82

Министерство образования Российской Федерации Московская государственная академия приборостроения и информатики

Лущейкин Г.А.

МАТЕРИАЛЫ

В ПРИБОРОСТРОЕНИИ

Конспект лекций

Москва - 2009 г.

Конспект лекций рекомендован кафедрой “Физико-химического материаловедения“ Московской государственной академии приборостроения и информатики (МГАПИ) в качестве учебного пособия при преподавании материаловедческих дисциплин.

ОГЛАВЛЕНИЕ

Введение. Виды связи в веществах.............................. ..............4

Глава 1. Основные свойства материалов................... ...............5

Глава 2. Неорганические диэлектрики ...................... .............16

Глава 3. Полимеры. ....................................................................20

Глава 4. Активные диэлектрики ...............................................38

Глава 5. Полупроводники ............................ ........................... 47

Глава 6. Светоизлучающие материалы.................................... 56

Глава 7. Проводниковые материалы ............................... ....... 57

Глава 8. Железо и сталь. .......................................................... 63

Глава 9. Магнитные материалы ................... .......................... 68

Литература........................................................................... 75

Условные обозначения.

B-магнитная индукция, Тл;

С-емкость, Ф;

d-плотность, кГ/м³ ;

E_а -энергия активации (процесса релаксации),Дж/моль;

E_п -напряженность электрического поля,В/м;

E_пр -напряженность электрического поля в момент пробоя

диэлектрика (электрическая прочность), В/м;

E_у -модуль упругости (при растяжении, модуль Юнга), Па;

-относительная диэлектрическая проницаемость;

_o -электрическая постоянная, 8,854.10^-12 Ф/м;

', “ - действительная и мнимая составляющие комплексной

диэлектрической проницаемости ^*;

_s -статическая относительная диэлектрическая проницаемость (при f  0 );

_ относительная диэлектрическая проницаемость при f   ;

 - инкремент диэлектричеcкой проницаемости = _s -_;

f-частота поля,Гц;

F-сила,Н;

h-толщина образца,м;

H-напряженность магнитного поля,А/м;

i - плотность тока, А/м² ;

- 3 -

j=(1);

-дипольный момент,1D (Дебай) =3,33.10^-30 Кл.м;

_м - относительная магнитная проницаемость;

_о -магнитная постоянная 1,257.10^-6 Гн/м;

n-число диполей (заряженных частиц)в единице объема,1/м³;

N_A -число Авогадро 6,022.10²³ 1/моль - число атомов,молекул в моле

-круговая частота,рад/с (=2f);

P-поляризованность диэлектрика, Кл/м²;

Р_о -остаточная поляризация (поляризованность), Кл/м²;

q-величина заряда (носителя заряда),Кл;

R-газовая постоянная 8,314 Дж/(моль.К);

_v -удельное объемное электрическое сопротивление, Ом.м;

_s -удельное поверхностное сопротивление, Ом;

S-площадь (электродов), м²;

s-площадь поперечного сечения образца,при растяжении, м² ;

tg - тангенс угла диэлектрических потерь;

T-температура,К (иногда градусов С);

-время релаксации,с;

t-время,с;

U-напряжение,В;

V-потенциал,разность потенциалов,В;

W-температурный коэффициент электропроводности, Дж/моль.

ВВЕДЕНИЕ

Материаловедение - наука о материалах, методах их получения,переработки,об их свойствах и о областях их использования. Правильный выбор материалов и их применение дает важный,иногда определяющий эффект в создании высокоэффективных и экономичных приборов, машин и механизмов. Материалы могут находиться в различных фазовых состояниях: твердом, жидком и газообразном. По электрическим свойствам они делятся на проводники, полупроводники и диэлектрики (электроизоляционные материалы). По магнитным свойствам они делятся на ферромагнитные, , парамагнитные и диамагнитные (также антиферромагнитные и ферримагнитные).

Свойства материалов определяются их строением и видами связей, которыми атомы и молекулы связаны между собой.

Виды связи в веществах

Виды связи в веществах: ковалентные, металлические, ионные, межмолекулярные. Силы притяжения между электрически заряженными частицами определяет плотность и прочность материалов.

Например, два атома водорода связываются между собой в молекулу за счет обобщения (перекрывания орбит) электронов, при этом вероятность присутствия электронов в пространстве максимальна между атомами, что вызывает притяжение между атомами водорода.

