Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Шпоры

.pdf
Скачиваний:
83
Добавлен:
10.05.2014
Размер:
2.08 Mб
Скачать

22.2 Тогда атомный фактор рассеяния:

fa0 = ρ(r)eir (n0 n)/ λdV

Va

элемент объема dV = 2πr2sinαdαdr r (n0 n) = 2rsinθcosα

интегрирование

π

ir

 

 

 

 

 

 

 

 

π

fa0 = ∫∫r2ρ(r)e

λ

sinθcosα sin αdrdα =r2ρ(r)dr

0

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

0

= −r2ρ(r)dr

 

ir

sinθ

 

ir

sinθ

= r2ρ(r)dr

 

 

 

 

e

 

λ e λ

 

 

ir

 

0

 

 

 

 

 

 

λ

sin θ

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

= u(r) sin(r sin θ/ λ)dr = fa0 (sin θ/ λ).

 

0

r sin θ/ λ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

или

fa0 = u(r) sin μrdr,

 

 

где µ = 4πsinθ/λ

 

 

0

μr

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ir

sinθcosα sin αdα =

e λ

sin(r sin θ/λ)= r sin θ/λ

при 2θ → 0, так как sin(4πrsinθ/λ)/4πrsinθ/λ → 1, то, как и должно быть, fa0 Z. u(r) берется из таблиц.

Атомные факторы углерода и меди

при малых углах рассеяния сильно влияние электронов внешних оболочек, а при увеличении угла рассеяния основной вклад в атомный фактор вносят электроны внутренних оболочек.

При расчете считалось что электроны в атоме "свободны", если ω0 << ω. Однако для электронов внутренних оболочек тяжелых элементов это условие не выполняется.

23

 

Рассеяние рентгеновского излучения кристаллической решеткой – условия Лауэ.

 

 

 

Рассмотрим дифракцию рентгеновских лучей на моноатомном кристаллическом

 

 

 

образце с примитивной решеткой Браве с одноточечным базисом.

упрощающие предположения:

1.Все рассеивающие центры (атомы) идентичны и находятся в фиксированных положениях, задаваемых вектором R;

2.Показатель преломления рентгеновского излучения в кристалле равен единице, т.е. не рассматривается взаимодействием между падающей и рассеянной волной

3.Амплитуды волн, рассеянных эквивалентными атомами в одномнаправлении, считаются одинаковыми, т.е. не рассматривается поглощение и многократное рассеяние в кристалле;

4.Рассматривается только дифракция Фраунгофера, т.е. на кристалл падает плоская волна, и точка наблюдения находится на бесконечном расстоянии от кристалла.

Найдем условия, при которых будет иметь место интерференция.

Пусть от бесконечно удаленного источника вдоль направления n0, распространяется монохроматическое рентгеновское излучение с длиной волны λ и волновым вектором k0 = 2πn0/λ. Волновой вектор рассеянного излученияk= 2πn/λ.

Рассмотрим два узла, один в начале координат, второй произвольный. Разность хода

l = R cosθ + R cosθ' = R (–n0) + R n.

Для интерференции необходимо

R (n – n0) = mλ и умножив на 2π/λ получим разность фаз R (k – k0) = 2πm,

ei(kk0 ) R =1

тогда условие появления максимумов в рассеянном рентгеновском излучении: k k0 = ±G, где G – множество векторов обратной решетки, - условие Лауэ.

24

Правило Брэгга-Вульфа – следствие условия Лауэ

 

условие Лауэ[23] k k0 = ±G,

k = k0 – G, длина волны при рассеянии не изменяется k = k0, k0 = k0 – G . Возведя о в квадрат, получим k0 G = G2/2

Геометрически это означает, что конец волнового вектора k0 должен лежать в плоскости

(Брэгговской плоскости), которая перпендикулярна отрезку прямой, соединяющей начало вектора k0 с одним из узлов обратной решетки, и делит этот отрезок пополам.

