
- •Содержание
- •Лекция 1
- •1. Введение в сверхпроводимость.
- •1.1. Чем вызван интерес к сверхпроводимости.
- •1.2. Состояние области сп.
- •1.3. История открытия и развитие.
- •2. Основные факты
- •2.1. Введение
- •2.3. Критическая температура Тс.
- •Лекция 2
- •2. Основные факты.
- •2.5. Критическое магнитное поле Нс.
- •2.7. Изотоп-эффект.
- •1. Максвелл
- •2. Локк и др.
- •3. Серин и др.
- •2.8. Электронная теплоемкость.
- •2.9. Теплопроводность.
- •2.11. Коэффициенты отражения и поглощения электромагнитного излучения.
- •2.12. Туннельный эффект.
- •2.13. Квантование магнитного потока.
- •2.14. Релаксация ядерного спина.
- •2.15. Затухание ультразвука.
- •Лекция 3
- •3. Классы сверхпроводников.
- •3.1. Чистые элементы.
- •3.1А. Сверхпроводимость под давлением.
- •3.2В. Тройные соединения (интересные примеры).
- •3.3. Полупроводники.
- •3.4. Дихалькогениды.
- •3.5. Полимеры.
- •3.6. Магнитные (возвратные) сп-ки.
- •Лекция 4
- •3.7. Органические сверхпроводники.
- •3.8. Сверхпроводники с тяжелыми фермионами.
- •3.9. Высокотемпературные сверхпроводники.
- •3.10. «Необычные» втсп.
- •4. Корреляции.
- •Лекция 5
- •5. Методики.
- •5.1. Методы получения сп материалов.
- •Лекция 6
- •5. Методики (продолжение)
- •5.2. Получение сп пленок и тонких слоев.
- •5.2.1. Испарение и осаждение в вакууме
- •5.2.2. Катодное распыление.
- •5.2.4. Лазерное испарение.
- •5.2.5. Ионное испарение.
- •5.2.6. Реактивное распыление.
- •5.2.7. Химическое осаждение из газовой фазы. Cvd
- •5.2.8. Молекулярно-лучевая эпитаксия (млэ).
- •5.2.9. Другие методы.
- •Лекция 7
- •5.3.2. Взрывное обжатие.
- •5.3.3. Имплантация ионов.
- •5.4. Получение сп проводов и лент.
- •5.4.1. Гидростатическая экструзия (выдавливание).
- •5.4.2. Протяжка (волочение), прокатка.
- •5.4.3. Порошковые методики.
- •5.5. Методы получения низких температур.
- •5.6. Методы измерения низких температур.
- •5.6.1. Термодинамическая и международная шкала температур.
- •5.6.2. Опорные (реперные) точки.
- •5.6.3. Термометры.
- •5.7. Методы измерения Тс.
- •5.7.1. Резистивные методы.
- •Лекция 8
- •5.7. Методы измерения критической температуры Тс.
- •5.7.2. Бесконтактные методы измерения Тс (магнитные и индуктивные).
- •5.7.3. Другие методы.
- •5.7.4. Несколько практических советов.
- •5.8. Измерение критических магнитных полей и криттоков.
- •5.8.1. Введение.
- •5.8.2. Создание магнитных полей.
- •5.8.3. Методы измерения магнитных полей.
- •5.8.4. Измерение критического тока Ic.
- •Лекция 9
- •6. Сверхпроводящее состояние.
- •6.1. Электрон-фононное взаимодействие.
- •6.2. Модели взаимодействия.
- •6.3. Куперовские пары и длина корреляции.
- •6.4. Энергетическая щель.
- •6.5. Плотность электронных состояний n(e).
- •6.6. Основные формулы теории бкш.
- •6.7. Втсп и другие проблемы.
- •Лекция 10
- •7. Эксперименты, подтверждающие основные представления о сп состоянии.
- •7.1. Изотопический эффект.
- •7.2. Квантование магнитного потока (флюксоида).
- •7.3. Измерение энергетической щели.
- •7.3.1. Введение.
- •7.3.2. Поглощение электромагнитного излучения.
- •7.3.3. Измерение поверхностного сопротивления сверхпроводников.
- •7.3.4. Поглощение ультразвука.
- •7.3.5. Туннельные эксперименты.
- •7.3.6. Замечание о d-типе волновой функции в втсп.
- •Лекции 11, 12
- •8. Сверхпроводники в магнитном поле.
- •8.1. Эффект Мейснера-Оксенфельда или идеальный диамагнетизм.
- •8.2. Магнитные свойства сверхпроводников.
- •8.3. Измерения намагниченности м сверхпроводника.
- •8.4. Глубина проникновения магнитного поля в сверхпроводник .
- •8.5. Промежуточное состояние.
- •Лекция 13
- •8.6. Граничная (поверхностная) энергия.
- •8.7. Явления «перегрева» и «переохлаждения».
- •9. Сверхпроводники 2-го рода.
- •9.1. Отрицательная поверхностная энергия.
- •9.2. Смешанное состояние сверхпроводников 2-го рода. Вихри Абрикосова.
- •9.3. Взаимодействие вихрей. Решетка вихрей.
- •9.4. Кривая намагничивания сверхпроводников 2-го рода.
- •9.5. Фазовая диаграмма сверхпроводимости 2-го рода.
- •9.6. Барьер Бина-Левингстона или уточнение понятия Нс1.
- •9.7. «Промежуточное» состояние в сверхпроводниках 2-го рода.
- •Лекция 14
- •9.7. Поверхностная сверхпроводимость.
- •9.8. Сравнение магнитных свойств сверхпроводников 1-го и 2-го рода.
- •10. Критические токи в сверхпроводниках. Пиннинг вихрей.
- •10.2. Сверхпроводники 2-го рода. Вихри.
- •10.3. Пиннинг вихрей.
- •10.4. Центры пиннинга.
- •1 0.5. Сила пиннинга. Критток для сп-2.
- •10.6. Зависимость Ic(h). «Пик-эффект».
- •10.7. Движение магнитного потока в сп 2-го рода.
- •10.8. Вихри в втсп.
- •Лекция 15
- •11. Другие явления в сверхпроводниках.
- •11.1. Флуктуации.
- •11.2.Эффект близости.
- •11.3. Анизотропия щели.
- •11.4. Высокочастотные свойства.
- •11.5. Роль дефектов и примесей. Парамагнитные примеси.
- •11.6. Облучение сверхпроводников энергичными частицами.
- •11.7. Сильно связанные сверхпроводники.
- •11.8. Неравновесная сверхпроводимость.
- •11.9. Иерархия времен в сверхпроводниках.
- •11.10. Фотоиндуцированные явления в втсп.
- •11.11. Симметрия параметра порядка, d-спаривание, псевдощель, «страйпы» в втсп.
2.3. Критическая температура Тс.
Введем первый критический параметр СП.
Вы уже видели переход в СП состояние (кривая Камерлинг Оннеса). По изменению сопротивления.
Это фазовый переход. Конечно, он не может быть бесконечно узким. В чистых металлах его ширина Т составляет 10-3 К.
Неоднородности, флуктуации (особенно в тонких СП пленках), примеси, дефекты расширяют переход. Нарисуем его в большом масштабе.
Тс=f(P,H,концентрации примесей). Магнитные примеси (Fe) очень резко понижают Тс в обычных сверхпроводниках (доли процента могут подавить переход).
Nb Тс=9.25 K (максимум у элементов при нормальном давлении).
Родий (Rh) Тс=310-4 K=0.3 мК (пока самая низкая у чистых элементов).
J.E.Hirsh. Обзор 1997г.
2.4. В=0.
«Выталкивание магнитного поля» из массивного сверхпроводника.
Мейснер, Оксенфельд – 1933 год.
2-ой фундаментальный факт.
Это происходит независимо от условий эксперимента.
Эффект Мейснера-(Оксенфельда).
1. Наблюдают по изменению индуктивности L катушки при переходе образца в СП состояние (аналог изменения L катушки с магнитным сердечником).
Меняют
Т.
Н от внешнего соленоида
2. B=H+4M,
здесь М-намагниченность. Единицы CGS, Гаусс.
В=0, т.е. M = –(1/4)H. M=H, -восприимчивость.
Т.е. = –1/4. Это диамагнетик (знак минус, намагничивается против поля).
Это идеальный (!) диамагнетик, т.к. =max.
Полностью компенсирует приложенное к нему поле.
3. Физика – незатухающие токи.
Это явление не следует (хотя связано) из идеальной проводимости.
Т.е. В=0 – фундаментальное свойство СП-ков.
Итак, СП=идеальный проводник (R=0) + идеальный диамагнетик ( = –1/4).
Это два самых «главных» свойства сверхпроводников, другие – кратко.
Но сначала – другие критические параметры: оказывается, есть и другие, кроме Тс.
Лекция 2
2. Основные факты.
2.5. Критическое магнитное поле Нс.
1) Экспериментальный факт: при росте Н (T<Tc) наблюдается переход SN.
Т.е. при Н=Нс равновесие S и N фаз.
2) В термодинамике при равновесии фаз равны их термодинамические потенциалы Гиббса, т.е.
GN(Hc)=GS(Hc).
Здесь G=G(T,p,H) = функция Гиббса = свободная энергия Гиббса = термодинамический потенциал Гиббса. Это энергия.
Формула для 1-цы объема; N=норм., S=СП. Устойчива та фаза, у которой меньше G.
3) Вывод из вышеуказанного факта:
-
GN(H=0) - GS(H=0)=Нс2/8
(2.2)
Действительно, энергия единицы объема магнитного поля есть Н2/8. При H>Hc энергетически не выгодно существование сверхпроводника (который вытесняет из себя поле). Т.е. при Н=Нс член Н2/8 компенсирует разницу GN и GS:
GN(H)=GN(0),
GS(H)=GS(0)+Н2/8 (H<Hc).
Формула (2.2) – основное термодинамическое соотношение для сверхпроводников.
Отсюда название: Нс-термодинамическое критическое магнитное поле.
Более строгий вывод (2.1):
G(H)=G(0)--общая
формула.
G=GN(H)-GS(H)=GN(0)-GS(0)-.
MN=0 (исключаем особые случаи – СП 2-го рода с большими критическими полями). MS=-1/4. Откуда
G=GN(H)-GS(H)=GN(0)-GS(0)-Н2/8.
При Н=Нс G=0, т.е. GN(0)-GS(0)=Нс2/8. Формула (2.2).
4) Нс=Нс(Т).
Фазовая диаграмма:
Эмпирический закон:
НсНс(0){1-(T/Tc)2}.
Примеры:
2000Э Nb max для элементов
Нс(0)= 800Э Pb
1.1Э W (поле Земли 0.5Э).
2.6. Критический ток Ic (критическая плотность тока jc=Ic/S).
Факт:
Разная чувствительность приборов. Договор: V=1 мкВ/см.
Правило Силсби: Ic – тот ток, когда Нповерхн=Нс. Не всегда справедливо (для СП 1го рода).
Итак, мы ввели критические параметры: Тс, Hс, Ic. Можно перейти к следующим фактам.