Равновесное расстояние между атомами водорода r=0,74 А (1А = 10^-10 м). Это равновесное расстояние обеспечивается уравновешиванием кулоновских сил притяжения (обратно пропорциональных r² ) и сил отталкивания между ядрами, обратно пропорциональных r^4-6.

Прочность химических и ионных связей велика, так, прочность химической связи в молекуле водорода 255 кДж/моль.

Металлы имеют металлическую связь, в них связь между атомами не локализована. В металлах имеются ионы, находящиеся в кристаллической решетке, связанные между собой электронным газом. Сдвиг плоскости в кристалле не приводит к разрыву связей, а только к перераспределению связей, что обеспечивает пластичность и ковкость металлов.

Ковалентные связи могут быть полярные и неполярные. Наиболее полярные связи - ионные (например, в KBr дипольный момент равен =10 D). Ковалентные связи менее полярные (=0,5-4 D )

(Диполь - вектор, направленный от + к -, 1 Дебай 1D = 3,33.10^-30 Кл.м.)

Важную роль играют более слабые (1-10 кДж/моль ) межмолекулярное (Ван-дер-Ваальсовские) связи. Эти связи существенны в жидкостях, аморфных веществах. Особенно прочны межмолекулярные водородные связи, например между атомами Н и О, Н и N. Эти связи широко распространены в

биологических веществах. Межмолекулярные связи обуславливают склеивание и прилипание. Эти связи обусловлены преимущественно диполь-дипольным взаимодействием, причем диполи могут постоянно существовать в веществах вследствие химического строения вещества например >C-Сl, >C=O ). Диполи могут быть наведенные - вследствие поляризации атомов (и молекул ) в поле заряженных или поляризованных частиц, например молекул с постоянными дипольными моментами. Диполь-дипольное взаимодействие может возникать вследствие возникновения мгновенной поляризации между соседними атомами при вращении электронов вокруг ядер (т.н. дисперсионное или Лондоновское взаимодействие).

Прочность связей обуславливает механические, термические и другие свойства материалов.

Основные свойства материалов: механические, электрические, магнитные, теплофизические.

Глава 1. Основные свойства материалов

МЕХАНИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА

Механические характеристики: прочность - временное сопротивление при нагружении (чаще всего при растяжении, реже при сжатии, изгибе), относительное удлинение (при определении прочности при растяжении), модуль упругости (при растяжении, изгибе, всестороннем сжатии), ударная вязкость (работа разрушения при кратковременном нагружении).

При растяжении образцов твердых материалов с постоянной скоростью получают зависимости типа показанных на рис.1.( -механическое напряжение, Н/м² (Па),  - относительное удлинение =(l-l_o)/l_o где l_o -начальная длина, l -длина образца при нагрузке ,). На первом участке (ОА) напряжение пропорционально деформации =Е_у (закон Гука ),где E_у -модуль упругости. Затем, на втором участке (АВ), наблюдается отклонение от линейности (А-предел нарушения пропорциональности).

Хрупкие материалы (неорганическое стекло,керамика) разрушаются на первом участке (например, в точке X). Примерно также ведут себя пласт-массы- реактопласты и композиты - композиционные материалы на основе реактопластов с волокнистыми наполнителями (стеклопластики, углепластики и др.).

Упруго-вязкие материалы (например,металлы, пластмассы при дальнейшем растяжении достигают максимума - предела текучести _т (точка В).

_р

, К , В

Па В А

С Д

2 3 1

О

, % , %

Рис.1. Схема типичных зависимостей механического напряжения  от деформации  при растяжении: 1 - металлов, 2 - пластмасс, 3 - эластомеров.

Эластичные материалы после этого вытягиваются (участок СД). Металлы на этом участке обычно разрушаются. Вытяжка полимеров может происходить в несколько раз с образованием волокон с более плотной и прочной ориентированной структурой. При дальнейшей деформации происходит растяжение новой ориентированной структуры с более высоким модулем упругости.На участке ДК происходит разрушение ориентированных полимеров (точка К).

На первом участке деформация обратима - материал восстанавливает форму полностью после снятия нагрузки. На участках втором и третьем деформация необратима.

Кроме упругих хрупких и упруго-вязких материалов существуют высокоэластичные материалы (эластомеры, к которым относятся каучуки, резины), способные к большим обратимым деформациям.

