- •Вопрос 1(разновидность компонентов)
- •Вопрос 2(фхп литографии)
- •Вопрос 3
- •5 Вопрос(получение монокристов
- •5) Основы получения монокристаллических слитков полупроводников
- •Вопрос8(диффузия)
- •Вопрос11(основные положения окисления)
- •30Вопрос(роль вакуума)
- •Вопрос 6(раздедение на пластины)
- •26Вопрос(ис)
- •Вопрос 4(фхп неразъемных)
- •32Вопрос(узлы вакуумных систем)
- •Вопрос 7(пп плоскопарралельные пластины)
- •Вопрос9(фхп граница Me)
- •21Вопрос(рост пленок электрохим зараждение)
- •Вопрос19(катодное распыление
- •Вопрос10(фхп силициды)
- •Вопрос12(рост термического оксида)
- •14Вопрос(радиационные дефекты)
- •18Вопрос(электронные пучки)
- •17Вопрос(электроннолучевое распыление)
- •20Вопрос(тонкие пленки реактивно)
- •27(Виды ис)
- •22Вопрос(эпитаксиальные слои гомо)
- •29Вопрос(тонкие пленки лазерное распыление)
- •31Вопрос(пленки ионно-плазменное)
- •33Вопрос(электрохим осаждение пленок)
- •2.1. Физические основы.
- •2.2. Принципиальная схема установки и характеристики метода.
- •Вопрос28(разновидность элементарных пп)
- •34Вопрос(реактивные процессы пленок)
- •25Вопрос(этапы развития пп)
- •Вопрос24(резка пластин на кристы)
- •Очистка поверхности газовым травлением
- •Плазменные методы удаления материала с поверхности твердого тела. Сущность и классификация методов обработки поверхности
- •15 Вопрос(ионная иплантация)
- •16Вопрос(термическое испарение)
21Вопрос(рост пленок электрохим зараждение)
Применяя химическое осаждение, следует считаться с тем, что солевые компоненты в силу разной устойчивости к нагреванию могут деструктировать либо ещё на подлете к подложке и тогда часть компонентов будет оседать уже в виде твердых частиц и агломератов, либо подвергаться пиролизу только после достижения микрокаплей заданной температуры субстрата-носителя. Такое явление может приводить к снижению химической и фазовой гомогенности пленок, также как и возможная высокая летучесть некоторых солевых форм, при этом приходится корректировать состав исходных растворов, повышая в них долю летучих компонентов. Введение в рабочие растворы растворимых в данном растворителе (например, воде) полимеров позволяет снизить отрицательное влияние указанных факторов, т.к. температуры разложения солей нивелируются. Полимерсодержащие растворы обладают также повышенными пленкообразующими свойствами, что улучшает равномерность покрытий, увеличивает их адгезионную и когезионную прочность.
Вопрос19(катодное распыление
Рис.4 Схема установки для нанесения покрытий катодным распылением:
1 – камера; 2 – катод; 3 – заземленный экран; 4 – заслонка; 5 – подложка;
6
– заземленный анод; 7 – резистивный
нагрева
тель подложки.
Метод осуществляется следующим образом. Вакуумный объем, содержащий анод и катод, откачивают до давления 10-4 Па, после чего производят напуск инертного газа (обычно это Ar при давлении 1-10 Па). Для зажигания тлеющего разряда между катодом и анодом подается высокое напряжение 1-10 кВ. Положительные ионы инертного газа, источником которого является плазма тлеющего разряда, ускоряются в электрическом поле и бомбардируют катод, вызывая его распыление. Распыленные атомы попадают на подложку и оседают в виде тонкой пленки [5].
Преимущества метода катодного распыления в следующем:
безынерционность процесса
низкие температуры процесса
возможность получения пленок тугоплавких металлов и сплавов (в том числе и многокомпонентных)
сохранение стехиометрического исходного материала при напылении
возможность получения равномерных по толщине пленок
Метод имеет недостатки:
низкая скорость осаждения (0.3-1 нм/с)
загрязнение пленок рабочим газом вследствие проведения процесса при высоких давлениях
низкая степень ионизации осаждаемого вещества
Вопрос10(фхп силициды)
При нагревании до 500-6000С силициды щелочных металлов (кроме силицида натрия), теряют часть металла, переходя в полисилициды - KSi6, CsSi8 с образованием сложных структурных группировок из атомов кремния. Силициды - кристаллические вещества, обладающие металлическим блеском и значительной хрупкостью. Важнейшие промышленные способы получения силицидов основаны на использовании восстановительных свойств элементарного кремния. Известны следующие методы получения силицидов: • сплавление Me + Si→MeSi; • спекание или горячее прессование 2МеН + Si→2МеSi + Н2; • взаимодействие оксидов металлов с Si, SiC, Si02, с силикатами в присутствии углерода (восстановление) 2МеО + 3Si→2МеSi + Si02 MeО + SiC→МеSi + СО МеО + Si02 + 3C→МеSi + 3СО МеО + (силикат + C) →МеSi + СО; • алюмо-или магнийтермический метод Ме + A1(Mg) + Si02 + S→МеSi + шлак (шлак, содержащий Аl, Mg,S); • осаждение из газовой фазы Ме + SiCl4 + 2H2→ MeSi + 4НСl.
