47.Вольт-амперная хар-ка диода

-состоит из 2 ветвей: прямой и обратной. Для снятия прямой ветви ВАХ нужно к электро-дырочн переходу диода приложить напряж в прямом направлении (на р-обл положит потенциал, на n-обл-отрицат.)

В этом случае потенц барьер, соотв-ий эл-дыр переходу, понижается и начинается интенсивная интенция дырок из р-обл. в n-обл и из n-обл в р-обл, прямая ветвь характеристики Прямой Ветви

Течет большой прямой ток:

Если приложить напряжение в обртном направлении (обратное смещение) то потенциальный барьер повышается и через p-n переход протекает лишь очень малый ток неосновных носителей заряда или обратный ток.

p.s. полупр-й диод это 2-х электродный прибор на основе полупроводн-го кристалла. наиболее распространены на основе электр.-дырочного перехода.

48.Устройство и схема включения транзистора.

-эл. прибор на основе полупроводн крислаллов, предназн для преобраз эл-их колебаний.

т ран-р представляет собой монокристалл-й полупроводник(пластину) в которой с помощью особых технологических приёмов созданы 3 области с разной проводимостью дырочной и электронной. p-n-p и n-p-n типа.

Средняя область, обычно очень тонкая, наз-т базой, крайняя обл.- эмиттер и коллектор.

База отделена от эмиттера и коллектора p-n переходами: эмиттерным и коллекторным.

к эмиттерному переходу приклад-т напряжение база-эмиттер, понижающее потенциальный барьер перехода и тем самым уменьшающим его сопротивление, т.е. эмитерный переход включен в направлении пропускания тока(прямом). К коллекторному переходу прикладывают напряжение база-коллектор, повышающий потенц. барьер и увеличивающий его сопротивление, т.е. коллекторный переход включен в направлении запирния(обратном). Через эмиттреный переход течёт ток эмиттера, обусловленный им обр-м перемещением электр-в из эмиттера в базу. проникая сквозь базу электроны захватываются полем и втягиваются в коллектор, однако не все электр. достигают коллектора, часть их рекомбинирует в базе с дырками, это значит что часть электронов уходит из базы в цепь эмитерного перехода, образуя ток базы I_Э=I_Б+I_k

Существует 3 схемы включ-я транзисторов: с общей базой (ОБ), с общим эмиттером (ОЭ), с общим коллектором (ОК).

Различные схемы зависят от того, кааой из выводов тр-ра является для входной и выходной цепи.

ОБ α =0,95-0,99; β = 9-99

- коэф-т передачи тока в схеме с общим эмиттером.

Вывод: Тр-р в схеме с общим эмиттером даёт усиление по току, что является важным преимуществом в схеме ОЭ, чем в более широком практ. применении с ОБ.

49.Достижения полупр-й эл-ки.

-электроника это наука о взаимодействии электронов с электронными полями и о методах создания эл-х приборов и устройств, в которых это взаимодействие используется для преобразования эл-й энергии.

-полупроводниковая электроника это область эл-ки занимающаяся исследованием эл-х процессов в полупроводниках и их использование и обработка в целях обработки, передачи и хран-я информ.

полупроводники это широкий класс вещ-в, хар-ся значениями электро-ти проис-ми между электро-ю металлов и диэлектриков, их удель-е сопр-е 10⁸-10^--6 Ом*м

связь электронов в полупроводнике может быть разорвана тепловым действием, внешними воздействиями и к содержанию примесей и дефектов в кристаллах. возможность управлять в широких пределах электр-ю полупр-в путем изменения t, введения примесей и др. путями является основной и многочисл. разнообр. применения

(говорите о компьютерах всякую чушь, уменьшение в объёме и массе, долговечность, меньшие электромощьн. приборов)

с изобретением транзистора в 1948г. наступил период миниатюризации радио-электро аппаратуры на базе достижений п/проводниковой электроники. По сравнению с аппаратурой на электрических лампах, аналогичных по назначению аппаратура имеет в десятки сотни раз меньшие размеры и массу, более высокую надёжность, они потребляют значительно меньшую эл-ю мощьность.надёжность работы на отказ 10, в отдельных случаях 10 часов.это основной элемент микросхем. '+' позволили создать ЭВМ, размещать сложные эл. устройства на самолет-х и косм. кораб-х. '-' ограниченный диапазон рабочих температур и существ. изменение параметров с изменением температуры, чуствительность к ионизации