При деформации эластомеров необратимая (сдвиговая) деформация наблюдается только в области, близкой к разрушению.



Т_с Т_тек Т_с Т_пл

2 1 3

Т

Рис.2.Термомеханичекие кривые различных материалов: 1- аморфный застеклованный (например,неорганическое стекло); 2- аморфный полимер (например, органическое стекло - полиметилметакрилат( ПММА); 3- кристаллический (металл, керамика).

Упругие и упруго-вязкие материалы сохраняют форму - являются конструкционными. Эластомеры (без армирующих элементов, как это имеет место, например, в шинах), не являются конструкционными материалами.

Рассмотрим термомеханическую кривую - зависимость деформации 

образца материала, находящегося под постоянной механической нагрузкой, от температуры при постепенном увеличении температуры.

Аморфные низкомолекулярные материалы (например, силикатные стекла) мало деформируются (Е_у 10¹¹ Па) до температуры стеклования. В полимерах от температуры стеклования Т_с до температуры текучести Т_тек наблюдается зона высокой эластичности, когда имеют место большие деформации (частично обратимые) при относительно небольших нагрузках (Е_у 10⁷ Па ).

В пластмассах (термопластах) температурный диапазон высокой эластичности невелик. В эластомерах этот диапазон гораздо шире - до 100^оС. В реактопластах зоны высокой эластичности может вообще не наблюдаться.

Кристаллические материалы - металлы, керамика- мало деформируются (Е_у 2.10¹¹ Па) вплоть до температуры плавления.

Качественно такие же зависимости имеют композиты на основе реактопластов с волокнистыми наполнителями. Темпера-

тура излома для них - температура начала деструкции реактопласта - связующего.

ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА

Важнейшие электрические параметры диэлектриков:

электропроводность, диэлектрическая проницаемость, диэлектрические потери, электрическая прочность. Важные (но не важнейшие): дугостойкость, трекингостойкость.

Параметры, характеризующие поведение диэлектриков в постоянном электрическом поле: электропроводность, статическая диэлектрическая проницаемость _S , электричеcкая прочность на постоянном токе. Электропроводность  [См/м] обычно измеряется на постоянном токе. Для характеристики диэлектриков обычно используется обратный параметр - удельное объемное электрическое сопротивление _v =1/ [Ом.м ].

Электропроводность материалов

Классификация веществ по электропроводности. Все вещества подразделяются на три большие группы: диэлектрики, полупроводники и проводники.

Согласно современной теории твердых тел, в диэлектриках электроны находятся в валентной зоне. Чтобы попасть в зону проводимости, они должны

преодолеть широкую энергетическую щель - запрещенную зону. В полупроводнике эта щель невелика и электроны гораздо легче преодолевают

энергетический барьер. В проводниках (металлах) щели практически нет и зона проводимости (в металлах она частично заполнена) примыкает к валентной зоне.

Удельные объемные сопротивления веществ  _{v ,}Ом.м :

Сверхпроводники ~ 10^-20

Проводники (металлы): 10^-9

Графит 10^-6

Полупроводники:Si,Ge 10¹

Электроизоляционные материалы:

хлопок,стекло 10⁹

найлон, полиамиды 10¹³

полиэтилен,плавл.кварц 10¹⁵

политетрафторэтилен 10¹⁶

Электропроводность металлов

Плотность тока в металле J=env. (Здесь е - заряд электрона, n - число свободных электронов, v-скорость дрейфа).

Проводимость =env/Е

Е-напряженность поля; v около 10^-4 м/с. Величина v пропорциональна средней величине свободного пробега l. Величина l обратно пропорциональна площади, занимаемой колеблющимися атомами, которая пропорциональна квадрату амплитуды колебаний (а)² Последняя связана с температурой по формуле:

К(а)²/2 = kT (К- коэфф. упругости,k-константа Больцмана.

Поэтому проводимость  пропорциональна 1/Т и  растет с температурой. При повышении температуры от Т₁ до Т₂:

Т₂)=(Т₁)[1+_(Т₂-Т₁)];

(_-температурный коэффициент электропроводности).

Электропроводность диэлектриков.