любой вектор обратной решетки G перпендикулярен[8] одному из семейств атомных плоскостей кристалла, причем G = nG0 , где G0 = 2π/d,

n – целое число, d – межплоскостное расстояние данного семейства атомных плоскостей.

Так как вектора k0, k и G лежат в однойплоскости, то k0 и k образуют одинаковые углы θ с атомной плоскостью, к которой перпендикулярен вектор G. Поэтому рассеяние рентгеновского излучения с изменением волнового вектора k0 k эквивалентно отражению отатомной плоскости с углом падения/отраженияθ.

G = 2ksinθ,

поэтому 2πn/d = 2ksinθ.

k = 2π/λ, получаем формулу Брэгга-Вульфа

2d sin θ = nλ

где целое число n – определяет порядок отражения

максимумы от разных плоскостей- брегговские максиммумы

Для немоноатомной

25

Геометрический структурный фактор и условие погасания для различных

кристаллических решеток.

моноатомная решетка с n-точечным базисом. атомы представляют набор идентичных рассеивающих рентгеновское излучение центров, расположенных в точках с координатамиd1, d2…dn внутри ячейки (d1 = 0, атом выбран за начало координат).

Пусть для атомов во всех ЭЯ, соответствующих d1, выполняется условие конструктивной интерференции[23]. Но теперь добавляются слагаемые от остальных атомов базиса. излучение рассеянное на непримитивной ЭЯ, является суперпозицией отдельных лучей от каждого атома, поэтому амплитуда излучения, рассеянного ячейкой

n

Aэя = Aj , где A1, A2An -амплитуды рассеяния от атомов элементарной ячейки,.

j=1

Тк направления на детектор от каждого из этих атомов различно, то появляется разность хода. Для атома, расположенного в d1 величина A1 = Aа = Ae fa0 [22.1] Разность хода рентгеновских

лучей, рассеянных атомами, расположенными в точках d1

и d2, может быть записана[23] в виде

(d1 d2) (n n0), где n и n0 –направления рассеянного и падающего излучения.

Разность фаз (d2 d1) (k k0).

 

 

 

 

 

 

 

A = A eiG (d2 d1 )

= A eiG (d2 d1 )

для интерференции необходимо[23]

k – k0

= G

n

 

 

 

 

 

 

 

 

2

1

a

iG d j

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

вся ячейка Aэя = Aae

при d = 0 и A

 

= A

.

 

 

 

 

 

1

 

 

 

 

j=1

 

1

 

 

a

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

AЭЯ

 

n

 

 

геометрический структурный фактор

F

=

 

= fa0eiG d j

 

Ae

 

 

 

 

 

 

 

j=1

 

 

Интенсивность излучения в точке наблюдения квадрату амплитуды, т.е. |F|2. если F = 0 то в точке наблюдения нулевая интенсивность - условие погасания.

моноатомная ОЦК. Это ПК-решетка с 2-х точечным базисом d1, = 0 и d2 = a(ex + ey + ez)/2. Обратная решетка – тоже ПК-решетка со стороной 2π/a.

0

[e

iG d

1 +e

iG d

0

 

 

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

F = fa

 

 

2 ]= fa

1

+exp

2

aiG (ex +ey +ez )

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

G = 2π(n1ex + n1ey + n1ez)/a

 

 

 

 

F =

f 0

{1+exp[iπ(n

+ n

+ n )]}=

f 0 {1+(1)n1 +n2 +n3

}=

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

a

 

 

1

2

3

a

 

G перпендикулярен плоскости(hkl) в

 

 

 

 

0

при n1

+ n2 + n3 четное число

 

прямой решетке[9], и h = n1, k = n2, l = n3.

= 2 fa

 

 

0

при n1 + n2 + n3 нечетноечисло

 

→Брэгговское отражение[24] от

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

плоскостей с h + k + l – нечетное, будет иметь нулевую интенсивность, -условие погасания

моноатомная ГЦК.Это ПК-решетка с 4-х точечным базисом d1 = 0, d2 = a(ex + ey)/2, d3 = a(ex + ez)/2, d4 = a(ey + ez)/2.

