводник, переключающий прибор, обладающий двумя устойчивыми состояниями: низкой проводимостью

(тиристор закрытый) и высокой проводимостью (тиристор открытый). Основными типами являются диодные и триодные тиристоры.

Диодный тиристор

Он имеет три p – n-перехода, причем два из них П1 и П3 работают в прямом направлении, а средний П2 – в обратном направлении. Крайнюю область р называют анодом, а крайнюю область n – катодом. Тиристор можно представить в виде эквивалентной схемы, состоящей из двух транзисторов Т1 n – p – n-типа, и Т2 p – n – p-типа, соединенных между собой. Получается, что переходы П1 и П3 являются эмиттерными переходами этих транзисторов, а переход П2 в обоих транзисторах работает как коллекторный переход.

Область базы Б1 транзистора Т1 одновременно является коллекторной областью К2 транзистора Т2, а база Б2 транзистора Т2 одновременно служит коллекторной областью К1 транзистора Т1 (рисунок 50). Соответственно этому коллекторный ток i_К1 = i_Б2, а i_К2 = i_Б1. Обычно тиристоры делают из Li, концентрация примеси в базовых областях (средних областях) значительно меньше, чем в эмиттерных (крайних областях).

i = i_Э2

i = i_Э2

R_н

R_н

i = i_Э1

i = i_Э1

A

E

n

n

n

n

n

p

p

p

p

p

I_Б1 = i_К2

I_К1 = i_б2

П3

П3

П2

П2

П2

П1

П1

К

Э1

Э1

Б1 (К2)

Б2 (К1)

Э2

Э2

Б2

К2

Т2

Б1

К1

Т1

I_К0

+

–

+

–

Рисунок 50 – Структура и эквивалентная схема тиристора

Рассмотрим ВАХ тиристора (рисунок 51).

I_пр, мA