Электропроводность диэлектриков, как правило, имеет ионный характер и равна = qn , где n-число свободных (диссоциированных) ионов в 1 м³ , q - заряд иона,  - подвижность ионов. Молекулa диэлектрика (или примесей, содержащихся в диэлектрике, что бывает чаще) диссоциируются на ионы. Степень диссоциации определяется константой диссоциации К, зависящей от температуры :

K=K_o exp(-W/2RT) ,где W - энергия,требуемая на разделение ионов. В результате имеем для проводимости

_on)^1/2eexp(-W/2RT);

отсюда зависимость проводимости от диэлектрической проницаемости:

lg= A  В (A и В - константы)

Ниже приведены значения удельного объемного сопротивления для некоторых диэлектриков с разной  , которые подтверждают приведенную закономерность

lg _vОм.м]

ПТФЭ

2,5 15 ПЭ

3 14,3 ПК

3,5 13 Полиамиды

4 12 Фенол-формальдегидная смола

5-7 9-11 Аминопласты

Поверхностная проводимость существенно зависит от тонкого слоя сорбированной влаги на поверхности диэлектриков, толщина которого зависит от относительной влажности воздуха Поэтому удельное поверхностное сопротивление растет с понижением влажности воздуха

lg_s= lg _{s ( =0)} - K’(K’- константа)

Температурная зависимость удельного объемного сопротивления имеет вид:

_оe^W/RT

где W- кажущаяся энергия активации электропроводности. Для полимеров температурная зависиимость lg () от 1/T имеет вид ломаной с точкой излома при температуре стеклования Т_с . При этой температуре _v  4.10¹² Ом.м и W/RT= 466.

lg _V

T_C

 Температура 



Рис.3. Температурная зависимость удельного объемного сопротивления полимера.

Диэлектрическая проницаемость и диэлектрические потери

Параметры, характеризующие поведение диэлектриков в переменных электрических полях: диэлектрическая проницаемость, диэлектрические потери, электричеcкая прочность на переменном токе (обычно при 50 Гц).

Диэлектричеcкая проницаемость () при определенной частоте и температуре складывается из  при бесконечно большой частоте _ и приращений (инкрементов) , связанных с размораживанием подвижностей диполей (полярных групп), имеющихся в диэлектрике при повышении температуры (или при понижении частоты поля). Поэтому температурные зависимости  имеют вид ступенчатых кривых (рис.3 ), причем в областях между переходами (, и др. - температурами, при которых размораживается молекулярная подвижность ) , значения  могут несколько уменьшаться с повышением температуры из-за теплового расширения диэлектрика и соответствующего снижения содержания диполей в единице объема.



tg 

T

T_C=T_

T

,

tg 







tg

lgf

Рис.4а. Температурная зависимость  и tg диэлектрика.

Рис.4б. Частотная зависимость  и tg диэлектрика.

Диэлектрическая проницаемость определяется способностью диэлектрика к поляризации - его поляризуемости. Поляризуемость обусловлена поляризацией элементов структуры в электрическом поле:

1) поляризацией атомов - смещением атомов и ядер в поле, 2) ориентацией диполей, 3) при низких частотах - смещением ионов. Первый вид поляризации называется электронной поляризацией, с ним связано значение 

при высоких частотах _ . Второй вид поляризации называется дипольно-ориентационной поляризацией и в полимерах может быть минимум два вида –поляризации дипольно-групповая () и дипольно-сегментальная (). Дипольно-групповая поляризация - ориентация полярных групп, содержащихся в молекулах, вторая связана также с ориентацией полярных групп, но не отдельно, а в составе сегментов - отрезков макромолекул. Дипольные виды поляризации осуществляются только в том случае, если имеется возможность их осуществления, если молекулярная подвижность такова, что делает возможным такую ориентацию. Дипольно-сегментальная подвижность осуществляется при нагревании полимера выше температуры стеклования (так называемый основной или  - переход), а дипольно-групповая подвижность осуществляется при нагревании до температур, при которых размораживается подвижность соответствующих отдельных полярных групп (температуры вторичных ,- переходов ). На температурных зависимостях  полярных полимеров наблюдаются ступеньки _д-с, _д-г , соответствующие размораживанию отдельных видов молекулярной подвижности и соответствующему повышению диэлектрической проницаемости

= _нт +  _д-с +  _д-г+  _м

где _нт -  при низкой температуре, близкое к _{ ..}

Вклад в диэлектрическую проницаемость составляющей _м , связанной со смещением (миграцией) ионов в полимерных диэлектриках наблюдается при низких частотах и повышенных температурах. В стеклах, керамике - ионных соединениях - ионная составляющая возможна и при невысоких температурах и более высоких частотах. Эта составляющая дает вклад “миграционной” поляризуемости и прирост диэлектрической проницаемости на _м .

