Польові транзистори з керованим n-p переходом. Угз, принцип дії, вах, маркування.
. Польові транзистори з ізольованим затвором. . Угз, принцип дії, вах, маркування.
Порівняльна характеристика біполярних та польових транзисторів. Сфера застосування.
Преимущества и недостатки полевых транзисторов перед биполярными.
Полевые транзисторы практически вытеснили биполярные в ряде применений. Самое широкое распространение они получили в интегральных схемах в качестве ключей (электронных переключателей)
Главные преимущества полевых транзисторов
Благодаря очень высокому входному сопротивлению, цепь полевых транзисторов расходует крайне мало энергии, так как практически не потребляет входного тока.
Усиление по току у полевых транзисторов намного выше, чем у биполярных.
Значительно выше помехоустойчивость и надежность работы, поскольку из-за отсутствия тока через затвор транзистора, управляющая цепь со стороны затвора изолирована от выходной цепи со стороны стока и истока.
У полевых транзисторов на порядок выше скорость перехода между состояниями проводимости и непроводимости тока. Поэтому они могут работать на более высоких частотах, чем биполярные.
Главные недостатки полевых транзисторов
Структура полевых транзисторов начинает разрушаться при меньшей температуре (150С), чем структура биполярных транзисторов (200С).
Несмотря на то, что полевые транзисторы потребляют намного меньше энергии, по сравнению с биполярными транзисторами, при работе на высоких частотах ситуация кардинально меняется. На частотах выше, примерно, чем 1.5 GHz, потребление энергии у МОП-транзисторов начинает возрастать по экспоненте. Поэтому скорость процессоров перестала так стремительно расти, и их производители перешли на стратегию «многоядерности».
При изготовлении мощных МОП-транзисторов, в их структуре возникает «паразитный» биполярный транзистор. Для того, чтобы нейтрализовать его влияние, подложку закорачивают с истоком. Это эквивалентно закорачиванию базы и эмиттера паразитного транзистора. В результате напряжение между базой и эмиттером биполярного транзистора никогда на достигнет необходимого, чтобы он открылся (около 0.6В необходимо, чтобы PN-переход внутри прибора начал проводить).
Недоліки БПТ:
Температурна залежність параметрів.
Низький БПТ дуже високий через не стаціонарності процесів інжекції диф., екстракції, інжекції, рекомбінації.
Низький вхід. Опір БПТ.
Частотна залежність параметрів БПТ через наявність ємкості КП і кінцевого часу проходж. Носіїв через базу.
Схема подачі живлення у вихідні кола підсилювальних елементів.
Розрізняють послідовні та паралельні способи живлення вхідних кіл.
При
послідовному постійна складова вихідного
струму підсилювального елементу (для
БПТ -
,
для ПТ -
)
проходить через
навантаження вихідного кола підсилювального
елемента.
При паралельному постійна складова вихідного струму підсилювального елемента НЕ проходить через навантаження вихідного кола.
Нестабілізовані схеми подачі напруги зміщення у вхідні кола підсилювальних елементів.
Зміщення - це напргуа між емітером і базою в Р.Т.
1)Схема
з фіксованим струмом бази.
2)Схема
подачі зміщення з фіксованою напругою.
Схеми подачі напруги зміщення з термокомпенсацією.
Схеми подачі напруги зміщення із стабілізацією положення Р.Т.
Схема
подачі зміщення з колекторною
стабілізацією:
Структурна схема підсилювача. Оцінка кількісних показників підсилювача.
Спотворення у підсилювачах. Причини виникнення нелінійних спотворень у підсилювачах
(начало в 23 вопросе. на второй странице конспекта, вверху )
Оцінка амплітудно-частотних спотворень по АЧХ підсилювача.
________________________________________________________________________
Причини виникнення та оцінка нелінійних спотворень у підсилювачах.
Вони викликаються наявністю у схемі каскадів підсилення, елементів які мають нелінійні ВАХ – транзисторів та трансформаторів із стальним осердям.
Нелінійні спотворення викликають збагачення спектру вих. Сигналу каскаду підсилення. Відносно спектру вх. Сигналу, тому що форма напруги вихідного сигналу відрізняється від форми напруги вх. І її математична модель може бути розкладена в ряд Фурь’є. Тобто вих. напруга має спектр до якого крім коливаннь з частотою вхідної напруги присутні коливання на кратних до неї частотах, кожна з яких має свою амплітуду і фазу.
