![](/user_photo/1363_n5AgO.jpg)
Шпоры
.pdf![](/html/1363/144/html_r3xNU3smAK.ND7Y/htmlconvd-AQcgoP41x1.jpg)
22.2 Тогда атомный фактор рассеяния:
fa0 = ∫ρ(r)e2πir (n0 −n)/ λdV
Va
элемент объема dV = 2πr2sinαdαdr r (n0 – n) = 2rsinθcosα
интегрирование
π |
∞ |
4πir |
|
|
|
|
|
|
|
|
∞ |
π |
|
fa0 = ∫∫2πr2ρ(r)e |
λ |
sinθcosα sin αdrdα =∫2πr2ρ(r)dr∫ |
|||||||||||
0 |
0 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
0 |
0 |
= −∞∫2πr2ρ(r)dr |
|
− |
4πir |
sinθ |
|
4πir |
sinθ |
= ∞∫4πr2ρ(r)dr |
|||||
|
|
|
|
||||||||||
e |
|
λ −e λ |
|||||||||||
|
|
4πir |
|||||||||||
|
0 |
|
|
|
|
|
|
λ |
sin θ |
0 |
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
= ∞∫u(r) sin(4πr sin θ/ λ)dr = fa0 (sin θ/ λ). |
|
||||||||||||
0 |
4πr sin θ/ λ |
|
|
|
|
|
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
или |
fa0 = ∞∫u(r) sin μrdr, |
|
|
где µ = 4πsinθ/λ |
|
||||||||
|
0 |
μr |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
4πir |
sinθcosα sin αdα = |
e λ |
sin(4πr sin θ/λ)= 4πr sin θ/λ
при 2θ → 0, так как sin(4πrsinθ/λ)/4πrsinθ/λ → 1, то, как и должно быть, fa0 → Z. u(r) берется из таблиц.
Атомные факторы углерода и меди
при малых углах рассеяния сильно влияние электронов внешних оболочек, а при увеличении угла рассеяния основной вклад в атомный фактор вносят электроны внутренних оболочек.
При расчете считалось что электроны в атоме "свободны", если ω0 << ω. Однако для электронов внутренних оболочек тяжелых элементов это условие не выполняется.
![](/html/1363/144/html_r3xNU3smAK.ND7Y/htmlconvd-AQcgoP42x1.jpg)
23 |
|
Рассеяние рентгеновского излучения кристаллической решеткой – условия Лауэ. |
|
|
|
|
Рассмотрим дифракцию рентгеновских лучей на моноатомном кристаллическом |
|
|
|
|
|
||
образце с примитивной решеткой Браве с одноточечным базисом. |
||
упрощающие предположения: |
1.Все рассеивающие центры (атомы) идентичны и находятся в фиксированных положениях, задаваемых вектором R;
2.Показатель преломления рентгеновского излучения в кристалле равен единице, т.е. не рассматривается взаимодействием между падающей и рассеянной волной
3.Амплитуды волн, рассеянных эквивалентными атомами в одномнаправлении, считаются одинаковыми, т.е. не рассматривается поглощение и многократное рассеяние в кристалле;
4.Рассматривается только дифракция Фраунгофера, т.е. на кристалл падает плоская волна, и точка наблюдения находится на бесконечном расстоянии от кристалла.
Найдем условия, при которых будет иметь место интерференция.
Пусть от бесконечно удаленного источника вдоль направления n0, распространяется монохроматическое рентгеновское излучение с длиной волны λ и волновым вектором k0 = 2πn0/λ. Волновой вектор рассеянного излученияk= 2πn/λ.
Рассмотрим два узла, один в начале координат, второй произвольный. Разность хода
∆l = R cosθ + R cosθ' = R (–n0) + R n.
Для интерференции необходимо
R (n – n0) = mλ и умножив на 2π/λ получим разность фаз R (k – k0) = 2πm,
ei(k−k0 ) R =1
тогда условие появления максимумов в рассеянном рентгеновском излучении: k – k0 = ±G, где G – множество векторов обратной решетки, - условие Лауэ.