Диэлектрическая проницаемость при бесконечно высокой частоте связана с коэффициентом (электронной) поляризуемости 

( -1)/(  +2)=(N/3_o ),

где число атомов (молекул) в единице объема N=dN_A/M; N_A- число Авогадро, d-плотность и М- молекулярная масса.

В случае, когда присутствует и электронная поляризация и дипольная поляризация, то для вещества, у которого полярные группы имеют дипольный момент 

( -1)/(  +2)= (N/3_o )( + /3kT )

(формула Клаузиуса-Моссотти-Дебая).

Диполи при приложении внешнего поля ориентируются по направлению поля постепенно, со временем релаксации , зависящем от температуры (по уравнению Больцмана)

=_O ехр(Е_a/RT) ,

где Е_a -энергия активации процесса релаксации. Если представить диэлектрик (по Максвеллу) в виде параллельно соединенных конденсатора С и резистора

R, то время релаксации для такой эквивалентной схемы (время спада заряда в конденсаторе) в е раз) равно

_М =RC=_o _v.

I_C



С R

 

I_R U

Рис.5.Эквивалентная схема диэлектрика с потерями проводимости (по Максвеллу) и векторная диаграмма токов и напряжений в ней: I_R активный и I_C реактивный токи, U-напряжение, - угол потерь; тангенс угла потерь tg=I_R/I_C.

г де _М – Максвелловское время релаксации. Поведение диэлектрика с дипольной (или миграционной) поляризацией в диапазоне частот хорошо описывается обобщенной эквивалентной схемой диэлектрика, состоящей из двух параллельных ветвей, в одной из которых соединены последовательно емкость С и резистор R, а во второй емкость С_O (Рис.6)

tg

f₂ f₁

С

R С_о

-

.

T

Рис.6.Эквивалентная электрическая схема диэлектрика

Рис.7.Сдвиг максимума tg и положения на температурной шкале в области диполь ной релаксации при изменении частоты измерений: f1>f2

В этом случае частотная зависимость комплексной диэлектрической проницаемости описывается формулами Дебая (C пропорционально  , а С пропорционально _S_

_S_= /(1+j),

где _s_ .Компоненты комплексной диэлектрической проницаемости

^*= '-j"

- собственно диэлектрическая проницаемость ’ и коэффициент диэлектри-ческих потерь ” равны:

'= _ + /(1+²²)

и

”/(1+²²)

тангенс угла диэлектрических потерь

tg = ”/’.

Согласно приведенным формулам, при изменении частоты поля диэлектрические потери проходят через максимум при  = 1. То же наблюдается и при изменении температуры. При повышении температуры частота максимума сдвигается в сторону более высоких частот, а при повышении частоты температура максимума сдвигается в сторону более высоких температур.

Появление максимума диэлектрических потерь связано с тем, что при низких температурах (или высоких частотах) ориентация диполей затруднена из-за ограниченной (замороженной) молекулярной подвижности ; диэлектрическая проницаемость при этом низкая. При высоких температурах (низких частота) движение молекулярное движение разморожено, диполи успевают ориентироваться в направлении поля, при этом диэлектрическая проницаемость максимальна. В обоих случаях затраты энергии на поляризацию невелики. В промежуточной области, когда с ростом температуры (в области размораживания молекулярной подвижности) диэлектрическая проницаемость растет, требуются затраты энергии на переориентацию диполей и наблюдаются максимумы диэлектрических потерь.

Тангенс угла диэлектрических потерь (для эквиваентной схемы по Максвеллу ) равен

tg =1/(_м) =1/(_o_v )

где _м - Максвелловское время релаксации. Согласно уравнению Дебая, частотная зависимость ” = f(') при разных частотах (вблизи температуры максимальных релаксационных потерь)описывается дугой окружности, причем центр окружности лежит на оси абсцисс. Экспериментально такие зависимости наблюдаются в полярных жидкостях. В полимерах центр окружности расположен ниже оси абсцисс и экспериментальные зависимости описываются формулой Коула-Коула:

^* - _ = /[1+(j)^{1- }]

Параметр 1- называется параметром распределения времен релаксации (Коула-Коула); он характеризует насколько диполи распределены по временам релаксации. В полимерах (в отличие от жидкостей, для который 1- = 1) предполагается, из-за различного окружения каждого из диполей, что каждый отдельный диполь может иметь свое время релаксации.



