Вопрос8(диффузия)
Диффузия- процесс хаотического переноса молекул или атомов вещества вызваных градиентом концентрации.
Коэффициент
диффузии зависит от Т -
Dc-постоянная
диффузии, k-постоянная
больцмана, Do
и Ea
– эксперементально для каждого
мата.Зависимость между диффузией в ед
времени в ед пространства и градиентом
концентрации выражается первым законом
фика I=-D*grad
N;
I-поток
примесей, N-концентрация
примесей (-) говорит о распространении
примесей из большей концентрации в
меньшую
Вопрос11(основные положения окисления)
Механизм окисления имеет два варианта. Первый вариант состоит из следующих этапов: 1) диффузия атомов кремния через уже имеющуюся пленку окисла к поверхности; 2) адсорбция молекул кислорода поверхностью из газовой фазы; 3) собственно окисление, т. е. химическая реакция. В этом случае пленка нарастает над исходной поверхностью кремния. Второй вариант состоит из следующих этапов: 1) адсорбция кислорода поверхностью уже имеющегося окисла; 2) диффузия кислорода через окисел к еще не окисленному кремнию; 3) собственно окисление. В этом случае пленка нарастает вглубь от исходной поверхности кремния. На практике оба механизма сочетаются, но главную роль обычно играет второй. Очевидно, что скорость роста окисла со временем должна убывать, так как новым атомам кислорода приходится диффундировать через все более толстый слой окисла.
30Вопрос(роль вакуума)
роль вакуума в получении тонких пленок. Чем выше вакуум, тем точнее нанесение тонких пленок на поверхность и лучше сцепление частиц с ней. Т.к. частицы пленки не соударяются с частицами окружающей среды, а значит не теряют энергии и не меняют траекторию.
Вопрос 6(раздедение на пластины)
резка пластин на кристаллы диском с наружной режущей кромкой или с применением абразива;
резка пластин на Кристаллы стальными полотнами и проволокой с применением абразива;
разделение пластин на кристаллы скрайбированием с последующей ломкой;
ультразвуковая резка пластин;
разделение пластин на кристаллы травлением.
Из перечисленных способов наибольшее распространение нашли: резка алмазным режущим диском, скрайбирование алмазным резцом и ла зерное скрайбирование с последующей ломкой.
На рисунке 1 показана схема резки полупроводниковой пластины диском с наружной алмазной режущей кромкой. Диск 1 устанавливается на шпинделе станка и зажимается с двух сторон фланцами 2. В процессе резания алмазный режущий диск вращается с большой скоростью и охлаждается жидкостью 3. Разрезаемую полупроводниковую пластину 4 закрепляют клеящей мастикой 5 на основание 6.
Скрайбирование является одним из методов разделения пластин на кристаллы, заключающееся в том, что на поверхность Полупроводниковой пластины резцом, лазерным лучом или другими способами наносят неглубокую риску, вокруг которой концентрируются механические напряжения, ослабляющие материалы. Основным достоинством метода скрайбирования наряду с высокой производительностью и культурой производства является: малая ширина прорези, а, следовательно, и отсутствие потерь полупроводникового, материала, которых невозможно избежать при использовании других методов разделения пластины на кристаллы. Наиболее широко скрайбирование используют в планарной технологии изготовления ИС, когда на пластине уже сформированы полупроводниковые структуры.
Разделение осуществляется в две стадии: вначале пластины скрайбируют, для чего риски наносят между готовыми структурами по свободному полю в двух взаимно перпендикулярных направлениях, а затем разламывают по рискам на прямоугольные или квадратные кристаллы.