![](/html/1363/144/html_r3xNU3smAK.ND7Y/htmlconvd-AQcgoP43x1.jpg)
24 |
Правило Брэгга-Вульфа – следствие условия Лауэ |
|
условие Лауэ[23] k – k0 = ±G,
k = k0 – G, длина волны при рассеянии не изменяется → k = k0, k0 = k0 – G . Возведя о в квадрат, получим k0 G = G2/2
Геометрически это означает, что конец волнового вектора k0 должен лежать в плоскости
(Брэгговской плоскости), которая перпендикулярна отрезку прямой, соединяющей начало вектора k0 с одним из узлов обратной решетки, и делит этот отрезок пополам.
любой вектор обратной решетки G перпендикулярен[8] одному из семейств атомных плоскостей кристалла, причем G = nG0 , где G0 = 2π/d,
n – целое число, d – межплоскостное расстояние данного семейства атомных плоскостей.
Так как вектора k0, k и G лежат в однойплоскости, то k0 и k образуют одинаковые углы θ с атомной плоскостью, к которой перпендикулярен вектор G. Поэтому рассеяние рентгеновского излучения с изменением волнового вектора k0 → k эквивалентно отражению отатомной плоскости с углом падения/отраженияθ.
G = 2ksinθ,
поэтому 2πn/d = 2ksinθ.
k = 2π/λ, получаем формулу Брэгга-Вульфа
2d sin θ = nλ
где целое число n – определяет порядок отражения
максимумы от разных плоскостей- брегговские максиммумы
![](/html/1363/144/html_r3xNU3smAK.ND7Y/htmlconvd-AQcgoP44x1.jpg)
25 |
Геометрический структурный фактор и условие погасания для различных |
кристаллических решеток. |
моноатомная решетка с n-точечным базисом. атомы представляют набор идентичных рассеивающих рентгеновское излучение центров, расположенных в точках с координатамиd1, d2…dn внутри ячейки (d1 = 0, атом выбран за начало координат).
Пусть для атомов во всех ЭЯ, соответствующих d1, выполняется условие конструктивной интерференции[23]. Но теперь добавляются слагаемые от остальных атомов базиса. излучение рассеянное на непримитивной ЭЯ, является суперпозицией отдельных лучей от каждого атома, поэтому амплитуда излучения, рассеянного ячейкой
n
Aэя = ∑Aj , где A1, A2…An -амплитуды рассеяния от атомов элементарной ячейки,.
j=1
Тк направления на детектор от каждого из этих атомов различно, то появляется разность хода. Для атома, расположенного в d1 величина A1 = Aа = Ae fa0 [22.1] Разность хода рентгеновских
лучей, рассеянных атомами, расположенными в точках d1 |
и d2, может быть записана[23] в виде |
||||||||||
(d1 – d2) (n – n0), где n и n0 –направления рассеянного и падающего излучения. |
|||||||||||
Разность фаз (d2 – d1) (k – k0). |
|
|
|
|
|
|
|
A = A eiG (d2 −d1 ) |
= A eiG (d2 −d1 ) |
||
для интерференции необходимо[23] |
k – k0 |
= G → |
|||||||||
n |
|
|
|
|
|
|
|
|
2 |
1 |
a |
iG d j |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
вся ячейка Aэя = ∑Aae |
при d = 0 и A |
|
= A |
. |
|
|
|
|
|||
|
1 |
|
|
|
|
||||||
j=1 |
|
1 |
|
|
a |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
AЭЯ |
|
n |
|
|
|
геометрический структурный фактор |
F |
= |
|
= ∑ fa0eiG d j |
|
||||||
Ae |
|
||||||||||
|
|
|
|
|
|
j=1 |
|
|
Интенсивность излучения в точке наблюдения квадрату амплитуды, т.е. |F|2. если F = 0 то в точке наблюдения нулевая интенсивность - условие погасания.
