
- •1. Характерные неисправности деталей, их классификация и основные причины появления.
- •2. Основные направления и методы повышения износостойкости.
- •3. Физико химические основы упрочнения стали химико-термическими методами.
- •4.Современные методы цементации сталей.
- •5.Современные методы азотирования. Ионное азотирование.
- •6. Нитроцементация.
- •10. Радиационно-стимулированная хто. Физ-хим основы.
- •11 .Полимерные покрытия. Области использования. Классиф-я методов формирования.
- •12 .Активационная обработка пов-ей.
- •13). Механические методы активационной обработки.
- •14). Химические способы активационной обработки
- •15. Фосфатирование и оксидирование поверхностей.
- •16. Электрохимическая и ультразвуковая очистка.
- •17. Обработка поверхностей в тлеющем разряде.
- •19 Физико-хим процессы протек при воздействии электрических зарядов на поверхность
- •20. Газопламенная и радиационная обработка.
- •21. Технология нанесения полимерных покрытий из порошковых материалов.
- •22.Физические основы электризации полимерных порошков
- •24. Оплавление полимерных порошков. Осаждение полимерных порошков на предварительно нагретую поверхность.
- •25 Структура и механически свойства полимерных покрытий
- •31. Газовая металлизация.
- •32 Электродуговая металлизация.
- •33. Высокочастотная металлизация. Плазменное напыление.
- •34.Высокочастотное плазменное напыление.
- •35.Основные направления совершенствования технологии плазменного напыления.
- •36.Детонационное напыление. Достоинства и недостатки.
- •38. Электроискровая обработка.
- •39. Электрохимическое оксидирование.
- •40. Эпиламирование поверхностей.
- •41.Магнитная обработка материалов. Термомагнитная обработка:
- •42. Вакуумное нанесение покрытий. Преимущества и недостатки. Физико-химические основы:
- •43. Требования, предъявляемые к условиям осаждения. Закон Ламберта:
- •44.Механизм конденсации и стадии роста плёнок в вукууме.
- •45. Основные теории зародышеобразования конденсированной фазы.
- •46. Методы осаждения вакуумных покрытий. Их классификация. Закономерности испарения. Уравнения Герца-Кнудсена. Механизмы испарения.
- •47. Резистивное испарение. Испарение сплавов, химических соединений.
- •48. Лазерное нанесение покрытий. Режимы испарения. Технологический процесс лазерного нанесения покрытий. Селективность испарения.
- •49. Электронно-лучевое испарение. Режимы, преимущества и недостатки. Особенности электронно-лучевого испарения диэлектриков.
- •57. Термомеханико-магнитная обработка материалов.
- •58. Магнитная обработка при комнатной температуре. Упрочнение в импульсных магнитных полях. Обработка инструмента в слабых магнитных полях.
- •53. Ионная имплантация. Распределение ионов по толщине слоя.
- •59. Упрочнение методом пластического деформирования.
17. Обработка поверхностей в тлеющем разряде.
Способ включает
бомбардировку поверхности отверстия
потоком ионов газа, образованным между
обрабатываемым изделием (катодом) и
введенным в него электродом (анодом),
причем электрод устанавливают коаксиально
обрабатываемой поверхности, а на катод
подают высоковольтный потенциал,
превыщающий 5000В, определяемый в
зависимости от радиуса отверстия
обрабатываемого изделия из заявленного
соотношенияопределяемый в зависимости
от радиуса отверстия обрабатываемого
изделия из соотношения
при
r = (0,14 - 0,2)R, где Uв
- высоковольтный потенциал, подаваемый
на катод, B;
Uн - напряжение горения нормального тлеющего разряда, B;
R - радиус отверстия, м;
r - радиус электрода, м;
lк - протяженность темного катодного пространства для нормального тлеющего разряда, м;
K - коэффициент, зависящий от типа реакционного газа. Технический результат заключается в интенсификации процесса обработки поверхности, получении равномерного диффузионного слоя ионов реакционного газа в поверхности длинномерных отверстий, исключении операции разогрева поверхности до температуры насыщения и упрощении реализации способа.
18. Обработка поверхностей в барьерном разряде. Барьерный разряд характеризуется наличием одной или двух диэлектрических поверхностей внутри зазора. Такой разряд имеет много общего с разрядом между металлическими поверхностями. Можно выделить четыре фазы развития барьерного разряда:
1) Фаза Таундсена - число заряженных электронов и ионов увеличивается экспоненциально за счет развития лавины без искажения приложенного поля.
2)Стримерная фаза - образование проводящих каналов в газе, внутри щели.
3)Образование катодной поверхности - ток достигает максимальной величины.
4)Фаза гашения - на диэлектрических поверхностях аккумулируется электрический заряд, который уменьшает электрическое поле в зазоре ниже критического и таким образом предотвращает образование новых ион-электронных пар в газе.
Барьерный разряд широко используется для генерации озона, обработки поверхности материалов, удаления вредных отходов и т.д. Однако стабильность разряда зависит от многих факторов, таких как, напряжение, ток разряда, состав газа, геометрия и др.
Изменяемыми параметрами являются: ширина зазора; частота; скорость потока газа.
В связи с наличием кислорода в воздухе, который является электроотрицательным атомом уменьшается эффективность возникновения разряда, напряжение в воздухе растет.В явном виде отсутствует зависимость напряжения от частоты импульсов, это объясняется тем, что частота и длительность импульсов больше критического времени развития разряда. С повышением скорости потока газа, ток разряда для гелия и азота растет, в то время как для воздуха падает. Это также объясняется наличием электроотрицательных атомов кислорода.
Существенное отличие барьерного разряда от других заключается в том, что он не может развиваться при наложении постоянного электрического поля, потому, что емкостная связь через диэлектрики требует наличия переменного поля, чтобы вызвать ток смещения.