
- •Кристаллография
- •1.Какие отрезки отсекает на осях координат плоскость (hkl).
- •2. Определить индексы направления, параллельного плоскостям (h1k1l1) и (h2k2l2).
- •3. Какие семейства плоскостей принадлежат одной совокупности? Определить число плоскостей в совокупности {hkl} кубического кристалла.
- •4. Показать направление [uvw]. Координатные оси взять для указанной сингонии.
- •5. На схеме приведена нулевая плоская сетка обратной решетки кубического кристалла. Каковы индексы оси зоны, соответствующей этой сетке. Определить индексы отмеченных узлов ор.
- •6. Назовите основные свойства радиус-вектора обратной решетки.
- •7. Описать действие указанного элемента симметрии.
- •8. Определить кристаллическую систему и категорию указанного класса.
- •9. Как должны быть направлены координатные оси в кристаллах указанного класса.
- •10. По заданному базису построить элементарную ячейку указанной сингонии. Определить систему трансляций, записать стехиометрическую формулу соединения.
- •11. Чем отличаются указанные элементы симметрии?
- •13. Что такое указанная система трансляций?
- •23. Как соотносятся между собой длины волн .
- •24. Как соотносятся между собой интенсивности волн
- •25. Какие процессы приводят к формированию сплошного изучения рентгеновской трубки?
- •26. Какие процессы приводят к формированию характеристического изучения рентгеновской трубки?
- •Факторы интенсивности
- •32. Записать выражение для расчета интегральной интенсивности рентгеновской линии поликристалла и назвать множители интенсивности.
- •Характеристики рентгеновских отражений
- •Методы рентгеноструктурного анализа
- •54. Для чего нужен эталон при проведении количественного фазового анализа? Какая информация необходимо получить исследователю от эталона? Как она дальше будет спользоваться?
- •55. Объяснить, чем вызвано влияение симметрии решетки на чувствительность качественного фазового анализа.
- •56. Объяснить, чем вызвано влияение фактора повторяемости на чувствительность качественного фазового анализа.
- •57. Объяснить, чем вызвано влиение атомного номера на чувствительность качественного фазового анализа.
- •Исследование микронапряжений и блоков
- •75. В чем отличие дефектов 1-го и 2-го класса по классификации Криоглаза на вид дебаеграммы.
- •76. Для чего используется эталон в задачах, связанных с анализом уширения рентгеновских линий.
- •77 Каковы требования к эталону в задачах, связанных с анализом уширения рентгеновских линий.
- •78. Какие типы твердых растворов вы знаете? На чем основано определение типа твердого раствора?
- •79. Какая информация необходима для определения типа твердого раствора? Как вы ее может получить?
- •84. Какие эксперименты необходимо провести для построения границы растворимости и как обработать экспериментальные данные?
- •85. В каких случаях целесообразно применение метода исчезающей фазы при построении границы растворимости?
- •86. Сколько образцов необходимо иметь для построения трех точек границы растворимости?
- •87. Какие методы точного определения периода решетки вы знаете? На чем они основаны?
- •Электронография
- •121.Сравнить предельное разрешение во вторичных электронах, отраженных электронах и характеристическом рентгеновском излучении.
23. Как соотносятся между собой длины волн .
(2*λКα1 + λКα2)/3 = λКαср
λКα : λКβ = 1,09
24. Как соотносятся между собой интенсивности волн
100:50:20
25. Какие процессы приводят к формированию сплошного изучения рентгеновской трубки?
Сплошной спектр рентгеновского излечения – непрерывный спектр. При подаче напряжения на катод он нагревается и в результате термоэлектронной эмиссии около поверхности катода образуется электронное облако. При возникновении разности потенциалов между анодом и катодом электроны бомбардируют анод. Влетающий в анод электрон тормозится кулоновским полетом атома. При торможении возникает электромагнитный импульс. Множество этих импульсов создают сплошное рентгеновское излучение.
26. Какие процессы приводят к формированию характеристического изучения рентгеновской трубки?
При подаче напряжения на катод он нагревается и в результате термоэлектронной эмиссии около поверхности катода образуется электронное облако. Электроны, бомбардирующие анод, обладают достаточной кинетической энергией. Они выбивают электроны с внутренних электронных оболочек атомов, образующих при этом свободные вакансии, заполняют электронами с более удаленных от ядра оболочек, где их энергия выше. При переходе с более высокого уровня на низкий уровень появляется излишек энергии, который выделяется в виде кванта электромагнитного излучения, что является характеристическим спектром.
27. Пластина ослабляет рентгеновское излучение в x раз. Во сколько раз будет ослаблять излучение две такие пластины?
dμ=ln(I/I0)=lnx 2 dμ=2 lnx= lnx2
28. Запишите основной закон поглощения рентгеновских лучей и расшифруйте использованные обозначения.
I=I0exp{-μt}
I- интенсивность прошедшего луча
I0 – интенсивность первоначального рентгеновского пучка
μ- коэффициент ослабления
t- толщина пластины
Факторы интенсивности
29.Что такое структурная амплитуда и как она рассчитывается?
Структурная амплитуда показывает во сколько раз амплитуда рассеянья элементарной ячейки > чем амплитуда амплитуда рассеянья одним электроном.
F=
HKL- индексы интерференции
(x,y,z)- базис
30. Вычислить структурную амплитуду отражений (h1k1l1) и (h2k2l2) указанного структурного типа.
Пример: базис [[000 ½½ 0 ½0½ 0½½]]
F=fCu{1+exp(2πi(H+K))+ exp(2πi(H+L))+ exp(2πi(L+K))}=
=
fCu{1+cos(π(H+K))+
cos(π(H+L))+ cos(π(L+K))=
FNaCl Na[[000 ½ ½ 0½ 0½ 0 ½½]]
Cl[[½½½ ½00 0½0 00½]]
FNaCl=fNa{1+exp(2πi(H+K))+ exp(2πi(H+L))+ exp(2πi(L+K))}+fCl{ exp(πiH)+ exp(πiK)+ exp(πiL)+ exp(πiH+K+L)}= fNa+fCl * exp(πiH+K+L)*4
31. От чего зависит функция атомного рассеяния и как ее рассчитать?
Атомным фактором называется величина, характеризирующая способность изолированного атома или иона когерентно рассеивать рентгеновское излучение, электроны или нейтроны (соответственно различают рентгеновский, электронный или нейтронный атомный фактор). Атомный фактор определяет интенсивность излучения, рассеянного атомом в определенном направлении. Атомный фактор f (или функция атомного рассеяния) определяется как отношение амплитуды волны, рассеянной одним атомом к амплитуде волны, рассеянной одним свободным электроном. Величина атомного фактора зависит от угла рассеяния и длины волны излучения
f=
f ’ и f ”- дифракционные поправки