3.45. Трансформатор:

1. Способен преобразовывать сопротивления в сигнальных цепях;

2. Повышает напряжение, если число витков первичной обмотки больше числа витков вторичной обмотки;

3. Может использоваться в качестве ограничителя напряжения;

4. Способен повышать мощность подводимого к нему сигнала.

3.46. Гальваническую развязку в сигнальных цепях выполняет:

1. Полупроводниковый диод;

2. Трансформатор;

3. Варистор;

4. Биполярный или полевой транзистор;

5. Динистор.

3.47. Напряжение двух согласно и последовательно включенных обмоток трансформатора

(U1 = 6,5В; U2 = 10В) равно:

1. 3,5В; 2. -3,5В; 3. 16,5В; 4. 8.25В.

3.48. Напряжение двух встречно и последовательно включенных обмоток трансформатора

(U1 = 6,5В; U2 = 2,5В) равно:

1. 9В; 2. 4,5В; 3. 8В; 4. 4В.

3.49. Полупроводниковый диод:

1. Имеет линейную вольт – амперную характеристику;

2. Применяется для гальванической развязки в сигнальных цепях;

3. Не способен использоваться в качестве датчика температуры;

4. Сглаживает пульсации выпрямленного напряжения;

5. Может использоваться для нелинейного преобразования сигналов.

3.50. Прямое напряжение на диоде:

1. Зависит от вида полупроводника;

2. Является постоянной величиной и не зависит от значения прямого тока;

3. Не зависит от температуры;

4. Имеет величину не менее 3В;

5. Определяется только функциональным назначением этого диода.

3.51. Прямой ток диода:

1. Всегда меньше его обратного тока;

2. Зависит от температуры;

3. Уменьшается при увеличении напряжения, смещающего его p-n- переход в прямом направлении;

4. Удваивается при уменьшении прямого напряжения на 60мВ.

3.52. Причиной инерционности процесса закрытия диода является:

1. То, что процесс уменьшения прямого напряжения на нем растянут во времени;

2. Его способность отсекать слабые сигналы;

3. Накопление заряда в базе при протекании прямого тока;

4. Наличие потенциального барьера p-n- перехода.

3.53. От вида полупроводника зависит:

1. Величина максимально допустимого прямого тока диода;

2. Коэффициент насыщения носителей заряда;

3. Степень поляризации p и n- областей;

4. Величина прямого напряжения на диоде.

3.54. Различие между германиевыми и кремниевыми диодами состоит в том, что:

1. Они имеют разное значение максимальной допустимой рабочей температуры;

2. Германиевые диоды, в отличие от кремниевых, не могут работать на высоких частотах сигналов;

3. Они имеют разное функциональное назначение;

4. У кремниевых диодов, в отличие от германиевых, прямое напряжение имеет меньшее значение.

3.55. Последовательно с каждым из параллельно соединенных диодов включается дополнительный резистор с целью:

1. Выравнивания прямых напряжений на этих диодах;

2. Выравнивания токов, проходящих через эти диоды;

3. Защиты этих диодов от чрезмерного увеличения прямого тока диодов;

4. Компенсации температурной погрешности в схемах, содержащих такие цепочки.

3.56. Параллельно с каждым из последовательно соединенных диодов включается резистор с целью:

1. Выравнивания прямых напряжений на этих диодах;

2. Выравнивания токов, проходящих через эти диоды;

3. Выравнивания обратных напряжений на этих диодах;

4. Защиты этих диодов от чрезмерного увеличения прямого напряжения на них.

3.57. Высокочастотные диоды:

1. Это плоскостные диоды с большой площадью p-n- перехода;

2. Не могут использоваться для выпрямления низкочастотных токов;

3. Обладают большой инерционностью;

4. Имеют малую емкость p-n- перехода.

3.58. Диоды с накоплением заряда:

1. Относятся к группе импульсных диодов;

2. Относятся к группе высокочастотных выпрямительных диодов;

3. Это диоды с барьером Шоттки;

4. Применяются как накопители электрической энергии.