F = fa0 {1+exp[iπ(n1 + n2 )+]exp[iπ(n1 + n3 )]+exp[iπ(n2 + n3 )]}.

F = 0, когда n1 – четное число, n2 и n3 – нечетные числа, или циклически→

условие погасания для ГЦК h, k, l разной четности

26.1 Синхротронное излучение: физические характеристики.

Синхротронное излучение (СИ) .

впервые наблюдалось на электронном ускорителе – синхротроне. Возникновение излучения связано с испусканием электрическим зарядом электромагнитных волн при его ускорении или торможении, в частности при движении по дуге окружности.СИ возникает при действии на электрон силы Лоренца со стороны магнитного поля в ускорителях. Поэтому более общим названием данного излучения будет магнитотормозное излучение.

энергии электронов или позитронов Ев современных ускорителях больше 1 ГэВ, а радиус поворотных магнитов ≥ 10 м.

релятивистский фактор γ = E/ mec2 >> 1 (mec2 = 0,511 МэВ) и речь идет об ультрарелятивистских частицах со скоростью v очень близкой к скорости света, т.е.β =v/с 1.

Рассмотрим излучение, возникающее при движении ультрарелятивистского электрона в постоянном однородном магнитном поле Н, перпендикулярном плоскости его орбиты. электрон движется в вакуумной камере,и можно использовать вместо Н магнитную индукцию В, создаваемую обмотками электромагнита. Пренебрегая потерями на излучение, считаем, что электрон идет по окружности радиуса R с частотой ωН и центростремительным ускорением w:

 

mecv

 

 

Eβ

 

v

 

eB

 

 

 

 

cβ

 

 

evB

 

 

 

 

R =

 

=

, ωH =

=

1β

2

=

,

w =

1

β

2

 

 

 

eB

R

mec

 

R

mec

 

eB 1β2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Для электрона с E=1 ГэВ: γ ~ 2 103 и β = 0,999999869, и при R=3 м значение ωН 108 рад/с, период обращения Т = 2π/ωН 6 10-8с.

Мгновенная интенсивность (мощность) синхротронного излучения в телесный угол 4π от одного движущегося по окружности электрона

I0 =

2e4 B2v2

2e2cβ4γ 4

 

 

=

3R2 . При наших параметрах I0 = 7,5 10-8 Вт. И за один оборот

3m2c5

(1β2 )

 

e

 

 

 

электрон теряет (высвечивает) энергию I0T ~ 30 кэВ.

вычислим интенсивность в произвольной точке Р(r). Плоскость орбиты электрона - плоскость xy а плоскость yz проведем через r,. ϕ = ωН t – угол между радиус-вектором электрона и осью x. Т.к. в v лежит в xy и перпендикулярна радиус-вектору электрона,то косинус угла между r и v равен sinθcosϕ,а ускорение и скорость взаимно перпендикулярны.

Энергия, излученная электроном за промежуток времени∆t в элемент телесного угла dΩ,

=

e2

d

 

2(nv)(vw)

+

w2

+

(1β2 )(nw)2

dt

 

 

 

 

 

 

 

 

c3

 

 

 

(1nv / c)3

 

(1nv / c)5

 

 

 

 

t c(1nv / c)4

 

 

 

где n = r/r

Усреднение по периоду обращения электрона соответствует интегрированию с∆t = Т и делению полученного результата на Т.

После интегрирования получается выражение для усредненной интенсивности СИ от 26.2 одного электрона в пределах телесного угла dΩ в направлении на точку Р,

определяемом углом θ, т.е. угловое распределение СИ:

dI

=

e4 B2v2 (1β2 )

2 +β2 sin2 θ

(1β2 )(4 +β2 sin2 θ)sin2 θ

 

m2c5

 

 

4(1β2 sin2 θ)7/2

 

d

(1β2 sin2 θ)5/ 2

 

 

e

 

 

 

 

 

График угловой зависимости dI/dдля электронов с энергией 1 ГэВ (логарифмический масшт)

←основная интенсивность СИ сосредоточена в плоскости орбиты электрона (θ=90°) с угловой шириной

∆θ =1/γ 5 10-4 рад 2′.

