- •Часть 1
- •Электронные лампы и электровакуумные приборы
- •Свойства электрона и электронная эмиссия
- •Виды электронной эмиссии
- •Устройство и принцип работы электровакуумных приборов
- •Устройство ламп
- •Двухэлектродная электронная лампа – диод
- •Принцип работы диода
- •Характеристики и параметры диода
- •Трехэлектродная лампа (триод)
- •Принцип работы триода
- •Характеристики триода
- •Тетроды и пентоды
- •Электронно-лучевые приборы Электронно-лучевые трубки
- •Элт с электростатическим управлением
- •Основные параметры элт
- •Элт с магнитной фокусировкой и магнитным отклонением луча
- •Кинескопы
- •Экран и маска кинескопа
- •Система обозначений электронных и электронно-лучевых приборов
- •Полупроводниковые приборы Свойства полупроводников, влияние примесей на проводимость
- •Примесная проводимость полупроводника
- •Полупроводниковые резисторы
- •Полупроводниковые диоды
- •Выпрямительные диоды
- •Стабилитроны
- •Варикапы
- •Туннельные диоды
- •Светодиоды
- •Фотодиоды
- •Биполярные транзисторы
- •Физические принципы работы транзисторов
- •Схемы включения, характеристики и параметры транзистора
- •Основные параметры трех схем включения
- •Полевые транзисторы
- •Классификация и условные обозначения полевых транзисторов
- •Полевые транзисторы с управляющим p – n-переходом
- •Характеристики полевых транзисторов с p – n-переходом
- •Полевые транзисторы с изолированным затвором (мдп)
- •Маркировка полевых транзисторов
- •Схемы включения полевых транзисторов и их особенности
- •Тиристоры
- •Диодный тиристор
- •0 Imах Iуд Iвкл Uоткр Uвкл Uпр, в 5 10 б а в
- •Триодный тиристор
- •Условные графические изображения различных тиристоров
- •Электронно-световые знаковые индикаторы
- •Накальные индикаторные приборы
- •Электролюминесцентные индикаторы (эли)
- •Вакуумно-люминесцентные индикаторы (вли)
- •Газоразрядные знаковые индикаторы (ин)
- •Ионные приборы (газоразрядные)
- •Тиратрон с холодным катодом
- •Сигнальные неоновые лампы
- •Оптроны
- •Конструкция оптронов
- •Типы оптопар, параметры и характеристики
- •И схема включения тиристорной оптопары
- •Список литературы
- •Оглавление
- •Авиационная электроника
- •Часть 1 Элементная база электроники
- •220096, Г. Минск, ул. Уборевича, 77
Схемы включения, характеристики и параметры транзистора
И
iК
iБ
iК
Uвых
EК
EБ
~
~
~
+
+
+
+
+
+
Rн
iБ
Rн
Uвых
EК
EБ
EГ
Uвх
iЭ
iК
iБ
Uвых
Uвх
EБ
IЭ
EК
a
б
в
Рисунок 37 – Схемы включения транзистора: а – ОБ; б – ОЭ; в – ОК
Схема с общей базой. На примере этой схемы рассмотрим принцип работы транзистора.
Входной ток в схеме ОБ является током эмиттера iЭ, а выходной – ток коллектора iК. Коэффициент усиления (передачи) по переменному току
α
= ∆IК
/ ∆IЭ
представляет
собой отношение приращений тока
коллектора и эмиттера, имеет величину
меньше единицы. При отсутствии тока
эмиттера iЭ
(цепь эмиттера разомкнута) протекает
тепловой ток
.
Этот ток аналогичен току насыщения
полупроводникового диода и определяется
концентрацией неосновных носителей в
базе и коллекторе транзистора. При
комнатной температуре этот ток составляет
единицы микроампер. С учетом
.
Если сопротивление нагрузки достаточно велико, то амплитуда переменной составляющей напряжения Uвых значительно больше амплитуды напряжения Uвх. Учитывая, что iвых >> iвх, следует ожидать, что схема не обеспечивает усиления тока, но усиливает напряжение. Входной ток такой схемы iвх= iЭ достаточно большой, а входное сопротивление малое.
Схема с общим эмиттером. Входным током является ток базы iБ. Коэффициент передачи по току
β = ∆IК / ∆IБ,
где β = α / (1 − α); β >> 1 (β = 10…200).
При отсутствии тока базы iБ (цепь базы разомкнута) протекает ток
т.
е.
.
Так как iвых >> iвх, а при достаточно большом сопротивлении RК амплитуда переменной составляющей напряжения Uвых значительно больше амплитуды напряжения Uвх, схема обеспечивает усиление и тока, и напряжения. Входной ток схемы достаточно мал, поэтому входное сопротивление больше, чем у схемы с общей базой.
Схема с общим коллектором. Входная цепь – цепь базы, выходная – цепь эмиттера.
Коэффициент передачи тока в этой схеме
∆iЭ / ∆iБ = IЭ / IБ = IЭ / (IЭ – IК) = 1 / (1 – α) = βЭ + 1,
т. е. он больше, чем в схеме ОЭ: βК > βЭ.
В этой схеме коллектор является общим для входной и выходной цепей по переменному току.
Само напряжение UБ-Э, и особенно его переменная составляющая достаточно малы, поэтому амплитуда переменной составляющей напряжения Uвх примерно равна амплитуде переменной составляющей напряжения Uвых. Поэтому усилительные каскады с общим коллектором
называют эмиттерными повторителями, так как iвх << iвых. Схема усиливает ток, но не усиливает напряжение.
Данная схема отличается повышенным входным сопротивлением, так как при увеличении входного напряжения росту входного тока препятствует повышение как напряжения Uвх, так и напряжения Uвых.
На практике наиболее часто используется схема с общим эмиттером.
