
- •1 Зонная энергетическая диаграмма полупроводников. Закон Ферми-Дирака
- •Триггеры
- •Уравнение электродинамических процессов в полупроводниковых приборах
- •Параметры и характеристики усилителей
- •Концентрация снз в примесном полупроводнике
- •Транзисторный ключ
- •Обобщенная структура генератора синусоидальных сигналов
- •Билет 5
- •Закономерности диффузионного и дрейфового движения снэз
- •Область безопасной работы полупроводниковых приборов Билет 6
- •Параметры полупроводниковых материалов
- •Схемы включения биполярного транзистора
- •Закономерности процессов инжекции и экстракции снэз в полупроводниковых приборах
- •2.Режимы покоя классов «а», «в», «ав» транзисторов усилительных каскадов
- •1. Равновесное состояние p-n-перехода при прямом напряжении
- •Усилительный каскад переменного тока с включением транзистора по схеме с общим эмиттером.
- •Процессы в p-n-переходе при прямом напряжении
- •Усилительный каскад переменного тока с включением транзистора по схеме с общим коллектором.
- •Билет 12
- •Процессы в p-n-переходе при обратном напряжении
- •Усилительный каскад постоянного тока. Дрейф нуля.
- •Билет 13.1. Идеализированная вольт-амперная характеристика p-n-перехода
- •Билет 13.2. Дифференциальный (балансные) каскад усиления
- •Билет 14.1. Реальная вольт-амперная характеристика p-n-перехода (электронно-дырочного перехода)
- •Билет.14.2. Операционный усилитель
- •Билет 15.1. Емкость р-n-структуры
- •Билет 15.2. Усилители на основе оу
- •1.Состояние пробоя p-n-перехода
- •2.Операционные устройства на основе операционного усилителя(оу)
- •1.1. Интегральные схемы
- •1.2. Операционные усилители
- •1.3. Анализ схем включения операционных усилителей
- •1.4. Базовые схемы включения операционных усилителей
- •1.Полевой транзистор мдп-типа со встроенным каналов.
- •2.Структура источников вторичного электропитания и его параметры
- •1.Полупроводниковый диод
- •2.Схемы выпрямителей напряжения
- •Стабилитрон
- •Последовательное соединение стабилитронов
- •Нормальный активный режим
- •Инверсный активный режим
- •Режим насыщения
- •Режим отсечки
- •Барьерный режим
- •1.2 Элемент или
- •Отрицание, не
- •Инверсия функции конъюнкции. Операция 2и-не (штрих Шеффера)
- •Инверсия функции дизъюнкции. Операция 2или-не (стрелка Пирса)
- •Эквивалентность (равнозначность), 2исключающее_или-не
- •Сложение по модулю 2 (2Исключающее_или, неравнозначность). Инверсия равнозначности.
Уравнение электродинамических процессов в полупроводниковых приборах
Процессы в полупроводниковых приборах описываются тремя основными уравнениями в частных производных : уравнением плотности тока, характеризующим образование направленных потоков заряда; уравнением непрерывности, отражающим накопление и рассасывание подвижных носителей заряда, и уравнением Пуассона, описывающим электрические поля в полупроводнике.
Уравнением плотности тока В общем случае:
,
где
—
нормальная (ортогональная) составляющая
вектора плотности тока по отношению к
элементу площади
;
вектор
-
специально вводимый вектор элемента
площади, ортогональный элементарной
площадке и имеющий абсолютную величину,
равную ее площади, позволяющий записать
подынтегральное выражение как обычное
скалярное произведение.
Уравнением
Пуассона.
Это уравнение имеет вид:
где
— оператор
Лапласа или лапласиан,
а
— вещественная или комплексная функция на
некотором многообразии.
В трёхмерной декартовой системе координат уравнение принимает форму:
Параметры и характеристики усилителей
Приведем основные характеристики многокаскадных усилителей.
1. Амплитудная характеристика, показывающая зависимость величины выходного напряжения усилителя от величины входного напряжения при постоянной частоте усиливаемого сигнала, то есть Uвых = f(Uвх) при f = = соnst » 400 или 1000 Гц (рис. 2, а). Чтобы нелинейные искажения не превышали допустимой величины, используется только линейный участок амплитудной характеристики.
Наличие внутренних шумовых помех приводит к тому, что при отсутствии входного сигнала (Uвх = 0) на выходе усилителя имеется выходное напряжение Uвых = Uшума.
Частотная (или амплитудно-частотная) характеристика, показывающая зависимость величины коэффициента усиления усилителя от частоты входного сигнала при неизменной величине входного напряжения, то есть К = Uвых / Uвх = j(f) при Uвх = соnst.
. Фазовая характеристика, показывающая величину угла сдвига фазы j между фазой выходного сигнала и фазой входного сигнала в зависимости от частоты сигнала, то есть j = y(f).
Основными параметрами усилителей являются:
1. Общий коэффициент усиления по напряжению
Кu = Uвых / Uвх = Um вых / Um вх ,
где Uвх и Umвх обозначают соответственно действующие и амплитудные значения выходных и входных напряжений усиливаемого сигнала.
В ламповых схемах усилителей, а также в усилителях на полевых униполярных транзисторах, у которых входное сопротивление каскада значительно больше внутреннего сопротивления датчика входного сигнала, то есть Rвх к-да >> Rг, то можно принять Uвх » Ег, где Ег - ЭДС датчика сигнала.
Однако в транзисторных усилителях, у которых Rвх к-да < Rг, при необходимости определяют коэффициент усиления усилителя по напряжению относительно величины ЭДС Ег датчика как генератора входного сигнала. При этом Кu = Uвых / Ег. Если усилитель содержит несколько последовательно включенных каскадов, то общий коэффициент усиления будет равен произведению коэффициентов усиления всех каскадов, то есть
Кu = Uвых / Uвх = Кu1 * Кu2 ... Кun.
2. Коэффициент усиления по току
Кi = Im вых / Im вх = Iвых / Iвх ,
где Iвых - ток в нагрузке, Iвх - ток во входной цепи усилителя.
3. Коэффициент усиления по мощности
Кp = Кi * Кu = Рвых / Рвх,
где Рвых - полезная мощность, выделяемая в нагрузке; Рвх полезная мощность, расходуемая во входной цепи усилителя.
4. Коэффициент нелинейных искажений оценивается величиной
БИЛЕТ №3