электрон совершает периодическое движение по замкнутой траектории,и используя разложение в ряд Фурье, можно получить угловое распределение интенсивности излучения на частотах nωН (n = 1, 2,…):

dI (n,θ)

= n2ce2β2

[ctg2θ Jn2 (nβsin θ) +β2 J 'n2 (nβsin θ)]

d

R2

 

 

где Jn(x) – функция Бесселя индекса n,

J'n = dJn(x)/dx.

полная интенсивность излучения с частотой ω = nωН, получится интегрированием. Результат называется частотный спектр мощности синхротронного излучения одного электрона:

I (n) = 2e4 H 2 mec2v

= e2cβ2 n R

(1β2 )

2 J '2n

β

nβ2 J '2n (2nβ) n2 (1β2 )J2n

 

 

0

 

2nβ

 

(2nβ) (1

β2 ) J2n (x)dx .

 

0

 

 

 

 

=

←имеет максимум при

(2nζ )dζ

 

 

2 3

 

 

n ~ (E/mec ) >> 1, т.е.

 

 

при частотах

 

 

ω ~ ωН(E/mec2)3.

Эти частоты очень велики по сравнению с расстоянием ωН между двумя соседними частотами. Поэтому частотный спектр в области, где сосредоточена основная интенсивность СИ, можно рассматривать как квазинепрерывный и ввести распределение интенсивности по непрерывной частоте dI = I(n)dn = I(n)dω/ωН.

Использовав связь функции Бесселя с функцией Макдональда выражение можно упростить, и в результате получить аппроксимацию частотного спектра, точную при больших частотах:

 

 

 

 

2

 

 

 

 

 

 

 

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

dI

 

 

3 e B

ω

 

 

3 e βγ

ω

F(y) = yK5/3 (x)dx,

=

 

 

 

=

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

dω

m c2

F

ω

 

 

R

F

ω

 

,

 

 

 

 

 

e

 

 

C

 

 

 

 

 

 

C

y

где K5/3(x) – функция Макдональда,

 

критическая частота

 

 

 

3eB

 

E

 

2

3

 

 

3 cβγ

3

26.3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ωC =

 

 

 

 

ωH γ

3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

=

 

 

= 2 R

 

 

 

 

 

2m c m c2

 

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

критическая энергия

 

 

 

e

e

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

E = ω

C

= 3 cβγ3 / 2R

или E

C

[кэВ] = 2,218E3 [ГэВ] / R [м].

 

C

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Функция F(y) имеет максимум при y ~ 0,3. Поэтому максимум в спектре СИприходится на

частоту ωm ~ 0,45γ3ωН, и длину волны λm = 2πс/ωm ~ 3,3λС,

 

 

 

 

где λС = 2πс/ωС = 4πR/3βγ3 критическая длина волны.

 

 

 

 

 

ω = 2πс/λ

 

dω = –(2πc/λ2)dλ,(минус тк увеличение ω соотв. уменьшению λ). Представив

dI/dω = (λ2/2πc)dI/dλ и использовав ω/ωС = λС /λ, получим спектральное распределение СИ

(распределение по длине волны).

dI

 

 

 

e3B

λ

3

 

 

 

λ

 

λ

 

 

 

 

e3B

 

 

 

 

 

 

 

 

3

 

 

 

 

3

 

 

 

 

 

 

 

=

 

 

 

 

 

 

C

 

K

5/3

 

 

C d

 

C

=

 

 

 

G(y)

где y = λС /λ и

dλ

 

 

 

 

 

 

 

 

m cλ2

 

m cλ2

λ

λ

 

 

λ

λ

 

 

 

 

 

 

e

C

 

 

/ λ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

e C

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

С

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

G(y) = y3

K5/3 (x)dx

 

 

 

Тк λС = 4πR/3βγ3 и B = Eβ/eR, то спектральное

 

 

 

 

 

 

y

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

dI

 

9

 

e2cβ3γ7

 

распределение СИ моноэнергетического электрона:

 

 

=

3

G(y)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

dλ

16π2 R3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

В зависимости от энергии электрона и радиуса ускорителя, максимум в распределении может оказаться как в видимой, так и в ультрафиолетовой и рентгеновской области.

Для ускорителя с Е= 1 ГэВ и R = 3 м максимум интенсивности СИ при λm 56 Å (λС 17 Å).

Си является высоко-поляризованным. Компоненты линейной поляризации характеризуются направлением вектора электрического поля. Выделяется два компонента:σ-компонент с направлением вектора эл поля в плоскости орбиты электрона по радиусу к центру орбиты, и π-компонент с направлением почти по вектору магнитного поля ускорителя.Их угловое распределение при частотах nωН:

dI

σ

=

e2cβ4

n2 J 'n2 (nβsin θ) и

dI

π

=

e2cβ2

n2ctg2θ Jn2

(nβsin θ)

 

R2

 

R2

d

 

 

d

 

 

 

При θ = π/2, ( плоскость орбиты), СИ полностью линейно поляризовано, т.к.dIσ/dΩ имеет максимум, а dIπ/d= 0.

Основные свойства синхротронного излучения СИ - мощный источник излучения с непрерывным спектром в ультрафиолетовой и

рентгеновской области, интенсивность СИ в этих областях спектра превосходит интенсивность существующих рентгеновских трубок на несколько порядков;

СИ имеет сверхмалую угловую расходимость пучка, что позволяет проводить эксперименты на большом расстоянии от ускорителя, где мал радиационный фон; СИ является единственным интенсивным источником излучения в вакуумной ультрафиолетовой

и рентгеновской области спектра с высокой и хорошо известной степенью поляризации.

27.1

Синхротронное излучение: источники СИ.

 

источниками СИ являются электронные накопительные кольца (накопители), в которых

электроны циркулируют в кольце при неизменной энергии в течение десятков часов.

Установка

Энергия

Ток i,

Периметр

Радиус

Число

 

электронов Е, ГэВ

мА

кольца, м

магнитов R, м

каналов СИ

 

 

 

 

 

 

ESRF

6,03

200

844,4

23,7

56

Франция

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

APS

7

100

1104

38,9

68

США

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

SPring8

8

100

1436

39,3

62

Япония

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

DORIS III

4,45

100

289,2

12,2

41

Германия

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Сибирь-2

2,5

200

124,1

4,9

12

Россия

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Накопители состоят из накопительного кольца и системы инжекции.

 

схема накопителя APS.

 

 

 

 

 

 

1 - импульсный линейный ускоритель электронов до

 

 

энергии 450 МэВ

 

 

 

 

2 - инжектирующий синхротрон периметром 368 м, в

 

 

нем электронные сгустки ускоряются до энергии 7 ГэВ

 

 

3 - основное накопительное кольцо

 

впрыскивания сгустков электронов в основное кольцо повторяется до тех пор пока на орбите накопительного кольца не окажется нужное количество электронов .

После окончания процесса накопления сгустки электронов циркулируют в накопительном кольце в

течение десятков часов. Это обеспечивается откачкой вакуумной камеры до давления меньше 10-9 торр, и столкновения электрона с атомами остаточных газовредки.

В отличие от синхротрона, в накопительном кольце электроны движутсяпо равновесной орбите с практически неизменной энергией в постоянном во времени магнитном поле. Потери энергии на СИ компенсируются ускорением в ускорительных ячейках с высокочастотными резонаторами, расположенными в прямолинейных участках кольца. Электронный ток накопительного кольца i = nee/T = neec/2πR.И при заданном зна чении тока накопительного кольца в нем циркулирует ne = 2πRi/ec электронов.

27.2

Спектральный поток – число фотонов, испускаемых в единицу времени в пределах

горизонтального угла один миллирадиан с энергией Е± 10-3Е, который в

 

практических единицах может быть записан как

I1

(E) = 2,458 10

Ie Ee

E

где Ie –электронный ток в мА,

E

 

K5/3 (x)dx,

ЕС – критическая энергия[26.3]

 

10

 

 

 

 

Ее – энергия электронов в ГэВ,

 

 

 

 

c

E / Ec

 

 

 

 

 

Яркость – число фотонов, испускаемых в единицу времени в пределах телесного угла один миллистерадиан с энергией Е ± 10-3Е, которая в практических единицах может быть записана как

 

 

 

E

2

 

E

 

 

10

2

 

 

 

 

 

I2 =1,325 10

Ie Ee

E

2E

 

 

 

K2/3

 

 

 

 

 

С

 

 

С

Яркость как функция энергии квантов для различных источников СИ

справа налево:

SPRING ESFR APS DORIS

Сибирь-2

Помимо генерации Си в поворотных магнитах , в ускорителе существует

ондуляторное излучение (ОИ)

(франц. onclulateur, от onde - волна)-

электромагнитное излучение заряженных частиц (позитронов пучка) при их

движении в системах с периодическим внешним полем.источники ОИ – ондуляторы и вигглеры устанавливаются в прямолинейных участках кольца. На рисунке схема одной из 40 структур накопителя APS,

в которых генерируется синхротронное и ондуляторное излучение 1 – электронный пучок; 2 – поворотные

магниты; 3 – ондулятор/вигглер; 4 – канал вывода СИ из поворотного магнита; 5- канал вывода ОИ.

χ(k) = [μm(k) - μ0(k)]/μ0(k)

28.1

 

Метод EXAFS

( Extended X-ray Absorbtion Fine Structure)

 

 

 

 

 

 

 

вблизи края поглощения[17] кривая зависимости коэффициента поглощения от длины волны не является плавной, а испытывает осцилляции около кривой. Эти осцилляции назваются

протяженной тонкой структурой рентгеновского поглощения(EXAFS)

элмаг излучение падает на атом, и волна возбужденного им фотоэлектрона будет распространяться от атома(рис. сплошные окружности) Если атом окружен другими атомами, как в ТТ, то вырванный электрон рассеивается ими, появляются волны( штрихованные окружности).

←спектр μ(k) K-края поглощения железа

осцилляции коэффициента это результат интерференции между расходящейся волной выбиваемого из атома электрона и той частью этой волны, которая рассеивается в обратном направлении соседними атомами.

Направление распространения волн противоположно направлению движения электрона. Рассеянные в обратном направлении волны интерферируют с первичными волнами вблизи центрального атома, усиливая или ослабляя первичнуюволну. На рис. а амплитуды складываются→ увеличение поглощения. На рис. б ситуация, когда из-за увеличения энергии падающего излучения (E2 > E1) длина волны фотоэлектрона уменьшается до значения, при котором интерференция падающей и рассеянной волн приводит к ослаблению их в центре атома →уменьшение коэффициента поглощения.

Метод EXAFS

экспериментально измеряется зависимость массового коэффициента поглощения μm от энергии падающего фотона E(kп) . Длина волнового вектора возникающей электроннойволны. определяется как k={2m[E(kп)-E0]/ћ2}1/2, где E0 – величина энергии возбуждения K -оболочки элемента, для которого строится спектр поглощения. Строитсяμm(k) . Рассчитывается функция

-нормализованный EXAFS-сигнал, где μ0(k) – плавная кривая

(такая как в [17],весело рассчитывают каким-то полиномом)

фурье-преобразованием χ(k) получают функцию радиального распределения φ(r), анализ которой позволяет судить о характереближайшего окружения поглощающего атома: