
- •Раздел «Элементы электронных устройств»
- •Емкость конденсатора:
- •3.45. Трансформатор:
- •3.49. Полупроводниковый диод:
- •4. Транзистор находится в режиме насыщения.
- •3.82. Динистор:
- •2. Имеет три p-n- перехода;
- •Раздел «Усилители электрических сигналов»
- •3.105. Схема:
- •Раздел «Источники питания рэа»
- •3.134. Схема:
- •3.136. Схема:
- •3.140. Схема:
- •3.149. Схема:
- •Раздел «Операционные усилители и их применение»
- •3.164. Схема:
- •3.165. Схема:
- •3.171. На рисунке представлена схема:
4. Транзистор находится в режиме насыщения.
3.71. Лампа накаливания HL1 светится:
1. Если напряжение Uбэ отрицательно;
2. Когда движок переменного резистора находится в крайнем нижнем по схеме положении;
3. Если транзистор находится в состоянии отсечки;
4. Если напряжение Uбэ положительно.
3.72. Коэффициент передачи тока транзистора:
1. h11; 2. h12; 3. h21; 4. h22.
3.73. Входное сопротивление транзистора:
1. h11; 2. h12; 3. h21; 4. h22.
3.74. Выходная проводимость транзистора:
1. h11; 2. h12; 3. h21; 4. h22.
3.75. Коэффициент обратной связи по напряжению транзистора:
1. h11; 2. h12; 3. h21; 4. h22.
3.76. Параметром постоянного тока биполярного транзистора является:
1. Обратный ток коллекторного перехода;
2. Статический коэффициент передачи тока в схеме общий эмиттер;
3. Напряжение между коллектором и эмиттером в режиме насыщения;
4. Входное сопротивление транзистора;
5. Напряжение между базой и эмиттером в режиме насыщения.
3.77. Схема:
1. Является стабилизатором напряжения на нагрузке;
2. Может использоваться для демонстрации теплового пробоя транзистора;
3. Представляет собой измеритель температуры (напряжение на нагрузке однозначно зависит от температуры окружающей среды);
4. Является преобразователем входного напряжения в ток нагрузки.
3.78. На рисунке представлены:
1. Выходные характеристики р- канального полевого транзистора с управляющим p-n- переходом;
2. Выходные характеристики полевого р- канального транзистора с изолированным затвором;
3. Выходные характеристики n- канального полевого транзистора с управляющим p-n- переходом;
4. Выходные характеристики полевого n- канального транзистора с изолированным затвором;
5. Входные статические характеристики полевого р- канального транзистора с изолированным затвором.
3.79. На рисунке представлены:
1. Выходные характеристики р- канального полевого транзистора с управляющим p-n- переходом;
2. Выходные характеристики полевого р- канального транзистора с изолированным затвором и индуцированным каналом;
3. Выходные характеристики n- канального полевого транзистора с управляющим p-n- переходом;
4. Выходные характеристики полевого n- канального транзистора с изолированным затвором и встроенным каналом;
5. Выходные характеристики полевого n- канального транзистора с изолированным затвором и индуцированным каналом.
3.80. На рисунке представлены:
1. Выходные характеристики р- канального полевого транзистора с управляющим p-n- переходом;
2. Выходные характеристики полевого р- канального транзистора с изолированным затвором и встроенным каналом;
3. Выходные характеристики n- канального полевого транзистора с управляющим p-n- переходом;
4. Выходные характеристики полевого n- канального транзистора с изолированным затвором и встроенным каналом;
5. Выходные характеристики полевого n- канального транзистора с изолированным затвором и индуцированным каналом.
3.81. Тиристор:
1. Используется как электронный переключатель;
3. Это двухслойный полупроводниковый прибор с тремя электродами;
3. Является нормально открытым (включенным) прибором;
4. Применяется в качестве активной нагрузки;
5. Представляет собой трехслойный полупроводниковый прибор с тремя электродами.