Вопрос 1(разновидность компонентов)

Диоды, транзисторы, резисторы, конденсаторы, индуктивности, межсоединения, невыпрямляющие контакты.

Вопрос 2(фхп литографии)

Фотолитогра́фия — метод получения рисунка на тонкой плёнке материала, широко используется в микроэлектронике и в полиграфии. Один из основных приёмов планарной технологии, используемой в производстве полупроводниковых приборов.

Для получения рисунка используется свет определённой длины волны. Минимальный размер деталей рисунка — половина длины волны (определяется дифракционным пределом).

фоторезист — специальный материал, который изменяет свои физико-химические свойства при облучении светом.фотошаблон — пластина, прозрачная для используемого в данном процессе электромагнитного излучения, с рисунком, выполненным непрозрачным для используемого излучения красителем.

Процесс фотолитографии происходит так:На толстую подложку (в микроэлектронике часто используют кремний) наносят тонкий слой материала, из которого нужно сформировать рисунок. На этот слой наносится фоторезист.Производится экспонирование через фотошаблон (контактным или проекционным методом; смстеппер).Облучённые участки фоторезиста изменяют свою растворимость и их можно удалить химическим способом (процесс травления). Освобождённые от фоторезиста участки тоже удаляются.Заключительная стадия — удаление остатков фоторезиста.

Вопрос 3

В зависимости от длины волны используемого излучения применяют следующие методы литографии:

фотолитографию (длина волны актиничного ультрафиолетового излучения л =250 - 440 нм);

рентгенолитографию (длина волны рентгеновского излучения л =0,5 … 2 нм);

электронолитографию (поток электронов, имеющих энергию 10 - 100 КэВ или длину волны л = 0,05 нм);

ионолитографию (длина волны излучения ионов л = 0,05 … 0,1 нм).

В зависимости от способа переноса изображения методы литографии могут быть контактными и проекционными, а также непосредственной генерации всего изображения или мультипликации единичного изображения. В свою очередь, проекционные методы могут быть без изменения масштаба переносимого изображения и с уменьшением его масштаба.

Фотолитография бывает контактная (контакт фоторезиста и фотошаблона) – что приводит к нарушению слоя фоторезиста и сокращению срока годности. Проекционная.(нет контакта). Рентгеновская (возможность создать элементы более малых размеров, но низская производительность) и электронно-лучевая (лучше всего подходит для массового производства, но сложна, сложно подобрать резист, сложно управлять плотностью тока в луче). Фотолитография, экспанирование резистов плазменными потоками (недостаток – часть энергии тратится на подогрев подложки и резистаВ зависимости от типа используемого р е з и с та (негативный или позитивный) методы литографии по характеру переноса изображения делятся на негативные и позитивные

5 Вопрос(получение монокристов

5) Основы получения монокристаллических слитков полупроводников

1. – затравка

2. – слиток, строго ориентирован в нужной плоскости

3. – тигель

4. – расплав Si

5. – подогрев

Требование к металлу: он не должен взаимодействовать с кремнием при высокой температуре.

Слиток вводится в соприкосновение с жидкостью (как ложка с медом), вращается по своей оси и поднимается. При поднимании температура понижается, жидкость кристаллизуруется и преобразуется в твердую фазу. Получается монокристаллический слиток d ≤450мл?!