моноатомная ОЦК. Это ПК-решетка с 2-х точечным базисом d1, = 0 и d2 = a(ex + ey + ez)/2. Обратная решетка – тоже ПК-решетка со стороной 2π/a.
0 |
[e |
iG d |
1 +e |
iG d |
0 |
|
|
1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
F = fa |
|
|
2 ]= fa |
1 |
+exp |
2 |
aiG (ex +ey +ez ) |
|
|
|
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
G = 2π(n1ex + n1ey + n1ez)/a |
|
|
|
|
F = |
f 0 |
{1+exp[iπ(n |
+ n |
+ n )]}= |
f 0 {1+(−1)n1 +n2 +n3 |
}= |
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
a |
|
|
1 |
2 |
3 |
a |
|
G перпендикулярен плоскости(hkl) в |
|
|
|
|
0 |
при n1 |
+ n2 + n3 − четное число |
|
||||||||||
прямой решетке[9], и h = n1, k = n2, l = n3. |
= 2 fa |
|
||||||||||||||||
|
0 |
при n1 + n2 + n3 − нечетноечисло |
|
|||||||||||||||
→Брэгговское отражение[24] от |
|
|
|
|
||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
плоскостей с h + k + l – нечетное, будет иметь нулевую интенсивность, -условие погасания
моноатомная ГЦК.Это ПК-решетка с 4-х точечным базисом d1 = 0, d2 = a(ex + ey)/2, d3 = a(ex + ez)/2, d4 = a(ey + ez)/2.
F = fa0 {1+exp[iπ(n1 + n2 )+]exp[iπ(n1 + n3 )]+exp[iπ(n2 + n3 )]}.
F = 0, когда n1 – четное число, n2 и n3 – нечетные числа, или циклически→
условие погасания для ГЦК –h, k, l – разной четности
![](/html/1363/144/html_r3xNU3smAK.ND7Y/htmlconvd-AQcgoP45x1.jpg)
26.1 Синхротронное излучение: физические характеристики.
Синхротронное излучение (СИ) .
впервые наблюдалось на электронном ускорителе – синхротроне. Возникновение излучения связано с испусканием электрическим зарядом электромагнитных волн при его ускорении или торможении, в частности при движении по дуге окружности.СИ возникает при действии на электрон силы Лоренца со стороны магнитного поля в ускорителях. Поэтому более общим названием данного излучения будет магнитотормозное излучение.
энергии электронов или позитронов Ев современных ускорителях больше 1 ГэВ, а радиус поворотных магнитов ≥ 10 м.
релятивистский фактор γ = E/ mec2 >> 1 (mec2 = 0,511 МэВ) и речь идет об ультрарелятивистских частицах со скоростью v очень близкой к скорости света, т.е.β =v/с 1.
Рассмотрим излучение, возникающее при движении ультрарелятивистского электрона в постоянном однородном магнитном поле Н, перпендикулярном плоскости его орбиты. электрон движется в вакуумной камере,и можно использовать вместо Н магнитную индукцию В, создаваемую обмотками электромагнита. Пренебрегая потерями на излучение, считаем, что электрон идет по окружности радиуса R с частотой ωН и центростремительным ускорением w:
|
mecv |
|
|
Eβ |
|
v |
|
eB |
|
|
|
|
cβ |
|
|
evB |
|
|
|
|
|
R = |
|
= |
, ωH = |
= |
1−β |
2 |
= |
, |
w = |
1 |
−β |
2 |
|||||||||
|
|
|
eB |
R |
mec |
|
R |
mec |
|
||||||||||||
eB 1−β2 |
|
|
|||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Для электрона с E=1 ГэВ: γ ~ 2 103 и β = 0,999999869, и при R=3 м значение ωН 108 рад/с, период обращения Т = 2π/ωН 6 10-8с.