 ”

1

2



Рис.7. Зависимость ” от ’ в области дипольной релаксации (круговая диаграмма Коула-Коула): 1- жидкость, 2- полимер.

lgf_м  

.

1/T (K^-1)

Рис.8.Зависимость логприфма частоты максимума потерь lgf_M от обратной абсолютной температуры 1/T (K^-1 ).

Максимум диэлектрических потерь (при круговой частоте =f=1/_max , где f - частота поля в Герцах), соответствует наивероятнейшему времени релаксации _max.

Время релаксации диполей зависит от температуры по экспоненциальному уравнению (типа уравнения Аррениуса):

= _O exp(Е_a/RT)

Потери мощности в Ваттах в конденсаторах емкостью С и c тангенсом угла потерь диэлектрика tg (см. рис.5):

tg=I_R/I_C ,

P=UI_R,

I_C=U/X_C=U/(1/C)

P = U²Сtg

ЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ ПРОЧНОСТЬ

При повышении напряженности поля наступает момент, когда диэлектрик перестает быть изолятором, он теряет свои электроизоляционные свойства и становится проводником. При этом происходит ударная ионизация материала,сопровождающаяся повышением температуры, деструкция, плавление материала и образование канала пробоя, зачастую образуется отверстие. Это явление называется электрическим пробоем. Отношение напряжения пробоя к толщине диэлектрика h называется электрической прочностью

Е_ПР = U_ПР/h [МВ/м]

В твердых телах разрушению диэлектрика зачастую предшествует развитие разрядов в газах - в трещинах: полостях внутри или на поверхности.

Пробой газов развивается вследствие разгона электронов в электрическом поле: энергия электронов Э=Еql (Е-напряженность поля,q-заряд электрона, l-расстояние до удара электрона о молекулу - свободный пробег) При Э >Э_и (Э_и - энергия ионизации) происходит ионизация следующей молекулы газа, этот процесс может быть цепной, тогда проис- ходит образование стриммера - канала пробоя, идет разогрев газа,

- 15 -

его ионизация и свечение.

е + М = М + е + е

е + М = М + е = М + h (фотон) + е

М + h = М + е (фотонная ионизация)

В идеальном случае (без развития пробоя в газах) электрическое поле может разорвать, механически разрушить диэлектрик. Такие случаи наблюдаются в полимерных пленках при воздействии постоянного напряжения порядка 1000 МВ/м.Похожий пробой наблюдается в ионных кристаллах в постоянном электрическом поле.

Кроме электрического пробоя, зачастую имеет место тепловой пробой.

Тепловой пробой имеет место в случаях, когда диэлектрические потери разогревают диэлектрик, что приводит к еще большему повышению потерь, еще большему нагреву и, в конце-концов, к пробою. Тепловой пробой наблюдается в массивных изоляторах, где плохой теплоотвод, при приложении переменного напряжения.

U_ПР электрический

пробой

.

тепловой пробой

h

Рис.9. Зависимость пробивного напряжения U_ПР при электрическом и тепловом пробое от толщины образца h.

Другие характеристики, характеризующие электроизоляционные свойства диэлектриков:

Дугостойкость - время в сек, при котором происходит образование токопроводящего мостика при воздействии дугового разряда на по верхность диэлектрика (испытательное напряжение 10-12 кВ, ток дуги ступенчато повышается со временем. Обычно ток 10 мА).

Трекингостойкость - время до образования токопроводящего следа на поверхности при постепенном повышении содержания электролита (например, капли водного раствора с NH₄OH с постоянной скоростью капают на поверхность диэлектрика между двумя острыми электродами из вольфрама. Определяют напряжение на электродах, при котором пробой наступает при падении 50 капель).

Трекингостойкость характеризует устойчивость изоляции в условиях загрязнения поверхности.

- 16 -

При анализе значений удельных объемных сопротивлений _v, приводимым в справочной литературе и стандартах на материалы, следует иметь в виду, что это - стандартные значения, измеряемые при выдержке под напряжением, как правило, 1 мин.и напряженности постоянного электрического поля порядка 0,5-1 МВ/м.