
- •1. Характерные неисправности деталей, их классификация и основные причины появления.
- •2. Основные направления и методы повышения износостойкости.
- •3. Физико химические основы упрочнения стали химико-термическими методами.
- •4.Современные методы цементации сталей.
- •5.Современные методы азотирования. Ионное азотирование.
- •6. Нитроцементация.
- •10. Радиационно-стимулированная хто. Физ-хим основы.
- •11 .Полимерные покрытия. Области использования. Классиф-я методов формирования.
- •12 .Активационная обработка пов-ей.
- •13). Механические методы активационной обработки.
- •14). Химические способы активационной обработки
- •15. Фосфатирование и оксидирование поверхностей.
- •16. Электрохимическая и ультразвуковая очистка.
- •17. Обработка поверхностей в тлеющем разряде.
- •19 Физико-хим процессы протек при воздействии электрических зарядов на поверхность
- •20. Газопламенная и радиационная обработка.
- •21. Технология нанесения полимерных покрытий из порошковых материалов.
- •22.Физические основы электризации полимерных порошков
- •24. Оплавление полимерных порошков. Осаждение полимерных порошков на предварительно нагретую поверхность.
- •25 Структура и механически свойства полимерных покрытий
- •31. Газовая металлизация.
- •32 Электродуговая металлизация.
- •33. Высокочастотная металлизация. Плазменное напыление.
- •34.Высокочастотное плазменное напыление.
- •35.Основные направления совершенствования технологии плазменного напыления.
- •36.Детонационное напыление. Достоинства и недостатки.
- •38. Электроискровая обработка.
- •39. Электрохимическое оксидирование.
- •40. Эпиламирование поверхностей.
- •41.Магнитная обработка материалов. Термомагнитная обработка:
- •42. Вакуумное нанесение покрытий. Преимущества и недостатки. Физико-химические основы:
- •43. Требования, предъявляемые к условиям осаждения. Закон Ламберта:
- •44.Механизм конденсации и стадии роста плёнок в вукууме.
- •45. Основные теории зародышеобразования конденсированной фазы.
- •46. Методы осаждения вакуумных покрытий. Их классификация. Закономерности испарения. Уравнения Герца-Кнудсена. Механизмы испарения.
- •47. Резистивное испарение. Испарение сплавов, химических соединений.
- •48. Лазерное нанесение покрытий. Режимы испарения. Технологический процесс лазерного нанесения покрытий. Селективность испарения.
- •49. Электронно-лучевое испарение. Режимы, преимущества и недостатки. Особенности электронно-лучевого испарения диэлектриков.
- •57. Термомеханико-магнитная обработка материалов.
- •58. Магнитная обработка при комнатной температуре. Упрочнение в импульсных магнитных полях. Обработка инструмента в слабых магнитных полях.
- •53. Ионная имплантация. Распределение ионов по толщине слоя.
- •59. Упрочнение методом пластического деформирования.
45. Основные теории зародышеобразования конденсированной фазы.
2 механизма: 1.
Образование зародышей вследствии
флуктуации плотности адсорбир.атомов.
2.зародышеобразование на дефектах
пов-сти атом последов.присоедин к себе
диффундирующ.по пов-сти атома и образ-ся
стабильное скопление атомов. При
осаждении на пов-сть наиболее вероятно
обр-ие зародышей по флуктационному
мех-му.Выражение при кот происходит
зародышеобразование:
n кр- крит плотность адсорбир.фазы на пов-сть. Если j< крит.значения, то зарождение конденсир.фазы не происходит. Присоединение атомов к зародышу осущ. 2-мя способами: 1) захват атомов из газовой фазы.На начальных стадиях формир.покрытия, когда размер зародышей мал, он не явл.преобладающим. При формировании покрытия могут образ-ся различные структуры:сферич., конусовидные, элипсоидные. 2) захват зародыша дифундирующ по подложке адсорбир.атомов: S3= П(R3+rg)2
Коэффициент
конденсации различают: мгновенный и
интегральный. Этот коэффициент зависит
ои плотности зародыша:
,
где б-коэффициент, учит.перекрытие зон
захвата. S-площадь
зоны захвата, N3-поверхностная
плотность. На неорганич.материалах
зародыши на пов-сти обр-ся мгновенно и
плотность зародышей меняется незначительно.
При осаждении на полимер.материалы
плотность зародыша возрастает.
46. Методы осаждения вакуумных покрытий. Их классификация. Закономерности испарения. Уравнения Герца-Кнудсена. Механизмы испарения.
Классификация методов: 1. По способу перевода атома в газовую фазу. 2. По способам кот.образование газов фазы происходит в рез.распыления мешени ионами или высокоэнергетич.атомами. В зависимости от природы энергет.воздействие на мешень различают способы испарения:1.резестивные испарения, т.е. происходит нагрев мешени за счёт тепла, кот.выделяется при прохождении электрич.тока. 2. Электронно-лучевое испарение-нагрев мешени с пом.потока электронов. 3. Лазерное испарение- нагрев осущ. потоком фотонов.4. электродуговое испарение.5. индукционное испарение. Методы нанесения покрытий, в кот газовая фаза обр-ся по механизму распыления: 1.ионнолучевые методы-распыление мешени происходит за счёт бомбордировки пов-сти за счёт высокоэнергетич.ионов.2. ионноплазменные методы- катодное распыление.
Основным уравнением, описыв.испарение атомов-это ур-ие Герца-Кнудсена:
,
где Р –давление испаренных вещ.атомов.,
Р*- термодинамич. равновесное давление.
Температура испарения-это такая
температура, когда обр-ся атомарный пар
с давлением 1 Па. При таком давлении
можем получить давление со скоростью
0,1 нм/с. Для большинства металлов
температура испарения лежит от 1000 до
2000 атомов.
47. Резистивное испарение. Испарение сплавов, химических соединений.
Конструкции вакуумных установок для нанесения покрытий.
Резистивное испарение - когда нагрев мишени происх-т за счет тепла, которое выделяется при прохождении электрич. тока.
Резестивное испарение исп-ся для Ме имеющих относительно низкую темпер-ру испарения (Cu, Al, Zn, кадмий).
Достоинства: 1) относит-но просто технологич. оборудов-е2) возможность регулировки скорости осажденияс .Недостатки: 1) низкая ионзация атомов;2) низкая адгезия пов-ти;3) невысокая сплошность покр-я;4) невозможность получ-я покр-й из тугоплавких Ме.
Резестивным методом очень трудно наносить покр-я из сплавов. При нанесении сплавов вначале исп-ся компоненты имющие более высокие давления паров, покр-е становится слоистое.
1 - магнетрон с плоским катодом, 2 - коаксиальный магнетрон, 3 - держатель образцов, 4 - подложка для магнетрона с плоским катодом, 5 - цилиндрическая мишень (вкладыши подшипника), 6 - цилиндрическая вакуумная камера, 7 - диффузионный насос.