Мгновенная интенсивность (мощность) синхротронного излучения в телесный угол 4π от одного движущегося по окружности электрона
I0 = |
2e4 B2v2 |
2e2cβ4γ 4 |
||
|
|
= |
3R2 . При наших параметрах I0 = 7,5 10-8 Вт. И за один оборот |
|
3m2c5 |
(1−β2 ) |
|||
|
e |
|
|
|
электрон теряет (высвечивает) энергию I0T ~ 30 кэВ.
вычислим интенсивность в произвольной точке Р(r). Плоскость орбиты электрона - плоскость xy а плоскость yz проведем через r,. ϕ = ωН t – угол между радиус-вектором электрона и осью x. Т.к. в v лежит в xy и перпендикулярна радиус-вектору электрона,то косинус угла между r и v равен sinθcosϕ,а ускорение и скорость взаимно перпендикулярны.
Энергия, излученная электроном за промежуток времени∆t в элемент телесного угла dΩ,
dΕ = |
e2 |
dΩ |
|
2(nv)(vw) |
+ |
w2 |
+ |
(1−β2 )(nw)2 |
dt |
|
|
|
|
|
|
|
|||||
|
4πc3 |
|
|
|
(1−nv / c)3 |
|
(1−nv / c)5 |
|
|
|
|
|
∆∫t c(1−nv / c)4 |
|
|
|
где n = r/r |
Усреднение по периоду обращения электрона соответствует интегрированию с∆t = Т и делению полученного результата на Т.
![](/html/1363/144/html_r3xNU3smAK.ND7Y/htmlconvd-AQcgoP46x1.jpg)
После интегрирования получается выражение для усредненной интенсивности СИ от 26.2 одного электрона в пределах телесного угла dΩ в направлении на точку Р,
определяемом углом θ, т.е. угловое распределение СИ:
dI |
= |
e4 B2v2 (1−β2 ) |
2 +β2 sin2 θ |
− |
(1−β2 )(4 +β2 sin2 θ)sin2 θ |
||
|
8πm2c5 |
|
|
4(1−β2 sin2 θ)7/2 |
|
||
dΩ |
(1−β2 sin2 θ)5/ 2 |
||||||
|
|
e |
|
|
|
|
|
График угловой зависимости dI/dΩ для электронов с энергией 1 ГэВ (логарифмический масшт)
←основная интенсивность СИ сосредоточена в плоскости орбиты электрона (θ=90°) с угловой шириной
∆θ =1/γ 5 10-4 рад 2′.
электрон совершает периодическое движение по замкнутой траектории,и используя разложение в ряд Фурье, можно получить угловое распределение интенсивности излучения на частотах nωН (n = 1, 2,…∞):
dI (n,θ) |
= n2ce2β2 |
[ctg2θ Jn2 (nβsin θ) +β2 J 'n2 (nβsin θ)] |
|
dΩ |
2πR2 |
|
|
где Jn(x) – функция Бесселя индекса n, |
J'n = dJn(x)/dx. |
полная интенсивность излучения с частотой ω = nωН, получится интегрированием. Результат называется частотный спектр мощности синхротронного излучения одного электрона:
I (n) = 2e4 H 2 mec2v
= e2cβ2 n R
(1−β2 )
2β2 J '2n
β
nβ2 J '2n (2nβ) −n2 (1−β2 )∫J2n
|
|
0 |
|
2nβ |
|
(2nβ) −(1 |
−β2 ) ∫J2n (x)dx . |
|
|
0 |
|
|
|
|
= |
←имеет максимум при |
(2nζ )dζ |
||
|
|
2 3 |
|
|
n ~ (E/mec ) >> 1, т.е. |
|
|
при частотах |
|
|
ω ~ ωН(E/mec2)3. |
Эти частоты очень велики по сравнению с расстоянием ωН между двумя соседними частотами. Поэтому частотный спектр в области, где сосредоточена основная интенсивность СИ, можно рассматривать как квазинепрерывный и ввести распределение интенсивности по непрерывной частоте dI = I(n)dn = I(n)dω/ωН.
Использовав связь функции Бесселя с функцией Макдональда выражение можно упростить, и в результате получить аппроксимацию частотного спектра, точную при больших частотах:
|
|
|
|
2 |
|
|
|
|
|
|
|
2 |
|
|
|
|
∞ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||
dI |
|
|
3 e B |
ω |
|
|
3 e βγ |
ω |
F(y) = y∫K5/3 (x)dx, |
|||||||||
= |
|
|
|
= |
|
|
|
|||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
dω |
2π m c2 |
F |
ω |
|
|
2π R |
F |
ω |
|
, |
||||||||
|
|
|
|
|
e |
|
|
C |
|
|
|
|
|
|
C |
y |
где K5/3(x) – функция Макдональда,
![](/html/1363/144/html_r3xNU3smAK.ND7Y/htmlconvd-AQcgoP47x1.jpg)
|
критическая частота |
|
|
|
3eB |
|
E |
|
2 |
3 |
|
|
3 cβγ |
3 |
||
26.3 |
|
|
|
|
|
|||||||||||
|
|
|
|
|
|
|||||||||||
|
|
|
ωC = |
|
|
|
|
ωH γ |
3 |
|||||||
|
|
|
|
|
|
|||||||||||
|
|
|
|
|
|
= |
|
|
= 2 R |
|
||||||
|
|
|
|
2m c m c2 |
|
2 |
|
|
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
критическая энергия |
|
|
|
e |
e |
|
|
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
E = ω |
C |
= 3 cβγ3 / 2R |
или E |
C |
[кэВ] = 2,218E3 [ГэВ] / R [м]. |
|
||||||||||
C |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
Функция F(y) имеет максимум при y ~ 0,3. Поэтому максимум в спектре СИприходится на |
||||||||||||||||
частоту ωm ~ 0,45γ3ωН, и длину волны λm = 2πс/ωm ~ 3,3λС, |
|
|
|
|
||||||||||||
где λС = 2πс/ωС = 4πR/3βγ3 – критическая длина волны. |
|
|
|
|
|
|||||||||||
ω = 2πс/λ |
|
→ dω = –(2πc/λ2)dλ,(минус тк увеличение ω соотв. уменьшению λ). Представив |
dI/dω = (λ2/2πc)dI/dλ и использовав ω/ωС = λС /λ, получим спектральное распределение СИ
(распределение по длине волны).
dI |
|
|
|
e3B |
λ |
3 ∞ |
|
|
|
λ |
|
λ |
|
|
|
|
e3B |
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
3 |
|
|
|
|
3 |
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||
|
= |
|
|
|
|
|
|
C |
|
∫ |
K |
5/3 |
|
|
C d |
|
C |
= |
|
|
|
G(y) |
где y = λС /λ и |
||||
dλ |
|
|
|
|
|
|
|
|
m cλ2 |
||||||||||||||||||
|
m cλ2 |
λ |
λ |
|
|
λ |
λ |
|
|
|
|||||||||||||||||
|
|
|
e |
C |
|
|
/ λ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
e C |
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
С |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
G(y) = y3 |
∞∫K5/3 (x)dx |
|
|
|
Тк λС = 4πR/3βγ3 и B = Eβ/eR, то спектральное |
|
|||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
y |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
dI |
|
9 |
|
e2cβ3γ7 |
|
|
распределение СИ моноэнергетического электрона: |
|
|
= |
3 |
G(y) |
||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
dλ |
16π2 R3 |
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
В зависимости от энергии электрона и радиуса ускорителя, максимум в распределении может оказаться как в видимой, так и в ультрафиолетовой и рентгеновской области.
Для ускорителя с Е= 1 ГэВ и R = 3 м максимум интенсивности СИ при λm 56 Å (λС 17 Å).
Си является высоко-поляризованным. Компоненты линейной поляризации характеризуются направлением вектора электрического поля. Выделяется два компонента:σ-компонент с направлением вектора эл поля в плоскости орбиты электрона по радиусу к центру орбиты, и π-компонент с направлением почти по вектору магнитного поля ускорителя.Их угловое распределение при частотах nωН:
dI |
σ |
= |
e2cβ4 |
n2 J 'n2 (nβsin θ) и |
dI |
π |
= |
e2cβ2 |
n2ctg2θ Jn2 |
(nβsin θ) |
|
2πR2 |
|
2πR2 |
|||||||
dΩ |
|
|
dΩ |
|
|
|
При θ = π/2, ( плоскость орбиты), СИ полностью линейно поляризовано, т.к.dIσ/dΩ имеет максимум, а dIπ/dΩ = 0.
Основные свойства синхротронного излучения СИ - мощный источник излучения с непрерывным спектром в ультрафиолетовой и
рентгеновской области, интенсивность СИ в этих областях спектра превосходит интенсивность существующих рентгеновских трубок на несколько порядков;
СИ имеет сверхмалую угловую расходимость пучка, что позволяет проводить эксперименты на большом расстоянии от ускорителя, где мал радиационный фон; СИ является единственным интенсивным источником излучения в вакуумной ультрафиолетовой
и рентгеновской области спектра с высокой и хорошо известной степенью поляризации.
![](/html/1363/144/html_r3xNU3smAK.ND7Y/htmlconvd-AQcgoP48x1.jpg)
27.1 |
Синхротронное излучение: источники СИ. |
|
|
источниками СИ являются электронные накопительные кольца (накопители), в которых |
|
электроны циркулируют в кольце при неизменной энергии в течение десятков часов. |
Установка |
Энергия |
Ток i, |
Периметр |
Радиус |
Число |
|
|
электронов Е, ГэВ |
мА |
кольца, м |
магнитов R, м |
каналов СИ |
|
|
|
|
|
|
|
|
ESRF |
6,03 |
200 |
844,4 |
23,7 |
56 |
|
Франция |
||||||
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
APS |
7 |
100 |
1104 |
38,9 |
68 |
|
США |
||||||
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
SPring8 |
8 |
100 |
1436 |
39,3 |
62 |
|
Япония |
||||||
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
DORIS III |
4,45 |
100 |
289,2 |
12,2 |
41 |
|
Германия |
||||||
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
Сибирь-2 |
2,5 |
200 |
124,1 |
4,9 |
12 |
|
Россия |
||||||
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
Накопители состоят из накопительного кольца и системы инжекции. |
|
|||||
схема накопителя APS. |
|
|
|
|
||
|
|
1 - импульсный линейный ускоритель электронов до |
||||
|
|
энергии 450 МэВ |
|
|
||
|
|
2 - инжектирующий синхротрон периметром 368 м, в |
||||
|
|
нем электронные сгустки ускоряются до энергии 7 ГэВ |
||||
|
|
3 - основное накопительное кольцо |
|
впрыскивания сгустков электронов в основное кольцо повторяется до тех пор пока на орбите накопительного кольца не окажется нужное количество электронов .
После окончания процесса накопления сгустки электронов циркулируют в накопительном кольце в
течение десятков часов. Это обеспечивается откачкой вакуумной камеры до давления меньше 10-9 торр, и столкновения электрона с атомами остаточных газовредки.
В отличие от синхротрона, в накопительном кольце электроны движутсяпо равновесной орбите с практически неизменной энергией в постоянном во времени магнитном поле. Потери энергии на СИ компенсируются ускорением в ускорительных ячейках с высокочастотными резонаторами, расположенными в прямолинейных участках кольца. Электронный ток накопительного кольца i = nee/T = neec/2πR.И при заданном зна чении тока накопительного кольца в нем циркулирует ne = 2πRi/ec электронов.
![](/html/1363/144/html_r3xNU3smAK.ND7Y/htmlconvd-AQcgoP49x1.jpg)
27.2 |
Спектральный поток – число фотонов, испускаемых в единицу времени в пределах |
горизонтального угла один миллирадиан с энергией Е± 10-3Е, который в |
|
|
практических единицах может быть записан как |
I1 |
(E) = 2,458 10 |
Ie Ee |
E |
∞ |
где Ie –электронный ток в мА, |
|
E |
|
∫K5/3 (x)dx, |
ЕС – критическая энергия[26.3] |
|||
|
10 |
|
|
|
|
Ее – энергия электронов в ГэВ, |
|
|
|
|
c |
E / Ec |
|
|
|
|
|
|
Яркость – число фотонов, испускаемых в единицу времени в пределах телесного угла один миллистерадиан с энергией Е ± 10-3Е, которая в практических единицах может быть записана как
|
|
|
E |
2 |
|
E |
|
|
10 |
2 |
|
|
|
|
|
||
I2 =1,325 10 |
Ie Ee |
E |
2E |
|
||||
|
|
K2/3 |
|
|
||||
|
|
|
С |
|
|
С |
Яркость как функция энергии квантов для различных источников СИ
справа налево:
SPRING ESFR APS DORIS
Сибирь-2
Помимо генерации Си в поворотных магнитах , в ускорителе существует
ондуляторное излучение (ОИ)
(франц. onclulateur, от onde - волна)-
электромагнитное излучение заряженных частиц (позитронов пучка) при их
движении в системах с периодическим внешним полем.источники ОИ – ондуляторы и вигглеры устанавливаются в прямолинейных участках кольца. На рисунке схема одной из 40 структур накопителя APS,
в которых генерируется синхротронное и ондуляторное излучение 1 – электронный пучок; 2 – поворотные
магниты; 3 – ондулятор/вигглер; 4 – канал вывода СИ из поворотного магнита; 5- канал вывода ОИ.
![](/html/1363/144/html_r3xNU3smAK.ND7Y/htmlconvd-AQcgoP50x1.jpg)
28.1 |
|
Метод EXAFS |
( Extended X-ray Absorbtion Fine Structure) |
|
|
|
|
|
|
|
|
вблизи края поглощения[17] кривая зависимости коэффициента поглощения от длины волны не является плавной, а испытывает осцилляции около кривой. Эти осцилляции назваются
протяженной тонкой структурой рентгеновского поглощения(EXAFS)
элмаг излучение падает на атом, и волна возбужденного им фотоэлектрона будет распространяться от атома(рис. сплошные окружности) Если атом окружен другими атомами, как в ТТ, то вырванный электрон рассеивается ими, появляются волны( штрихованные окружности).
←спектр μ(k) K-края поглощения железа
осцилляции коэффициента это результат интерференции между расходящейся волной выбиваемого из атома электрона и той частью этой волны, которая рассеивается в обратном направлении соседними атомами.
Направление распространения волн противоположно направлению движения электрона. Рассеянные в обратном направлении волны интерферируют с первичными волнами вблизи центрального атома, усиливая или ослабляя первичнуюволну. На рис. а амплитуды складываются→ увеличение поглощения. На рис. б ситуация, когда из-за увеличения энергии падающего излучения (E2 > E1) длина волны фотоэлектрона уменьшается до значения, при котором интерференция падающей и рассеянной волн приводит к ослаблению их в центре атома →уменьшение коэффициента поглощения.
Метод EXAFS
экспериментально измеряется зависимость массового коэффициента поглощения μm от энергии падающего фотона E(kп) . Длина волнового вектора возникающей электроннойволны. определяется как k={2m[E(kп)-E0]/ћ2}1/2, где E0 – величина энергии возбуждения K -оболочки элемента, для которого строится спектр поглощения. Строитсяμm(k) . Рассчитывается функция
-нормализованный EXAFS-сигнал, где μ0(k) – плавная кривая
(такая как в [17],весело рассчитывают каким-то полиномом)
фурье-преобразованием χ(k) получают функцию радиального распределения φ(r), анализ которой позволяет судить о характереближайшего окружения поглощающего атома: