29. Объясните процесс выбора измерительного прибора при измерении катушек индуктивности.

30. Объясните процесс измерения фазового сдвига в цепях с различными нагрузками.

Методы измерения сдвига по фазе зависят от диапазона частот, уровня, формы сигнала и требуемой точности измерения. Как правило, применяют методы непосредственной оценки и сравнения.

Фазометры - приборы, измеряющие сдвиг по фазе в радианах или градусах.

Измерение сдвига по фазе методом сравнения производится с помощью осциллографа. В широком диапазоне частот в маломощных цепях при грубых измерениях сдвиг по фазе измеряют с помощью осциллографа, а при более точных измерениях - методом сравнения, используя осциллограф в качестве индикатора равенства фаз.

Фазовый сдвиг определяется при сравнивании двух сигналов. Рассчитывается расстояние между двумя ближними вершинами сигналов и отношением ближней к дальней вершине синусоидального сигнала.

31. Объясните процесс выбора измерительного прибора при измерении конденсаторов.

1-Берём омметр(ВОЗМОЖНО АМПЕРМЕТР!!)

2-Стрелка отклоняется, а потом плавно возвращается до 0(если изменение плавное это говорит о целостности С). Электролитический подсоединяем к измерительному прибору(+ к +, - к -), а потом повторяем процесс в обратном направлении.

Добротность С-параметр необходимый для учитывания при расчётах

32. Изобразите и объясните схему измерения катушки индуктивности мостовым методом.

33. Изобразите и объясните схему измерения конденсаторов мостовым методом.

Д ля точного измерения L, М и С широко применяется мостовой метод. На рис. 28, а приведена схема цепи моста, применяемого для определения па­раметров катушки индуктивности (R и L). Здесь комплексные сопротивления

плеч равны:

Подставляя

эти значения в общее уравнение равновесия моста и приравнивая мнимые и вещественные составляющие, получим формулы для определения па­раметров катушки и сопротивления:

;

На рис. 28, б приведена схема моста, применяемого для измерения емко­сти Сх конденсатора с малыми потерями. Подставляя в общее условие равно­весия моста конкретные значения указанных на схеме параметров плеч, получим:

;

34. Объясните процесс измерения параметров полупроводниковых приборов на примере транзистора и полупроводникового диода.

Диод: Целостность п-н перехода проверяется омметром. ВАХ-амперметр и вольтметр + источник тока и напряжения.

Транзистор: Целостность переходов проверяется омметром(К имеет меньшее сопротивление чем Э). Входная\выходная характеристика амперметр и вольтметр + источник тока и напряжения.

Для определения выводов диода необходимо подключить его к омметру в прямом направлении (чтобы сопротивление было малым) и посмотреть, какой вывод диода подключен к проводу омметра, соединенному с положительным полюсом внутреннего источника питания. Этот вывод диода и будет анодом.

35. Объясните процесс измерения параметров микросхем.

Различают 3 основных метода испытаний схем(ИС):

-статические(уровни выходных напряжений и токов, помехоустойчивость, мощность потребления от источника питания, коэффициент разветвления по выходу, коэффициент объединения по входу)

-динамические(быстродействие ИС, устойчивость к импульсным помехам)