18Вопрос(электронные пучки)

Способ получения электронного пучка заключается в:

1.проведении в непрерывном или импульсном режиме высоковольтного разряда в разрядном промежутке между катодом и анодом (в объеме разрядной камеры, заполненной газом),

2.ускорении и извлечении электронного пучка через отверстия в аноде,

3.осуществлении подачи на катод светового потока, вызывающего фотоэффект, от внешнего по отношению к разрядному промежутку источника излучения при проведении высоковольтного разряда, (при этом если увеличивают напряжение, то понижают давление газа в разрядной камере, причем в качестве внешнего по отношению к разрядному промежутку источника излучения используют дрейфовое пространство за анодом, вблизи катода формируют протяженную область с низким градиентом потенциала, а в объеме разрядной камеры между протяженной областью с низким градиентом потенциала и анодом используют вставку с диэлектрическими каналами, в которых осуществляют ускорение электронов, причем в качестве анода используют плоскую пластину с просверленными отверстиями). Величину подаваемого в непрерывном режиме напряжения варьируют от 1,5 до 10 кВ. Применение данного способа для получения электронных пучков дает возможность получать их с высокой эффективностью и продлевать срок службы катода.

17Вопрос(электроннолучевое распыление)

Данным способом получают самые чистые пленки. Юзая низкий ток и высокое нарпяжение можно распылить практически любой материал в широком диапазоне скоростей. Можно испарять несколько материалов и получать несколько слоев пленок. Испарение происходит из испаряемого материала.

20Вопрос(тонкие пленки реактивно)

Технология ионно-плазменного нанесения (ИПН) основана на процессе физического распыления поверхности материала (мишени), из которого необходимо создать пленку, ионами инертного газа, генерируемыми в контактирующей с распыляемым материалом низкотемпературной газоразрядной плазме. Поток распыленных частиц осаждается на приемную подложку, формируя пленочное покрытие. Процесс образования и роста пленки сопровождается бомбардировкой подложки атомами и ионами инертного газа, а также электронами и фотонами, т. е. стимулируется плазменным разрядом. Если плазма создана в смеси инертного и химически активного (реактивного) газов, то технологию называют реактивным ионно-плазменным нанесением (РИПН). В этом случае подложку кроме распыленных частиц и частиц инертного газа бомбардируют химически активные частицы (ХАЧ) или же ХАЧ образуются на самой подложке при диссоциации адсорбированных молекул реактивного газа под стимулирующим воздействием плазмы. Такие условия процесса приводят к формированию пленок химических соединений: оксидов, нитридов и карбидов материала мишени.

27(Виды ис)

совмещенная интегральная схема, в к-рой все активные элементы (напр., диоды, транзисторы) выполнены в объёме и на поверхности ПП подложки по пленарной технологии, а пассивные элементы (напр., резисторы, конденсаторы) и межэлементные соединения нанесены в виде плёнок на поверхность сформированной монолитной структуры

Гибридная интегральная схема,— интегральная схема, в которой наряду с элементами, неразъёмно связанными на поверхности или в объёме подложки, используются навесные микроминиатюрные элементы (транзисторы, полупроводниковые диоды, катушки индуктивности, вакуумные электронные приборы, кварцевые резонаторы и др.).

Твердотельная интегральная схема – это законченный функциональный электронный узел, элементы которого конструктивно не разделены и изготавливаются в едином технологическом процессе, в объеме и на поверхности полупроводникового кристалла.( но в конспекте такое определение – ИС, в которой активные и пассивные элементы находятся внутри объема твердого тела)

Толстопленочными называются интегральные микросхемы с толщиной пленок 10—70 мкм, изготавливаемые методами трафаретной печати (сеткография).