3.59. Диоды с барьером Шоттки:

1. Отличаются повышенным значением прямого напряжения;

2. Отличаются повышенным быстродействием;

3. Не могут использоваться в высокочастотных импульсных устройствах;

4. Не изменяют своих параметров при изменении температуры.

3.60. Стабилитрон:

1. Это полупроводниковый резистор, предназначенный для стабилизации или двухстороннего ограничения напряжения;

2. Представляет собой полупроводниковый диод, прямая ветвь ВАХ которого имеет участок с большой крутизной;

3. При обратном включении используется как стабилизатор напряжения;

4. При прямом включении используется как стабилизатор напряжения.

3.61. Стабистор:

1. Это полупроводниковый резистор, предназначенный для стабилизации или двухстороннего ограничения напряжения;

2. Представляет собой полупроводниковый диод, обратная ветвь ВАХ которого имеет участок с большой крутизной;

3. При обратном включении используется как стабилизатор напряжения;

4. При прямом включении используется как стабилизатор напряжения.

3.62. Дифференциальное сопротивление стабилитрона:

1. Показывает, насколько изменяется его обратное напряжение при изменении его обратного тока;

2. Показывает, насколько изменяется его прямое напряжение при изменении его прямого тока;

3. Используется для расчета величины его прямого тока при заданном значении прямого напряжения;

4. Рассчитывается как отношение приращения прямого тока к вызвавшему его приращению прямого напряжения.

3.63. Варикап:

1. Это конденсатор, емкость которого изменяется при изменении величины приложенного к нему напряжения;

2. Это диод, емкость p-n-перехода которого зависит от величины обратного напряжения на этом переходе;

3. Это конденсатор переменной емкости, у которого емкость изменяется механически за счет изменения площади перекрытия пластин;

4. Используется в качестве емкостного датчика силы или перемещения;

5. Представляет собой конденсатор, емкость которого сильно зависит от температуры.

3.64. Для правильной работы варикапа:

1. Требуется обеспечить постоянство его прямого напряжения;

2. Необходимо предусмотреть изменение его прямого напряжения;

3. К нему прикладывают изменяемое обратное напряжение;

4. Обеспечивают постоянство его прямого тока и изменение напряжения между его электродами;

5. Параллельно ему включают шунтирующий резистор, сопротивлением не более 10кОм.

3.65. Добротность варикапа:

1. Это отношение активного сопротивления варикапа к его реактивному сопротивлению;

2. Показывает, степень зависимости его параметров от температуры;

3. Определяет максимальную рабочую частоту для него;

4. Это отношение реактивного сопротивления варикапа к его активному сопротивлению;

5. Является показателем температурной и временной стабильности его характеристик.

3.66. Транзистор:

1. Это полупроводниковый прибор с тремя электродами (анод, катод и управляющий электрод), предназначенный для увеличения напряжения сигнала;

2. Используется как элемент, накапливающий электрическую энергию;

3. Это трехслойный полупроводниковый переключатель;

4. Имеет линейную зависимость выходного тока от выходного напряжения;

5. Двухпереходный полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления или переключения электрического сигнала.

3.67. Биполярный транзистор:

1. Имеет меньшее входное сопротивление по отношению к полевому транзистору;

2. Имеет три электрода (сток, исток, затвор);

3. В отличие от полевого транзистора, потребляет меньшую мощность от источника управляющего сигнала;

4. Имеет три p-n- перехода.

3.68. Полевой транзистор:

1. Имеет меньшее входное сопротивление по отношению к биполярному транзистору;

2. Имеет три электрода (сток, исток, затвор);

3. В отличие от биполярного транзистора, потребляет большую мощность от источника управляющего сигнала;

4. Имеет два p-n- перехода (эмиттерный и коллекторный).

3.69. Если движок переменного резистора находится в крайнем нижнем по схеме положении, то:

1. Лампа накаливания HL₁ горит;

2. Транзистор находится в режиме насыщения;

3. Напряжение U_кэ = Е_к;

4. Транзистор находится в линейном режиме.

3.70. Если движок переменного резистора находится в крайнем верхнем по схеме положении, то:

1. Лампа накаливания HL₁ не горит;

2. Транзистор находится в режиме отсечки;

3. Напряжение U_кэ = Е_к;